| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 61 | 一种圆二色性的测量装置 | CN201120423710.7 | 2011-10-30 | CN202305394U | 2012-07-04 | 董玉芬; 许再宏; 张丽; 丁学勤; 缪其中 |
| 本实用新型涉及测量设备技术领域，尤其是涉及一种圆二色性的测量装置，本实用新型包括依次设置的光源、样品盒、检偏器以及光电检测器件，光源与样品盒之间设有机械式椭圆调制器，机械式椭圆调制器、光源、样品盒、检偏器以及光电检测器件均通过控制装置调节测量，通过机械式椭圆调制器能产生的椭圆偏振光，光能够抵消因被测样品参比浓度太高对左右圆偏振光的不同吸收而引起的椭圆光，椭圆光被完全抵消时就出现消失，从而测试出样品的真是数据，故具有在测量过程中受样品的参比浓度影响小的特点，另外，机械式椭圆调制器、光源、样品盒、检偏器以及光电检测器件均通过控制装置调节测量，这样会在测量时便于控制、测量方便快捷准确、重复性好。 | ||||||
| 62 | 手性超表面和激子强耦合最大化圆二色性参数优化方法及结构 | CN202210410992.X | 2022-04-19 | CN114839703B | 2023-06-16 | 赵文娟; 刘绍鼎; 张强; 郑海燕; 白雅婷 |
| 本发明属于微纳光学、超材料技术领域，手性纳米结构的手性响应由其结构和材料特性决定，其结构的辐射损耗和非辐射损耗都是确定的，缺乏可调节性和主动调控的手段，本发明提供一种手性超表面和分子激子强耦合最大化圆二色性参数优化方法及结构，手性超表面的手性模式和激子模式发生强耦合效应，会出现模式劈裂的现象。通过调节本发明的超表面结构的尺寸和分子激子的响应参数实现劈裂模式辐射损耗和非辐射损耗的匹配，达到严格耦合区域，实现对杂化结构劈裂的两个模式的圆二色性增强和调控。本发明在圆二色性谱中能够清晰地分辨出两个圆二色性峰位置就是两个劈裂的频率位置，为整个杂化系统的强耦合效应的模式劈裂分析提供了直观的数据。 | ||||||
| 63 | 基于嵌套双螺旋面形的圆二色性超透镜结构及其制备方法 | CN202110087341.7 | 2021-01-22 | CN112799157A | 2021-05-14 | 王晨乾; 王钦华 |
| 本发明公开了基于嵌套双螺旋面形的圆二色性超透镜结构及其制备方法，包括基底，基底上端固定设置有PMMA支撑层，PMMA支撑层端面设有镀金层，镀金层厚度相同，PMMA支撑层由内螺旋面与外螺旋面构成，清洗基片，清洗干净后用胶水粘合在样品支架上，采用三维建模软件设计超透镜，导入直写系统进行直写加工，取出样品进行显影，然后吹干，采用电子束蒸发技术，得到成品。本发明的有益效果：在同样的左旋光入射条件下，基于内外嵌套双螺旋面形结构的圆二色性超透镜的焦点强度是基于普通单螺旋面结构的圆二色性超透镜的焦点强度的10倍，本发明可以使光入射时干涉相长产生较大的圆偏振转化，有效提高了有效聚焦能量的占比，提升了聚焦效率。 | ||||||
| 64 | 一种强吸收圆二色性的单层三折孔纳米薄膜及其制备方法 | CN201810367398.0 | 2018-04-23 | CN108415116B | 2021-01-15 | 张中月; 冯晓钰; 王菲; 赵文静 |
| 本发明具体涉及一种强吸收圆二色性的单层三折孔纳米薄膜及其制备方法，该单层三折孔纳米薄膜由多个相同的纳米单元上下、左右组合构成，且呈单层手性结构，纳米单元的横截面为正方形，所述纳米单元上开设有三折孔，三折孔具有手性特征，且三折孔的长度方向与正方形的边长平行。该单层三折孔纳米薄膜的制备方法，包括甩胶后烘、曝光、显定影后烘、真空镀膜、溶胶后吹干步骤，比现有的三层、两层纳米薄膜的制备方法更简单，且该单层三折孔纳米薄膜实现强吸收圆二色性，且信号分布在可见光波段，利于信号的探测。 | ||||||
| 65 | 基于等离子-声子共振耦合的可调圆二色性结构及系统 | CN202010641053.7 | 2020-07-06 | CN111751287A | 2020-10-09 | 不公告发明人 |
| 本发明涉及基于等离子-声子共振耦合的可调圆二色性结构及系统，具体而言，涉及微纳结构领域。本发明提供的基于等离子-声子共振耦合的可调圆二色性结构包括：基底和多个结构单元，多个结构单元周期设置在基底的一侧，每个结构单元包括：金属层、金属棒和纳米孔；金属层上挖设纳米孔，金属棒设置在纳米孔内部，且金属棒与纳米孔的对称轴重合，纳米孔内部填充分子溶液。当圆偏振光照射该可调圆二色性结构时，金属层与金属棒表现出表面等离子体共振模式，分子溶液则提供声子共振模式，由于不同的分子溶液引发的声子共振模式不同，则该纳米孔内部填充不同的分子溶液，会导致引起等离子-声子共振耦合的改变，进而实现调控圆二色性信号。 | ||||||
| 66 | 高性能表面增强手性光学响应的圆偏振二色性器件及方法 | CN201910598746.X | 2019-07-04 | CN110261951A | 2019-09-20 | 齐继伟; 曹力元; 孙骞; 吴强; 陈靖; 陈宗强; 许京军 |
| 本发明公开了一种高性能表面增强手性光学响应的圆偏振二色性器件及方法。本发明采用基底的表面具有倾斜角进行离子束溅射贵金属，垂直于基底表面的掩膜微球的投影区域内也部分溅射有贵金属薄膜，以掩膜微球作为掩膜版，对没有被掩膜微球覆盖的贵金属薄膜的区域进行刻蚀，相邻掩膜微球之间裸露在外的贵金属薄膜被刻蚀掉，垂直于基底表面的掩膜微球的投影区域内的贵金属保留下来，去除掩膜微球，得到形成在基底上的金属新月阵列；本发明的金属新月阵列的周期可控，大面积、低成本、均匀、环保、巨大圆二色光学活性、响应波段可调等优点，满足理论研究和实际应用的需要；本发明为手性光学的理论研究和实际应用提供了强大工具和坚实基础。 | ||||||
| 67 | 一种双F型纳米孔阵列及其调控圆二色性的方法 | CN201811490970.9 | 2018-12-07 | CN109298549A | 2019-02-01 | 刘凯; 王天堃; 冯晓钰 |
| 本发明涉及微纳光学领域，具体涉及一种双F型纳米孔阵列及其调控圆二色性的方法，该双F型纳米孔阵列由多个金属纳米单元结构按矩形周期阵列拼接构成，所述每个金属纳米单元结构由矩形金属纳米薄膜制成，其矩形金属纳米薄膜的中间形成中心对称的双F型纳米孔。由于左右旋圆偏振光照射在该结构上，产生的电场强度不同，导致了大的圆二色性出现，其中圆二色性最大达到了41％，并且该申请提出了基于双F型纳米孔阵列调控圆二色性的方法，该调控方法通过在结构中设置二氧化钒相变材料，改变结构所处的环境温度来调控圆二色性的大小，方法简单可行，节省资源，易于操作。 | ||||||
| 68 | 一种实现圆二色性的手性金属纳米结构及其制备方法 | CN201610295423.X | 2016-05-06 | CN105967143B | 2017-12-08 | 张中月; 王刚 |
| 本发明公开了一种实现圆二色性的手性金属纳米结构及其制备方法，所述制备是以聚苯乙烯小球为基底的模板上按顺时针或逆时针方向旋转交替蒸镀A、B两种材料，形成一个AB交替的螺旋结构；其中，所述A为绝缘体材料，所述B为金属材料。通过光的正入射和或斜入射测量证明该手性的金属纳米结构具有较大的圆二色性；本发明提供的技术方案操作简单，且测量信号更加精确；用本发明技术方案制备的手性的金属纳米结构材料，可以应用于生物监测,对映体传感,偏振转换和光电子的圆偏振器。 | ||||||
| 69 | 用于真空紫外或更短波长圆二色性光谱学的方法和设备 | CN201280035435.9 | 2012-07-13 | CN103688154B | 2016-11-09 | P·沃尔什; A·T·海依士; D·A.·哈瑞森 |
| 用于真空紫外（VUV）或更短波长圆二色性光谱学的方法和设备。一种高效真空紫外圆二色性分光计被提供；该分光计适合于实验室使用或用于综合进同步加速器辐射设施的射束线中。在一个实施例中，光谱圆二色性仪器被提供；该仪器被这样配置，以便使圆二色性数据能对光的多种波长同时被获得。该仪器还可以被配置成在至少一部分真空紫外波长区中操作。 | ||||||
| 70 | 全介质超薄二维圆偏振二色性器件及其制备方法 | CN201610469385.5 | 2016-06-25 | CN105954826A | 2016-09-21 | 胡敬佩; 王钦华; 赵效楠; 朱爱娇; 林雨; 曹冰 |
| 本发明提供了一种全介质超薄二维圆偏振二色性器件及其制备方法，能够实现直接产生圆偏振光和区分左右旋圆偏振光的作用。该结构包括基底与覆盖于基底之上刻蚀在介质层中的Z型通孔；本发明的起偏器在1.50μm‑1.61μm波段圆二色性平均在70%以上，在1.53μm处圆二色性最高可达到98.3%，并具波段较宽，结构简单，易于制作的特点，在以后的光学传感系统、先进的纳米光子器件以及集成光学系统中，具有很大的应用价值。 | ||||||
| 71 | 用于真空紫外或更短波长圆二色性光谱学的方法和设备 | CN201280035435.9 | 2012-07-13 | CN103688154A | 2014-03-26 | P·沃尔什; A·T·海依士; D·A.·哈瑞森 |
| 用于真空紫外（VUV）或更短波长圆二色性光谱学的方法和设备。一种高效真空紫外圆二色性分光计被提供；该分光计适合于实验室使用或用于综合进同步加速器辐射设施的射束线中。在一个实施例中，光谱圆二色性仪器被提供；该仪器被这样配置，以便使圆二色性数据能对光的多种波长同时被获得。该仪器还可以被配置成在至少一部分真空紫外波长区中操作。 | ||||||
| 72 | 圆偏振光二色性光学元件及其装置和液晶聚合物 | CN97190737.4 | 1997-03-03 | CN1109902C | 2003-05-28 | 本村弘则; 泉今日子; 中野秀作; 望月周 |
| 一种具有由格氏取向的胆甾醇型液晶相构成的液晶聚合物固定化层的圆偏振光二色性光学元件及其装置，以及由至少两种特殊的丙烯酸类单体单元构成的共聚物作为构成成分的液晶聚合物。 | ||||||
| 73 | 一种基于强化学习的圆二色性超表面及设计、制备方法 | CN202311857884.8 | 2023-12-29 | CN117894399A | 2024-04-16 | 王晨乾; 王钦华 |
| 本发明涉及一种基于强化学习的圆二色性超表面及设计、制备方法。将神经网络与遗传算法相结合，针对像素式二维平面拓扑单连通结构采用强化学习算法，能快速针对红外波段范围内的宽带特定透射圆二色性光谱逆向设计，反演得到二维超表面的微纳结构单元，有效提高设计的效率。本发明采用二维平面拓扑单连通结构，可在最大范围内拓展设计的自由度，并规避设计中出现的杂点。本发明技术方案提供的设计方法，其带宽和设计自由度均有较大提升，适应于包括宽带窄带的多种目标设计，且设计速度较快，基于电脑配置可在一到数分钟内完成结构的迭代优化，得到目标条件下最优的微纳结构单元，在横向二维平面内周期性延拓，得到圆二色性超表面。 | ||||||
| 74 | 一种具有高透射和圆二色性的功能集成超材料装置 | CN202311381891.5 | 2023-10-24 | CN117310846A | 2023-12-29 | 杜健; 智婷; 陈温豪; 张涵斌; 汪金; 薛俊俊 |
| 本发明公开了一种具有高透射和圆二色性的功能集成超材料装置，包括呈阵列结构排列的多个不同旋转取向角的超材料单元；所述超材料单元包括呈十字形中心部和两个半圆形延伸部；十字形中心部包括竖直交叉呈十字形的横轴和纵轴，两个半圆形延伸部的其中一端分别连接在纵轴的两个端部上，另一端分别向横轴的两个端部方向延伸。本发明采用的超材料单元在蓝光范围内的460nm处实现了0.99的透射或反射和CD值；另外，采用几何相位延迟的方式设计单元结构的排布可以实现如异常折射、聚焦、全息图等不同的功能。 | ||||||
| 75 | 一种AgNR/SiO2NR/AgNR三维结构宽光谱圆二色性响应基底及其制备方法 | CN202310047493.3 | 2023-01-31 | CN116008187A | 2023-04-25 | 韩彩芹; 曹子金; 闫长春 |
| 本发明公开了一种AgNR/SiO2NR/AgNR三维结构宽光谱圆二色性响应基底及其制备方法，该方法首先利用时域有限差分算法模拟软件，对三维结构宽光谱圆二色性进行三维空间结构的模拟仿真并计算圆二色性；通过掠射角沉积技术制备出相应的AgNR/SiO2NR/AgNR三维结构宽光谱圆二色性阵列。本发明工艺简单，所得到的响应基底能够有效发挥SiO2阻隔AgNR之间电子迁移的特性，从而实现电容结构的构造，具有独特的圆二色性特点；另外，本发明所得到的响应基底在可见光、近红外波段具有明显的宽光谱特性，可实现大规模生产，可广泛应用于有机小分子结构、DNA检测、蛋白质构相等领域。 | ||||||
| 76 | 一种铁电螺旋液晶材料及其实现二次谐波圆二色性的方法 | CN202210899828.X | 2022-07-28 | CN115268165A | 2022-11-01 | 谢晓晨; 黄明俊; 赵秀虎; 夏润立; 李金星 |
| 本发明公开一种铁电螺旋液晶材料及其实现二次谐波圆二色性的方法。本发明通过不同旋向的手性分子掺杂铁电向列相液晶得到具有超高极性螺旋结构的铁电螺旋液晶。此类液晶材料具备超强的非线性光学效应，可以激发高强度的二次谐波(比如，与LiNbO3非线性结晶材料的非线性系数相当)。本发明基于铁电螺旋液晶的螺旋极化结构，通过引入不同旋性(即，左手性与右手性)，实现在高流动性液体材料中的二次谐波圆二色性，其二次谐波各向异性因子高达2.0，在手性研究和空间极化分辨等领域具有广泛的应用前景。 | ||||||
| 77 | 手性超表面和激子强耦合最大化圆二色性参数优化方法及结构 | CN202210410992.X | 2022-04-19 | CN114839703A | 2022-08-02 | 赵文娟; 刘绍鼎; 张强; 郑海燕; 白雅婷 |
| 本发明属于微纳光学、超材料技术领域，手性纳米结构的手性响应由其结构和材料特性决定，其结构的辐射损耗和非辐射损耗都是确定的，缺乏可调节性和主动调控的手段，本发明提供一种手性超表面和分子激子强耦合最大化圆二色性参数优化方法及结构，手性超表面的手性模式和激子模式发生强耦合效应，会出现模式劈裂的现象。通过调节本发明的超表面结构的尺寸和分子激子的响应参数实现劈裂模式辐射损耗和非辐射损耗的匹配，达到严格耦合区域，实现对杂化结构劈裂的两个模式的圆二色性增强和调控。本发明在圆二色性谱中能够清晰地分辨出两个圆二色性峰位置就是两个劈裂的频率位置，为整个杂化系统的强耦合效应的模式劈裂分析提供了直观的数据。 | ||||||
| 78 | 双层螺旋线手性非对称平面超材料圆二色性器件 | CN201810665686.4 | 2018-06-26 | CN108957614B | 2021-06-29 | 蒋立勇; 梁爽; 张伟; 钱继松; 蒋剑莉 |
| 本发明公开了一种双层螺旋线手性非对称平面超材料圆二色性器件，包括衬底1、位于衬底1上部的包覆层2和圆二色性作用层3，圆二色性作用层3为一阵列结构，阵列结构由多个上下两层具有一定缩放系数的阿基米德螺旋线阵列单元构成，上、下层阿基米德螺旋线均为手性超材料，其中下层阿基米德螺旋线被所述包覆层2所包覆且包覆层2的厚度与下层阿基米德螺旋线的厚度一样，上层阿基米德螺旋线位于所述包覆层2上部。与现有的三层非对称平面超材料结构相比，本发明的双层螺旋线手性非对称平面超材料大大提高了圆二色性能，并具有全新的工作机理。本发明在分子结构探测、显示、激光、成像等生物与光电子领域具有广泛应用前景。 | ||||||
| 79 | 面向活细胞检测的太赫兹微结构圆二色性传感系统 | CN202110242369.3 | 2021-03-05 | CN112798535A | 2021-05-14 | 张子扬; 范飞; 常胜江 |
| 本发明公开了一种面向液态环境下活细胞的THz微结构圆二色性传感系统。反射式结构可以有效减弱水对THz波的吸收损耗，达到提高系统信噪比的目的；在入射端添加THz波片，使入射波在0.8THz频率附近变为圆偏振光，通过产生高Q值的THz手性光谱来进行手性传感检测；在反射系统后添加THz偏振片，通过旋转偏振片探测得到出射波的完整偏振态信息，得到圆二色性谱；此外，采用硅介质光栅作为传感器，其产生的强局域共振可以增强THz波和样品的相互作用，介质栅微结构还有增加与被测物接触面积，形成微流体通道的作用，增强了样品的光学响应，提高了传感灵敏度。实验结果显示：对于谐振强度变化和频率移动的传感灵敏度分别可达到3.4dB·mL/106cells和5.2GHz·mL/106cells量级。 | ||||||
| 80 | 双层螺旋线手性非对称平面超材料圆二色性器件 | CN201810665686.4 | 2018-06-26 | CN108957614A | 2018-12-07 | 蒋立勇; 梁爽; 张伟; 钱继松; 蒋剑莉 |
| 本发明公开了一种双层螺旋线手性非对称平面超材料圆二色性器件，包括衬底1、位于衬底1上部的包覆层2和圆二色性作用层3，圆二色性作用层3为一阵列结构，阵列结构由多个上下两层具有一定缩放系数的阿基米德螺旋线阵列单元构成，上、下层阿基米德螺旋线均为手性超材料，其中下层阿基米德螺旋线被所述包覆层2所包覆且包覆层2的厚度与下层阿基米德螺旋线的厚度一样，上层阿基米德螺旋线位于所述包覆层2上部。与现有的三层非对称平面超材料结构相比，本发明的双层螺旋线手性非对称平面超材料大大提高了圆二色性能，并具有全新的工作机理。本发明在分子结构探测、显示、激光、成像等生物与光电子领域具有广泛应用前景。 | ||||||
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