专利汇可以提供第III-V族化合物半導體太陽能電池、第III-V族化合物半導體太陽能電池之製造方法、及人造衛星专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且The III-V compound semiconductor solar cell of the present invention comprises a buffer layer (108) between the first electrode (121) and the second electrode (102) and a first unit (131). The buffer layer (108) includes a composition of a group III element which is alternately repeated from the side opposite to the side on which the first unit (131) is disposed to the side of the first unit (131), and is continuously continuous with an increase in the thickness of the buffer layer (108). The first portion (141a, 142a, 143a, 144a) of the change and the composition of the Group III element are not accompanied by portions of the second portion (141b, 142b, 143b, 144b) which vary in thickness of the buffer layer (108).,下面是第III-V族化合物半導體太陽能電池、第III-V族化合物半導體太陽能電池之製造方法、及人造衛星专利的具体信息内容。
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