| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 141 | 形成具有量子阱沟道的非平面晶体管 | CN200880006179.4 | 2008-03-21 | CN101681924A | 2010-03-24 | C·O·徐; P·马吉; W·蔡; J·卡瓦列罗斯 |
| 在一个实施例中，本发明包括一种设备，所述设备具有：衬底；形成于所述衬底上的掩埋氧化物层；形成于所述掩埋氧化物层上的绝缘体上硅(SOI)内核；包覆在SOI内核周围的压缩应变量子阱(QW)层；以及包覆在QW层周围的拉伸应变硅层。还描述其他实施例并主张其权利。 | ||||||
| 142 | 多重光散射耦合的量子阱红外探测器 | CN200710171905.5 | 2007-12-07 | CN100580923C | 2010-01-13 | 李志锋; 陆卫; 熊大元; 陈效双; 李宁; 甄红楼; 张波; 陈平平; 李天信 |
| 本发明公开了一种多重光散射耦合的量子阱红外探测器，该探测器由衬底层，依次逐层生长的下电极层、50个周期的多量子阱层、上电极层，在上电极层上有一浸没在有机粘胶剂中的金属小球或表面镀有金属的小球所形成的列阵层，列阵层上有一金属接触层，金属接触层上有一通过倒装焊接互连的读出电路，实现探测信号的读出。本发明的优点是：1.金属小球列阵取代了传统的光栅，通过金属小球之间的多重光散射产生能够被量子阱子带跃迁吸收的电矢量，该电矢量平行于量子阱层的分量，完成正入射光对量子阱的耦合。2.由金属小球列阵替代了传统的倒焊互连的铟柱，形成各向异性导电层，完成导电功能。由于以上特点，一方面能够提高正入射光的耦合效率，另一方面省去了铟柱的生长，简化了倒焊工艺。 | ||||||
| 143 | 一种雪崩放大长波量子阱红外探测器 | CN200910040620.7 | 2009-06-26 | CN101599512A | 2009-12-09 | 孙鲁; 江灏 |
| 本发明公开了一种雪崩放大长波量子阱红外探测器，包括InP衬底(1)及通过分子束外延或金属有机化学气相沉积依次生长于InP衬底(1)上的下电极(2)、多个周期的多量子阱层(3)、上电极(4)，所述多个周期的多量子阱层(3)中InP作为势垒层，InxGa1－xAsyP1－y作为量子阱层，当器件工作时，在InxGa1－xAsyP1－y量子阱层可以产生雪崩放大。本发明增强探测器的量子效率，提高器件的响应率，实现对长波红外光的探测。 | ||||||
| 144 | 光伏型多量子阱红外探测器 | CN200710171387.7 | 2007-11-30 | CN100541832C | 2009-09-16 | 陆卫; 王文娟; 甄红楼; 李天信; 陈平平; 张波; 李宁; 李志锋; 陈效双 |
| 本发明公开了一种光伏型多量子阱红外探测器，该探测器由SOI晶片，键合在SOI晶片上的光导型多量子阱红外探测器组成。所说的SOI晶片是一种通过高能粒子辐照处理后，在埋氧层中产生固定电荷的晶片。所说的光导型多量子阱红外探测器为GaAs/AlGaAs、GaAs/InGaAs或Si/GeSi多量子阱红外探测器。本发明的优点在于：该探测器不仅具备了光导型多量子阱红外探测器的基本优越性能，同时也解决了光导探测器暗电流较大的缺陷，从而进一步提高了器件的性能。同时，器件的制备也比较简单、易于操作。 | ||||||
| 145 | 多重光散射耦合的量子阱红外探测器 | CN200710171905.5 | 2007-12-07 | CN101188234A | 2008-05-28 | 李志锋; 陆卫; 熊大元; 陈效双; 李宁; 甄红楼; 张波; 陈平平; 李天信 |
| 本发明公开了一种多重光散射耦合的量子阱红外探测器，该探测器由衬底层，依次逐层生长的下电极层、50个周期的多量子阱层、上电极层，在上电极层上有一浸没在有机粘胶剂中的金属小球或表面镀有金属的小球所形成的列阵层，列阵层上有一金属接触层，金属接触层上有一通过倒装焊接互连的读出电路，实现探测信号的读出。本发明的优点是：1.金属小球列阵取代了传统的光栅，通过金属小球之间的多重光散射产生能够被量子阱子带跃迁吸收的电矢量，该电矢量平行于量子阱层的分量，完成正入射光对量子阱的耦合。2.由金属小球列阵替代了传统的倒焊互连的铟柱，形成各向异性导电层，完成导电功能。由于以上特点，一方面能够提高正入射光的耦合效率，另一方面省去了铟柱的生长，简化了倒焊工艺。 | ||||||
| 146 | 光伏型多量子阱红外探测器 | CN200710171387.7 | 2007-11-30 | CN101170148A | 2008-04-30 | 陆卫; 王文娟; 甄红楼; 李天信; 陈平平; 张波; 李宁; 李志锋; 陈效双 |
| 本发明公开了一种光伏型多量子阱红外探测器，该探测器由SOI晶片，键合在SOI晶片上的光导型多量子阱红外探测器组成。所说的SOI晶片是一种通过高能粒子辐照处理后，在埋氧层中产生固定电荷的晶片。所说的光导型多量子阱红外探测器为GaAs/AlGaAs、GaAs/InGaAs或Si/GeSi多量子阱红外探测器。本发明的优点在于：该探测器不仅具备了光导型多量子阱红外探测器的基本优越性能，同时也解决了光导探测器暗电流较大的缺陷，从而进一步提高了器件的性能。同时，器件的制备也比较简单、易于操作。 | ||||||
| 147 | 量子阱混合器件中接触电阻的控制 | CN03816230.X | 2003-05-21 | CN100353501C | 2007-12-05 | 斯蒂芬·纳杰达; 斯图尔特·D·麦克杜格尔; 刘雪峰 |
| 一种在半导体器件结构中执行量子阱混合的方法，使用盖层的牺牲部分以将该盖层表面恢复到高性能接触仍然是可能的状态，其中该盖层的牺牲部分在QWI工艺后被除去。该方法包括：a)形成包括掺杂盖层的层状量子阱结构；b)在所述盖层上形成蚀刻终止层；c)在所述蚀刻终止层上形成牺牲层，当经受预定蚀刻条件时，所述蚀刻终止层具有基本上低于所述牺牲层的蚀刻速率；d)对该器件结构进行量子阱混合工艺，该工艺使至少部分牺牲层产生明显的损坏；e)在该器件的至少接触区域中，利用针对该蚀刻终止层具有选择性的蚀刻工序除去牺牲层，以暴露该接触区域中的所述蚀刻终止层；及f)在至少所述接触区域内在层状量子阱结构上形成接触。 | ||||||
| 148 | 窄带光谱响应的量子阱红外探测器 | CN02136721.3 | 2002-08-29 | CN1399351A | 2003-02-26 | 陆卫; 甄红楼; 李宁; 徐向晏; 李志锋; 陈效双 |
| 本发明提出了一种特别适合于长波与甚长波响应的高量子效率窄带光谱响应的量子阱红外探测器，包括：窄带滤光片，在窄带滤光片的一表面附着厚度为几个微米的量子阱薄层，在量子阱薄层上面还制备有一无序型光栅。其中还公开了各部分的制备过程和相关的工作模式。这类器件结构的优点是：将有效地提高器件的量子效率和工作温度，抑制器件的暗电流和背景光电流，进而大大提高器件的性能。 | ||||||
| 149 | 离子阱芯片和量子计算设备 | CN202310511602.2 | 2023-05-08 | CN116596077A | 2023-08-15 | 刘红喜; 周卓俊; 韩琢; 罗乐 |
| 本发明公开了离子阱芯片和量子计算设备，其中，离子阱芯片包括：非导电衬底；射频电极，布置在所述非导电衬底的上表面；两组直流电极，布置在所述非导电衬底的上表面且对称地分布在所述射频电极的两条平行布线的两侧；以及第一接地电极和第二接地电极；分别布置在所述非导电衬底的上表面和所述非导电衬底的下表面，所述第一接地电极经由设置在所述第一电极中的贯穿所述非导电衬底的金属过孔与所述第二接地电极电连接。本发明实施例提出的离子阱芯片能够减少芯片表面连接线路的使用以及提高激光射入离子囚禁区域的入射强度。 | ||||||
| 150 | 一种芯片离子阱及量子计算装置 | CN202310430242.3 | 2023-04-20 | CN116564792A | 2023-08-08 | 赵文定; 袁新星; 蔡明磊 |
| 本文公开一种芯片离子阱及量子计算装置，包括：射频(RF)电极、直流(DC)电极和孔槽；其中，一个以上RF电极的一条以上边，在距离孔槽预设距离的范围内包含一个以上内凹形状；其中，内凹形状包括：位于内凹形状两端的第一线段与和第一线段相邻的第二线段的夹角小于180度，第二线段为第一线段所在射频电极中除去内凹形状部分、与第一线段连接的线段；内凹形状两端的第二线段连接形成第三线段，内凹形状中的点均位于第三线段靠近RF电极中心的一侧。本发明实施例通过RF电极包含的内凹形状，抑制了芯片离子阱中发生电场的畸变，提升了离子阱的轴向一致性，为提高量子计算相关操作的保真度和量子计算机整体性能提供支持。 | ||||||
| 151 | 一种测量量子阱材料吸收系数的方法 | CN202310438492.1 | 2023-04-21 | CN116465844A | 2023-07-21 | 全知觉; 朱珊珊; 曹盛; 高江东; 王立 |
| 本发明公开了一种测量量子阱材料吸收系数的方法，该方法包括：（1）在衬底上生长含量子阱结构的外延层；（2）获得量子阱层的总厚度；（3）将外延片制备成样品，并获得样品中外延层的上、下界面的反射率；（4）测试得到量子阱结构内产生的光生载流子被100%收集时的外量子效率曲线，根据外量子效率曲线，分析剥离出仅为量子阱结构光响应的内量子效率曲线；（5）求解吸收系数与内量子效率、反射率、量子阱层的总厚度的关系式得到吸收系数。本方法为获得量子阱材料的吸收系数提供了途径，具有简单实用、对衬底材料无要求、准确度高等优点，避免了传统椭偏法不适用于测量量子阱结构和透射法要求衬底透明的缺点，对于器件设计具有重要意义。 | ||||||
| 152 | 一种离子阱及量子计算装置 | CN202310504025.4 | 2023-05-06 | CN116434999A | 2023-07-14 | 毛志超; 姚麟; 连文倩 |
| 本文公开一种离子阱及量子计算装置，包括：真空腔体、离子囚禁装置和粒子束发生装置；其中，粒子束发生装置设置于预设法兰接口位置，用于：沿非光学法兰接口方向喷射粒子束；其中，粒子束包括：原子束或离子束；非光学法兰接口方向包括离子阱真空腔体上预设法兰接口的法线方向；预设法兰接口包括：真空法兰接口和电学法兰接口。本发明实施例通过在预设法兰接口位置设置粒子束发生装置，使粒子束沿非光学法兰接口方向喷射，使电离激光得以垂直于粒子束入射，实现了对多普勒频移与多普勒展宽的抑制。 | ||||||
| 153 | 多量子阱结构中的蚀刻面 | CN201980089910.2 | 2019-11-21 | CN113330581B | 2022-07-22 | P·阿皮拉蒂库尔; 达米安·兰贝特 |
| 示例性多量子阱结构可以包括具有形成在硅平台中的凹坑的硅平台、位于凹坑内的芯片、形成在芯片中的第一波导和形成在硅平台中的第二波导。凹坑可以至少部分地由侧壁和基部限定。芯片可以包括第一侧面和在第一侧面中的第一凹槽。第一侧面可以部分地由第一解理或切割面限定。第一凹槽可以部分地由第一蚀刻面限定。第一波导可以被配置为引导光束穿过第一蚀刻面。第二波导可以被配置为引导光束穿过侧壁。第二波导可以与第一波导光学对齐。 | ||||||
| 154 | 激光合束系统和离子阱量子计算系统 | CN202210255135.7 | 2022-03-16 | CN114353939B | 2022-06-10 | 刘志超 |
| 本申请公开了一种激光合束系统。激光合束系统包括：合束器件、调节器件、分束器件、光功率监测器件和应用器件。激光合束系统通过合束器件将不同光路的激光合束成一路光束，再通过调节器件调节激光中不同方向的偏振光的比例，最后通过分束器件利用调节后激光的偏振特性进行分束，以同时满足光功率监测器件监测条件和应用器件的入阱条件。使原本需要在每一光路上都安装一个光功率监测器件变成只需要一个光功率监测器件就能同时监测多路激光脉冲，节省了硬件空间和成本。本申请还提供一种离子阱量子计算系统。 | ||||||
| 155 | 量子阱场效应晶体管及其制造方法 | CN202080064602.7 | 2020-06-26 | CN114402439A | 2022-04-26 | M·J·曼弗拉; C·F·托马斯 |
| 量子阱场效应晶体管(QWFET)包括阻挡层、量子阱层和间隔层。量子阱层在阻挡层上。阻挡层和间隔层包括未掺杂的锑化铝铟。量子阱层包括锑化铟。间隔层在量子阱层上。量子阱层和间隔层在源极触点与漏极触点之间。栅极触点在介电层上，介电层在间隔层上。通过将阻挡层和间隔层设置为未掺杂的层，可以改善QWFET的性能。 | ||||||
| 156 | 一种量子阱结构、LED芯片及制作方法 | CN202111462290.8 | 2021-12-02 | CN114156382A | 2022-03-08 | 聂虎臣; 崔晓慧; 霍丽艳; 刘兆 |
| 本发明提供了一种量子阱结构、LED芯片及制作方法，该量子阱结构包括了多个量子阱叠层，该量子阱叠层包括了InyGa1‑yN层、超晶格治疗层、以及GaN层，其中超晶格治疗层又包括了InN层、以及InxGa1‑xN层。由于InN层、以及InxGa1‑xN层中In的迁移率偏高，能有效补偿量子阱结构的InyGa1‑yN层中受热分解的InN空位，修复InyGa1‑yN层的晶格缺陷，同时改善InyGa1‑yN层中In的偏析和富集现象，使得In的组分分布均匀，为后续的GaN生长提供了一个质量良好且清晰的界面，减少了InyGa1‑yN层和GaN层由于晶格失配产生的应力，从而提升了波长均匀性和内量子效率。 | ||||||
| 157 | 激光端面的量子阱钝化结构 | CN201910602599.9 | 2019-07-05 | CN110718850B | 2022-01-11 | 亚伯兰; 雅库维奇 |
| 本发明公开了一种包含由半导体材料（如硅、锗或锑）的交替薄层和介质势垒层组成的量子阱钝化结构的边缘发射激光二极管。半导体层足够薄以形成量子阱，介电层在相邻量子阱之间起着势垒的作用。与表面相邻的半导体层由晶体材料形成，其余的量子阱由非晶材料形成。该结构和形成该结构的方法使的该结构比使用基体（bulk）（厚的）硅钝化层的器件显示出更高的COD水平。 | ||||||
| 158 | 使用量子阱混合技术的激光架构 | CN202111039817.6 | 2018-09-25 | CN113725725A | 2021-11-30 | A·毕斯姆托; M·A·阿伯雷; R·M·奥代特 |
| 本公开涉及使用量子阱混合技术的激光架构。本发明公开了一种包括多个条纹的激光器芯片，其中激光条纹可利用初始光学增益分布来生长，并且其光学增益分布可通过使用混合工艺来偏移。这样，可在同一个激光器芯片上从相同的外延晶片形成多个激光条纹，其中至少一个激光条纹可具有相对于另一个激光条纹偏移的光学增益分布。例如，每个激光条纹可相对于其相邻激光条纹具有偏移的光学增益分布，从而每个激光条纹可发射具有不同波长范围的光。激光器芯片可在宽泛的波长范围内发射光。本公开的示例还包括具有不同混合量的给定激光条纹的不同区域。 | ||||||
| 159 | 多量子阱结构中的蚀刻面 | CN201980089910.2 | 2019-11-21 | CN113330581A | 2021-08-31 | P·阿皮拉蒂库尔; 达米安·兰贝特 |
| 示例性多量子阱结构可以包括具有形成在硅平台中的凹坑的硅平台、位于凹坑内的芯片、形成在芯片中的第一波导和形成在硅平台中的第二波导。凹坑可以至少部分地由侧壁和基部限定。芯片可以包括第一侧面和在第一侧面中的第一凹槽。第一侧面可以部分地由第一解理或切割面限定。第一凹槽可以部分地由第一蚀刻面限定。第一波导可以被配置为引导光束穿过第一蚀刻面。第二波导可以被配置为引导光束穿过侧壁。第二波导可以与第一波导光学对齐。 | ||||||
| 160 | 一种铝量子阱激光器及其制备方法 | CN202110628970.6 | 2021-06-07 | CN113078553A | 2021-07-06 | 张海超; 穆瑶; 师宇晨; 李马惠; 潘彦廷 |
| 本发明公开一种铝量子阱激光器及其制备方法，制备方法包括以下步骤：采用多硫化铵溶液处理刻蚀面上的氧化物，并生成硫化物保护层；采用金属有机气相沉积在InP基板表面依次生长波导层和第三InP层，在金属有机气相外延沉积生长前的升温过程中，烘烤刻蚀面使硫化物保护层的硫原子解吸附，生成硫单质随载气升华。此解决含铝量子阱激光器刻蚀面氧化问题的发明的工艺，与传统的钝化技术相比，成本低，工艺简单，稳定性强。 | ||||||
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