| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 1 | 量子阱混合 | CN200880115390.X | 2008-09-30 | CN101849277A | 2010-09-29 | Y·李; K·宋; C-E·扎 |
| 量子阱混合(QWI)方法的实施方式，该方法包括：提供具有上外延层和下外延层(10、13)的晶片(1)，各外延层包括阻挡层，设置在上外延层和下外延层(10、13)之间的量子阱层(11)；在上外延层之上施加至少一个牺牲层(21)；通过在牺牲层的一部分之上施加QWI加强层(31)从而形成QWI加强区域和QWI抑制区域，其中，QWI加强层(31)之下的一部分是QWI加强区域，另一部分是QWI抑制区域。该方法进一步包括在QWI加强区域和QWI抑制区域之上施加QWI抑制层(41)的步骤，以及在足以使量子阱层(11)和上外延层与下外延层(10、13)的阻挡层之间的原子发生相互扩散的温度下进行退火的步骤。 | ||||||
| 2 | 量子阱混合 | CN01806267.9 | 2001-03-02 | CN1416589A | 2003-05-07 | 黄文秀; 蓝而来; 陈润全; 周彦; 谭兆聪 |
| 本发明提供一种基于灰度掩模图形(110)的新技术，所述方法只需要一步光刻和刻蚀步骤(110，120)就可在选定区域制作不同厚度的SiO2注入掩模(13)，随后由一步IID(130)完成选区混合。这种简单的低成本新技术一般可用于制造PICs，尤其可用于制造WDM源。根据本发明，通过在IID中采用灰度掩模技术，可将QW材料穿过晶片的带隙能量调节成不同的程度。这不仅使得集成单片多波长激光器成为可能，也使得在一片芯片上集成调制器和耦合器成为可能。通过将增益谱扩展到最大值，外延生长后这种技术可用于简化超发光二极管(SLDs)的制作和设计过程。 | ||||||
| 3 | 量子阱混合 | CN200880115390.X | 2008-09-30 | CN101849277B | 2012-05-09 | Y·李; K·宋; C-E·扎 |
| 量子阱混合(QWI)方法的实施方式，该方法包括：提供具有上外延层和下外延层(10、13)的晶片(1)，各外延层包括阻挡层，设置在上外延层和下外延层(10、13)之间的量子阱层(11)；在上外延层之上施加至少一个牺牲层(21)；通过在牺牲层的一部分之上施加QWI加强层(31)从而形成QWI加强区域和QWI抑制区域，其中，QWI加强层(31)之下的一部分是QWI加强区域，另一部分是QWI抑制区域。该方法进一步包括在QWI加强区域和QWI抑制区域之上施加QWI抑制层(41)的步骤，以及在足以使量子阱层(11)和上外延层与下外延层(10、13)的阻挡层之间的原子发生相互扩散的温度下进行退火的步骤。 | ||||||
| 4 | 量子阱混合 | CN01806266.0 | 2001-03-02 | CN1416607A | 2003-05-07 | 黄文秀; 蓝而来; 陈润全; 周彦; 黄玉荣 |
| 一种制作包括化合物半导体结构的集成光路的方法，所述化合物半导体结构具有量子阱区域，采用光子源对该结构进行照射以产生缺陷，光子的能量(E)至少为该化合物半导体的至少一个元素的置换能(ED)。然后将该结构进行退火以推动量子阱混合。优选的照射源是采用电子回旋共振(ECR)系统生成的等离子体。可按不同的方式遮挡该结构，从而通过控制该结构在照射源中的暴露部分，按在空间上可控制的方式实现该结构的选择性混合。 | ||||||
| 5 | 量子阱发光结构 | CN202311434131.6 | 2023-10-31 | CN117477352A | 2024-01-30 | 杨静; 赵德刚; 梁锋; 刘宗顺 |
| 本发明提供一种量子阱发光结构，包括：量子阱层；量子垒层，包括上垒层和下垒层，上垒层设置在量子阱层的表面，下垒层设置在量子阱层远离上垒层一端表面，量子垒层用以抑制载流子从量子阱层的溢出。本发明通过设置复合的量子垒层，既能保护量子阱层，防止量子阱层被破坏，又能抑制高温下载流子的逸散，进而能够有效提高半导体激光器的工作性能。 | ||||||
| 6 | 多量子阱器件 | CN200680042099.5 | 2006-12-05 | CN101305467B | 2010-09-01 | 片山泰尚; D·纽恩斯; 崔章琪 |
| 一种器件结构包含两个或更多个导电层(32，34)、两个外围绝缘层(30)、一个或多个中间绝缘层(36)以及两个或更多个导电接触件。所述两个或更多个导电层被夹在所述两个外围绝缘层之间，且它们通过所述中间绝缘层而彼此间隔开以形成两个或更多个量子阱。所述导电接触件中的每一个都与所述导电层中的一个直接且选择性连接，使得单独的量子阱可以通过所述导电接触件而被选择性访问。这种器件结构优选地包含耦合量子阱器件，该耦合量子阱器件具有两个或更多个量子阱，该量子阱可以在简并能级通过阱间隧道效应而耦合在一起。更优选地，该器件结构包含存储单元，该存储单元具有三个量子阱，该三个量子阱被设置和构造成限定两种不同的存储状态。 | ||||||
| 7 | 多量子阱器件 | CN200680042099.5 | 2006-12-05 | CN101305467A | 2008-11-12 | 片山泰尚; D·纽恩斯; 崔章琪 |
| 一种器件结构包含两个或更多个导电层(32，34)、两个外围绝缘层(30)、一个或多个中间绝缘层(36)以及两个或更多个导电接触件。所述两个或更多个导电层被夹在所述两个外围绝缘层之间，且它们通过所述中间绝缘层而彼此间隔开以形成两个或更多个量子阱。所述导电接触件中的每一个都与所述导电层中的一个直接且选择性连接，使得单独的量子阱可以通过所述导电接触件而被选择性访问。这种器件结构优选地包含耦合量子阱器件，该耦合量子阱器件具有两个或更多个量子阱，该量子阱可以在简并能级通过阱间隧道效应而耦合在一起。更优选地，该器件结构包含存储单元，该存储单元具有三个量子阱，该三个量子阱被设置和构造成限定两种不同的存储状态。 | ||||||
| 8 | 非平面鍺量子阱裝置 | HK13102488 | 2013-02-27 | HK1175589A1 | 2013-07-05 | PILLARISETTY RAVI; KAVALIEROS JACK T; RACHMADY WILLY; SHAH UDAY; CHU-KUNG BENJAMIN; RADOSAVLJEVIC MARKO; MUKHERJEE NILOY; DEWEY GILBERT; JIN BEEN Y; CHAU ROBERT S |
| 9 | 一种生长多量子阱的方法、多量子阱 | CN202210625325.3 | 2022-06-02 | CN114975698A | 2022-08-30 | 朱建军; 陆书龙; 李雪飞; 杨文献 |
| 提供了一种生长多量子阱的方法、多量子阱，所述生长多量子阱的方法包括：P1：在第一温度T1下，生长垒层材料InaGa1‑aN材料；P2：将第一温度T1降低至第二温度T2，在温度变化的过程中停止或继续InbGa1‑bN材料的生长；P3：在第二温度T2下，生长阱层材料IncGa1‑cN材料；P4：将第二温度T2升温至第三温度T3，在温度变化的过程中保持IndGa1‑dN材料的生长；P5：在第三温度T3下，生长垒层材料IneGa1‑eN材料；依序重复P2至P5的操作，重复次数N≥1。所述方法通过将切换阱层材料和垒层材料生长条件的过程设置成一个生长温度变化且保持材料生长的过程，有利于提高多量子阱的阱/垒两种材料间存在的异质界面质量，还有利于维持阱层材料中的In组分在较高水平，进而有利于提高器件的性能。 | ||||||
| 10 | 量子阱阱宽的光学测量方法及应用 | CN202310374804.7 | 2023-04-10 | CN116295036A | 2023-06-23 | 韩厦; 宋文涛; 陈科蓓; 徐科 |
| 本发明公开了一种量子阱阱宽的光学测量方法及应用，该方法包括以下步骤：获取无激光照射时，待测目标对入射偏振光的第一反射信号；获取有激光照射时，所述待测目标对所述入射偏振光的第二反射信号，其中所述激光的能量大于所述待测目标的带隙；基于所述第一反射信号和第二反射信号，确定所述待测目标在带隙的吸收尾区域内各吸收峰的平均能量间距；基于所述平均能量间距，计算所述待测目标的量子阱阱宽。该方法能够在对测量样品不进行制样的基础上，降低测量过程的时间周期，提高测量结果的准确率。 | ||||||
| 11 | 非平面锗量子阱装置 | CN201080059031.4 | 2010-11-18 | CN102656699B | 2016-05-04 | R.皮拉里塞蒂; J.T.卡瓦列罗斯; W.雷奇马迪; U.沙; B.楚-孔; M.拉多沙夫耶维奇; N.穆克赫吉; G.德维; B.Y.金; R.S.乔 |
| 公开用于形成非平面锗量子阱结构的技术。具体来说，量子阱结构能够采用IV或III-V族半导体材料来实现，并且包括锗鳍式结构。在一个示例情况下，提供一种非平面量子阱装置，该装置包括具有衬底(例如硅上的SiGe或GaAs缓冲部分)、IV或III-V材料势垒层(例如SiGe或GaAs或AlGaAs)、掺杂层(例如δ掺杂/调制掺杂)和未掺杂锗量子阱层的量子阱结构。未掺杂锗鳍式结构在量子阱结构中形成，并且顶部势垒层在鳍式结构之上沉积。栅金属能够跨鳍式结构来沉积。漏区/源区能够在鳍式结构的相应端部形成。 | ||||||
| 12 | 硅锗量子阱发光二极管 | CN200980161152.7 | 2009-09-25 | CN102484174B | 2015-12-16 | 亚历山大·M·布拉托科夫斯基; 维亚切斯拉夫·约瑟波夫 |
| 一种硅锗量子阱发光二极管(120)。所述发光二极管(120)包括：p型掺杂部分(410)、量子阱部分(420)和p型掺杂部分(430)。所述量子阱部分(420)设置在所述p型掺杂部分(410)和所述n型掺杂部分(430)之间。所述量子阱部分(420)包括载流子限制区，所述载流子限制区被配置为促使使用电子(314)和被限制在所述载流子限制区内的空穴(324)的直接复合(340)所产生的光(344)发射来发光。所述p型掺杂部分(410)包括硅锗的第一合金，并且所述n型掺杂部分(430)包括硅锗的第二合金。 | ||||||
| 13 | 基于锗的量子阱器件 | CN201080060555.5 | 2010-12-09 | CN102687273B | 2015-05-20 | R·皮尔拉瑞斯帝; B-Y·金; B·楚-昆古; M·V·梅茨; J·T·卡瓦利罗斯; M·拉多萨佛杰维科; R·科托尔亚; W·瑞驰梅迪; N·穆克赫吉; G·德威; R·乔 |
| 一种量子阱晶体管具有锗量子阱沟道区。含硅的蚀刻停止层提供栅电介质接近沟道的容易放置。III-V族势垒层对沟道增加应变。沟道区之上和之下的缓变硅锗层改进了性能。多种栅电介质材料允许使用高k值栅电介质。 | ||||||
| 14 | 量子阱电致发光装置 | CN201210442265.8 | 2012-11-07 | CN103812005A | 2014-05-21 | 耿振民 |
| 一种量子阱电致发光装置，包括半导体本体(1)，该半导体本体具有表面发射性的包括垂直发射极层(3)，设置用于光学抽运所述垂直发射极层(3)的抽运源(4)，所述抽运源（4）具有抽运层（5），在所述抽运层（5）和发射极层（3）之间具有防护层（19），所述抽运层（5）与垂直发射极层（3）之间在垂直方向上的距离为所述防护层(19)的厚度的2-3倍，在防护层和发射极层之间具有波导层，所述波导层14包含铝-镓-砷化物，其中铝浓度大约为2-4％。 | ||||||
| 15 | 基于锗的量子阱器件 | CN201080060555.5 | 2010-12-09 | CN102687273A | 2012-09-19 | R·皮尔拉瑞斯帝; B-Y·金; B·楚-昆古; M·V·梅茨; J·T·卡瓦利罗斯; M·拉多萨佛杰维科; R·科托尔亚; W·瑞驰梅迪; N·穆克赫吉; G·德威; R·乔 |
| 一种量子阱晶体管具有锗量子阱沟道区。含硅的蚀刻停止层提供栅电介质接近沟道的容易放置。III-V族势垒层对沟道增加应变。沟道区之上和之下的缓变硅锗层改进了性能。多种栅电介质材料允许使用高k值栅电介质。 | ||||||
| 16 | LED外延量子阱生长方法 | CN202110117461.7 | 2021-01-28 | CN112941490B | 2023-08-01 | 徐平; 周孝维 |
| 本申请公开了一种LED外延量子阱生长方法，依次包括：处理衬底、生长低温GaN缓冲层、生长非掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长多量子阱层、生长AlGaN电子阻挡层、生长掺杂Mg的P型GaN层，降温冷却，其中生长多量子阱层依次包括进行掺In预处理、生长InGaN阱层、Ga2O3预生长、生长Ga2O3层、退火处理、生长InxAlyMg(1‑x‑y‑z)Nz层以及生长GaN垒层的步骤。本发明通过采用新的多量子阱层生长方法来提升量子阱材料质量，具体是提升外延片材料的晶格周期性以及材料界面特性，从而提高LED的性能。 | ||||||
| 17 | 多量子阱红外探测器 | CN201810062706.9 | 2018-01-23 | CN110071185B | 2022-08-02 | 孙令; 王禄; 马紫光; 江洋; 王文新; 贾海强; 陈弘 |
| 本发明涉及多量子阱红外探测器。根据一实施例，一种多量子阱红外探测器可包括：第一半导体层，其具有第一导电类型；第二半导体层，其具有第二导电类型，所述第二导电类型不同于所述第一导电类型；以及多量子阱层，设置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间，所述多量子阱层包括交替设置的至少一个量子阱层和至少两个势垒层，每个量子阱层插入在两个相邻的势垒层之间，其中，所述量子阱层的E1能级高于所述势垒层的价带，并且所述量子阱层具有足够大的厚度以使得其吸收峰在3μm以上。本发明的多量子阱红外探测器能实现中波红外探测，因此具有广泛的应用前景。 | ||||||
| 18 | LED外延量子阱生长方法 | CN202110117461.7 | 2021-01-28 | CN112941490A | 2021-06-11 | 徐平; 周孝维 |
| 本申请公开了一种LED外延量子阱生长方法，依次包括：处理衬底、生长低温GaN缓冲层、生长非掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长多量子阱层、生长AlGaN电子阻挡层、生长掺杂Mg的P型GaN层，降温冷却，其中生长多量子阱层依次包括进行掺In预处理、生长InGaN阱层、Ga2O3预生长、生长Ga2O3层、退火处理、生长InxAlyMg(1‑x‑y‑z)Nz层以及生长GaN垒层的步骤。本发明通过采用新的多量子阱层生长方法来提升量子阱材料质量，具体是提升外延片材料的晶格周期性以及材料界面特性，从而提高LED的性能。 | ||||||
| 19 | 多量子阱红外探测器 | CN201810062706.9 | 2018-01-23 | CN110071185A | 2019-07-30 | 孙令; 王禄; 马紫光; 江洋; 王文新; 贾海强; 陈弘 |
| 本发明涉及多量子阱红外探测器。根据一实施例，一种多量子阱红外探测器可包括：第一半导体层，其具有第一导电类型；第二半导体层，其具有第二导电类型，所述第二导电类型不同于所述第一导电类型；以及多量子阱层，设置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间，所述多量子阱层包括交替设置的至少一个量子阱层和至少两个势垒层，每个量子阱层插入在两个相邻的势垒层之间，其中，所述量子阱层的E1能级高于所述势垒层的价带，并且所述量子阱层具有足够大的厚度以使得其吸收峰在3μm以上。本发明的多量子阱红外探测器能实现中波红外探测，因此具有广泛的应用前景。 | ||||||
| 20 | 一种稀铋半导体量子阱 | CN201710356260.6 | 2017-05-16 | CN107123714B | 2019-05-03 | 岳丽; 王庶民; 张焱超; 潘文武; 王利娟 |
| 本发明提供了一种稀铋半导体量子阱，从下到上依次包括：下势垒层、含有铋元素的量子阱层和上势垒层；在稀铋量子阱层中间设有n型δ掺杂层，量子阱层的材料为GaXBi，下势垒层与上势垒层材料相同，为AlGaX或GaX，δ掺杂层的材料为S，Si，Se或Te，X为N，P，As，Sb。本发明引入δ掺杂层，有效扩展发光波长，与传统的通过增加Bi的含量扩展发光波长的GaAsBi量子阱相比，δ掺杂层的引入并没有增加材料的缺陷密度，而是使得量子阱对电子的束缚作用增强，不会降低发光强度，这对于扩展稀铋光电器件应用范围和提高器件性能都有重要的作用。 | ||||||
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