| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 1 | 圆二色性测定装置以及圆二色性测定方法 | CN201980094139.8 | 2019-07-17 | CN113574362A | 2021-10-29 | 三好有一; 近藤吉朗 |
| 不需要基于标准试样进行校准作业的圆二色性测定装置具备：试样部(4)，其具有试样；PEM(3)，其对向试样部(4)的入射光或来自试样部(4)的出射光的偏振状态进行调制；光检测器(5)，其检测来自试样部(4)的出射光的光强度的变化；放大器(7)，其放大来自光检测器(5)的检测信号；AD转换器(8)，其将由放大器(7)放大后的检测信号转换为数字信号；以及数字处理装置(10)，其对来自AD转换器(8)的数字信号进行信号处理，来获取试样的圆二色性的测定值。AD转换器(8)构成为将在包含以与PEM(3)的调制频率相同的频率进行变化的光强度的AC成分和DC成分的状态下被放大后的检测信号转换为数字信号。 | ||||||
| 2 | 一种基于圆二色性的压力传感装置 | CN202011489128.0 | 2020-12-16 | CN112763107A | 2021-05-07 | 不公告发明人 |
| 本发明属于压力传感技术领域，具体涉及一种基于圆二色性的压力传感装置，包括有缝隙的金属膜、柔性材料一、金属块、柔性材料二、金属颗粒、带孔洞的柔性材料和矩形空腔，所述有缝隙的金属膜上设置有柔性材料一。本发明通过两个错位的金属块通过和连续的金属薄膜实现间接耦合，形成U型电流导致左旋圆偏振光照射下和右旋圆偏振光照射下的差异较大，得到较大的圆二色，金属颗粒进入空腔中以后，在圆偏振光的照射下，有缝隙的金属膜中相当于填充有金属颗粒，有缝隙的金属膜相当于下层被联系在一起。电流可以在金属颗粒中流过。压力越大，空腔中的金属颗粒就越多，电流就越大，上层两个半圆型的金属块实现间接的耦合。 | ||||||
| 3 | 一种检测圆二色性的装置与方法 | CN201811436071.0 | 2018-11-28 | CN109387481A | 2019-02-26 | 张鲁凝; 叶克敏 |
| 本发明涉及一种检测圆二色性的装置与方法，使波长在可见光区的激光经过调制成为左圆偏振光和右圆偏振光，使调制好的手性光透过具有超分辨成像能力的透明微球照射到手性分子膜上，透明微球对光的聚焦能力使手性分子对左圆偏振光和右圆偏振光的吸收差异增大进而被锁相放大器检测，从而达到降低圆二色谱的检测限的目的，同时利用透明微球的超分辨能力来识别相邻的手性分子团簇，能够更有效的检测手性物质。与传统技术相比，本发明可实现快速、准确、非侵入的检测手性分子，增强检测信号。具有操作方便、样品用量少，对生物样品无接触性损伤，保持手性物质原有的生物特性等优点。 | ||||||
| 4 | 一种可以产生强圆二色性的微纳结构 | CN201811490999.7 | 2018-12-07 | CN109283610A | 2019-01-29 | 刘凯; 王天堃 |
| 本发明涉及微纳光学技术领域，具体涉及一种可以产生强圆二色性的微纳结构，微纳结构由多个矩形金属单元相互连接构成，所述每个矩形金属单元中心均设有一通孔，所述通孔内还设有一金属条，所述金属条一端连接于所述矩形金属单元，所述金属条与所述矩形金属单元处于同一平面，在矩形金属单元上增加金属条，通过金属条的引导作用使得本申请实施例微纳结构对于LCP和RCP产生不同的响应，且使得对于LCP和RCP的吸收差异增大，从而使得LCP和RCP所激发的电场强度产生很大的差异，产生强的圆二色性。 | ||||||
| 5 | 一种实现强圆二色性的多层手性结构 | CN202210117790.6 | 2022-02-08 | CN114488369B | 2024-03-12 | 王勇凯; 张志宇; 白瑜; 董军; 朱礼鹏 |
| 本发明涉及圆二色性应用技术领域，具体涉及一种实现强圆二色性的多层手性结构，包括衬底、第一贵金属层、电致伸缩层、第二贵金属层，第一贵金属层置于衬底上，电致伸缩层置于第一贵金属层上，第二贵金属层置于电致伸缩层上，第二贵金属层和第一贵金属层构成手性结构。在本发明中，电致伸缩层置于构成手性结构的第一贵金属层和第二贵金属层之间。在不同的圆偏振光照射下，表面等离激元共振峰的位置不同，导致强圆二色性。本发明从双层贵金属结构之间的介质层的厚度不同出发，提出了实现圆二色性的新构思，在提高手性结构的圆二色性方面具有重要的指导意义和应用价值，在圆二色性应用技术领域具有良好的应用前景。 | ||||||
| 6 | 一种实现强圆二色性的多层手性结构 | CN202210117790.6 | 2022-02-08 | CN114488369A | 2022-05-13 | 王勇凯; 张志宇; 白瑜; 董军; 朱礼鹏 |
| 本发明涉及圆二色性应用技术领域，具体涉及一种实现强圆二色性的多层手性结构，包括衬底、第一贵金属层、电致伸缩层、第二贵金属层，第一贵金属层置于衬底上，电致伸缩层置于第一贵金属层上，第二贵金属层置于电致伸缩层上，第二贵金属层和第一贵金属层构成手性结构。在本发明中，电致伸缩层置于构成手性结构的第一贵金属层和第二贵金属层之间。在不同的圆偏振光照射下，表面等离激元共振峰的位置不同，导致强圆二色性。本发明从双层贵金属结构之间的介质层的厚度不同出发，提出了实现圆二色性的新构思，在提高手性结构的圆二色性方面具有重要的指导意义和应用价值，在圆二色性应用技术领域具有良好的应用前景。 | ||||||
| 7 | 一种可调圆二色性的微纳结构 | CN202111527593.3 | 2021-12-14 | CN114217458A | 2022-03-22 | 王勇凯; 董军; 白瑜; 任凯利; 韩庆艳 |
| 本发明涉及圆二色性应用技术领域，具体涉及一种可调圆二色性的微纳结构，包括衬底、贵金属层、第一碳纳米管条阵列、第一电极、栅极。应用时，栅极和第一电极连接外电路，改变第一碳纳米管条的栅压，从而改变了第一碳纳米管条的有效介电常数，进而改变了第一平行臂上的介电环境，改变了U形结构的手性，从而实现了U形结构的圆二色性调控。本发明中，通过调节第一电极和栅极之间的电压，可以方便地调节第一平行臂处的介电环境，进而调控圆二色性，调控方便、灵活、响应速度快。 | ||||||
| 8 | 一种可切换圆二色性谐振器 | CN202111256287.0 | 2021-10-27 | CN113972500A | 2022-01-25 | 李勇峰; 屈绍波; 朱志标; 成洋; 陈红雅; 随赛; 王甲富; 王雯洁 |
| 本发明属于微波器件领域，具体涉及一种可切换圆二色性谐振器。包括沿电磁传播方向依次设置的超材料层、基板层和金属背板，所述超材料层包括人造金属图案结构，以及焊接在所述人造金属图案结构上、远离所述基板层一侧的一对PIN二极管和电感器件。所述的一对PIN二极管通过改变电压实现通断交替，从而进一步实现左手和右手圆二色性谐振器两种模式可切换；通过优化结构设计，本发明实现了通过对左手和右手圆二色性谐振器两种模式的完美切换，来对具有不同圆极化的电磁波产生宽带选择性吸收。左手圆二色性谐振器吸收LCP波，并将RCP波转化为LCP波；右手圆二色性谐振器吸收RCP波，并将LCP波转化为RCP波。本发明在通讯、信息处理和成像等领域有广阔应用空间。 | ||||||
| 9 | 一种吸收圆二色性可调的传感器 | CN201911234422.4 | 2019-12-05 | CN110907057B | 2021-08-24 | 不公告发明人 |
| 本发明涉及一种吸收圆二色性可调的传感器，包括基底层，所述基底层的上方设置有周期性排列的手性结构阵列，所述手性结构阵列通过支撑部设置于基底层上方，并且每个手性结构阵列均与基底层间形成空腔，所述手性结构阵列上还设置有多个孔洞，所述基底层的上方位于孔洞的垂直投影处均设置有多个圆盘，所述手性结构阵列的一侧还设置有热膨胀材料块；该吸收圆二色性可调的传感器，能够将温度信号转换为光信号，通过检测光信号的圆二色性的变化，从而对温度进行检测，具有更高的精确度和灵敏度。 | ||||||
| 10 | 实现圆二色性的微纳结构及微纳系统 | CN202010963687.4 | 2020-09-14 | CN112082956A | 2020-12-15 | 不公告发明人 |
| 本发明涉及实现圆二色性的微纳结构及微纳系统，具体涉及微纳光学技术领域。本申请提供的结构，在圆偏振光的照射下和第一金属块和第二金属块与基底形成间接耦合作用，在两个金属块和基底层的两头形成分别形成两个局域磁场，形成两个方向相反的磁偶极子，由于两个金属块和基底的耦合作用，异号电荷在对角线方向上聚集，因此在该基底层的对角线方向分别形成电流，即该基底层上存在一定方向性的电偶极子，电偶极子和磁偶极子的夹角小于90度，并且该第一金属块和第二金属块的在垂直于水平面上的投影具有一定重合区域，改变该重合区域的面积，从而调节电偶极子和磁偶极子的夹角，进而产生大的圆二色性效应。 | ||||||
| 11 | 动态调控增强圆二色性的装置及系统 | CN202010962838.4 | 2020-09-14 | CN112051678A | 2020-12-08 | 不公告发明人 |
| 本发明涉及动态调控增强圆二色性的装置及系统，具体涉及圆二色性调节领域。本申请提供了一种动态调控增强圆二色性的装置，在调控增强圆二色性时，在圆偏振光的照射下第一金属块、第二金属块和基底层相互耦合，在第一金属块、第二金属块的两端分别形成两个方向相反的局域磁场，由于电磁的相互耦合，在基底层上形成对角线方向的电流，并且通过调节该间隔块的温度实现控制该第一金属块和第二金属块之间的电流通断，由于该间隔块的材料为二氧化钒，且二氧化钒温度不同，导电特性不同，本申请通过改变温度来改变二氧化钒的性质，进而调控基底层上电流流通的方向，从而达到动态调控圆二色性信号的目的，简单的实现了对圆二色性信号的调控。 | ||||||
| 12 | 一种可调谐的圆二色性结构 | CN201910583056.7 | 2019-07-01 | CN110262089A | 2019-09-20 | 不公告发明人 |
| 本发明涉及微纳光学技术领域，具体涉及一种可调谐的圆二色性结构，由下及上包括一衬底层和一纳米结构，纳米结构内部设有一调节块，调节块位于纳米结构的非对称位置，纳米结构与调节块均为贵金属材料制成。通过调节块与纳米结构之间的相对位置，从而实现本发明圆二色性结构与入射光之间的耦合模式，从而改变本发明圆二色性结构表面的激发电场的位置与强度，从而改变本发明圆二色性结构的圆二色信号，实现调谐圆二色性的目的。 | ||||||
| 13 | 一种双通道的强圆二色性自旋选择器 | CN202410249101.6 | 2024-03-05 | CN117991436A | 2024-05-07 | 刘建龙; 李香凝; 李昕泽; 高文雅; 刘子逸; 李立 |
| 本发明一种双通道的强圆二色性自旋选择器属于微纳光学技术领域；该双通道的强圆二色性自旋选择器，由在XOY平面内周期性排列的多个单元组成，每个单元从上至下分别为平板上层、间隔层、平板下层和基底层，所述平板上层、间隔层、平板下层和基底层在XOY平面上的投影外轮廓均为正方形；所述平板上层上设置有十字形孔A，所述平板下层上设置有十字形孔B，所述十字形孔A和十字形孔B沿X方向错位；本发明结构简单，可用于调制光的自旋；通过非对称的十字形孔和水平错位的双层孔同时打破面内和面外对称性，在两个波段实现了相反的自旋选择性传输和相反的强手性，圆二色性值达到±0.85以上，实现对光子的自旋状态精确调控。 | ||||||
| 14 | 一种可产生圆二色性的平面微纳结构 | CN201910366713.2 | 2019-05-05 | CN109991168B | 2021-09-07 | 温小静 |
| 本发明涉及微纳光学技术领域，具体涉及一种可产生圆二色性的平面微纳结构，包括单元结构；每个单元结构包括一矩形条和一U形结构，矩形条与U形结构位于同一平面内；U形结构包括第一臂、第二臂和连接条；第一臂与第二臂平行；第一臂、第二臂分别连接于连接条的两端；矩形条位于U形结构的一侧，与第一臂平行；矩形条与U形结构均由贵金属材料制成。通过在U形结构一侧设置一矩形条，通过矩形条与U形结构之间的耦合作用，调节U形结构表面的电荷分布，对左旋偏振光和右旋偏振光产生不同的吸收，从而产生电偶极子和磁偶极子，并且形成特定的环流模式，从而形成大的圆二色信号。 | ||||||
| 15 | 一种微波段宽带圆二色性手性吸波器 | CN202010375569.1 | 2020-05-07 | CN111641046B | 2021-07-06 | 时胜圆; 李敏华; 易泽鑫; 宋友婷; 高文涛 |
| 本发明公开了一种微波段宽带圆二色性手性吸波器，包括依次排布的底层金属薄膜、第一损耗介质层、空气层、非对称结构金属薄膜层和第二损耗介质层，底层金属薄膜附着在第一损耗介质层上，非对称结构金属薄膜层包括多块非对称结构金属薄膜，多块非对称结构金属薄膜呈周期性布置在第二损耗介质层上，每块非对称结构金属薄膜以不对称的图案附着在第二损耗介质层上，每块非对称结构金属薄膜上设有第一断口，第一断口处加载有电阻，空气层设置在第一损耗介质层与非对称结构金属薄膜层之间，第一损耗介质层与非对称结构金属薄膜层由空气层分隔。该手性吸波器在微波段具有宽带左旋圆极化波的高效吸收特性、强烈的宽带吸收圆二色性特性以及频率可调谐特性。 | ||||||
| 16 | 一种可以产生圆二色性的微纳结构 | CN201811490977.0 | 2018-12-07 | CN109597159B | 2021-04-06 | 刘凯; 王天堃; 吐达洪阿巴 |
| 本发明涉及微纳光学技术领域，具体涉及一种可以产生圆二色性的微纳结构，微纳结构由多个单元结构按照矩形周期阵列互相连接构成，每个单元结构包含一矩形空心金属环和一金属条，金属条一端连接于空心金属环矩形拐角或空心金属环短边非中点位置，金属条与空心金属环所在的平面具有一特征夹角α。在入射光的激励下，金属条与空心金属环连接处形成环流模式，在空心金属环和金属条上形成固定模式的磁偶极子和电偶极子，使得左旋偏振光照射时产生很大的耗散，右旋偏振光照射时耗散小，使得左旋偏振光和右旋偏振光所激发的电场产生很大的差异，从而产生强的圆二色性。 | ||||||
| 17 | 一种基于圆二色性的电场探测装置 | CN202011267375.6 | 2020-11-13 | CN112485546A | 2021-03-12 | 不公告发明人 |
| 本发明提供了一种基于圆二色性的电场探测装置，包括基底层、加热层、传感层，加热层置于基底层上，传感层置于加热层上，传感层包括贵金属薄膜和有机共轭聚合物材料，贵金属薄膜上设有周期排布的孔洞，孔洞为轴对称结构，有机共轭聚合物材料填充孔洞。本发明具有电场探测灵敏度高的优点。 | ||||||
| 18 | 动态调控圆二色性的结构 | CN202011091404.8 | 2020-10-13 | CN112213271A | 2021-01-12 | 不公告发明人 |
| 本发明涉及动态调控圆二色性的结构，主要涉及手性调控领域。本申请提供的动态调控圆二色性的结构包括：基底、半导体材料层、介质材料层和多个调控单元，每个调控单元包括：第一纳米棒，第二纳米棒，横棒，第一竖棒，第二竖棒；当需要对本申请提供的结构进行调控的时候，在该调控单元上放置有铅离子溶液，在圆偏振光的照射下，由于局域位点的强电场产生的高能孔洞驱动反应，在强电场局域位点上发生的等离子体诱导电荷分离的氧化反应使得产生氧化铅沉积，从而使得结构的参数发生变化，达到了调控结构参数的目的；本申请利用离子体诱导电荷分离，在结构强电场的位置发生氧化还原反应从而改变结构的参数，方法简单，操作可控，成本较低。 | ||||||
| 19 | 一种微波段宽带圆二色性手性吸波器 | CN202010375569.1 | 2020-05-07 | CN111641046A | 2020-09-08 | 时胜圆; 李敏华; 易泽鑫; 宋友婷; 高文涛 |
| 本发明公开了一种微波段宽带圆二色性手性吸波器，包括依次排布的底层金属薄膜、第一损耗介质层、空气层、非对称结构金属薄膜层和第二损耗介质层，底层金属薄膜附着在第一损耗介质层上，非对称结构金属薄膜层包括多块非对称结构金属薄膜，多块非对称结构金属薄膜呈周期性布置在第二损耗介质层上，每块非对称结构金属薄膜以不对称的图案附着在第二损耗介质层上，每块非对称结构金属薄膜上设有第一断口，第一断口处加载有电阻，空气层设置在第一损耗介质层与非对称结构金属薄膜层之间，第一损耗介质层与非对称结构金属薄膜层由空气层分隔。该手性吸波器在微波段具有宽带左旋圆极化波的高效吸收特性、强烈的宽带吸收圆二色性特性以及频率可调谐特性。 | ||||||
| 20 | 一种吸收圆二色性可调的传感器 | CN201911234422.4 | 2019-12-05 | CN110907057A | 2020-03-24 | 不公告发明人 |
| 本发明涉及一种吸收圆二色性可调的传感器，包括基底层，所述基底层的上方设置有周期性排列的手性结构阵列，所述手性结构阵列通过支撑部设置于基底层上方，并且每个手性结构阵列均与基底层间形成空腔，所述手性结构阵列上还设置有多个孔洞，所述基底层的上方位于孔洞的垂直投影处均设置有多个圆盘，所述手性结构阵列的一侧还设置有热膨胀材料块；该吸收圆二色性可调的传感器，能够将温度信号转换为光信号，通过检测光信号的圆二色性的变化，从而对温度进行检测，具有更高的精确度和灵敏度。 | ||||||
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