| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 1 | 降低俄歇电子能谱中荷电效应的方法 | CN201210391136.0 | 2012-10-15 | CN103728329A | 2014-04-16 | 齐瑞娟; 段淑卿; 虞勤琴; 范春燕; 季春葵 |
| 本发明公开了一种降低俄歇电子能谱中荷电效应的方法，该方法包括：提供一半导体芯片，所述半导体芯片上具有多个焊垫，所述半导体芯片下表面连接有导体；将待分析焊垫与邻近焊垫电性连接，并将所述邻近焊垫与所述导体电性连接，从而形成待分析焊垫经由邻近焊垫至导体的电子导通通道。采用本发明能够得到准确的俄歇分析结果。 | ||||||
| 2 | 俄歇电子能谱仪检测样品的表面处理方法 | CN200910055898.1 | 2009-08-04 | CN101988911B | 2012-11-21 | 齐瑞娟 |
| 本发明揭露了一种俄歇电子能谱仪检测样品的表面处理方法，该方法包括如下步骤：提供俄歇电子能谱仪检测样品；利用稀有气体离子溅射所述俄歇电子能谱仪检测样品表面。该方法简单实用，成本低，可快速有效的减小荷电效应，并且对需要进行组分分析的检测样品表面不会产生损坏，确保获取准确的检测样品表面组分分析结果，提高了产品良率。 | ||||||
| 3 | 一种俄歇电子能谱检测样品的制备方法 | CN200910195573.3 | 2009-09-11 | CN102023173A | 2011-04-20 | 张启华; 赵燕丽; 高强 |
| 本发明提供一种俄歇电子能谱检测样品的制备方法，包括以下步骤：提供一原始检测样品，所述原始检测样品包括半导体基底、位于所述半导体基底上的焊盘以及位于所述焊盘上的钝化层，所述钝化层具有暴露出部分所述焊盘的开口；将所述原始检测样品上需进行检测分析的区域接地。本发明提供的俄歇电子能谱检测样品的制备方法通过将样品被测区域接地，可有效消除进行俄歇电子能谱检测时样品表面的荷电效应，从而获得准确的俄歇电子能谱。该样品制备方法的操作简单易行，无须大成本的投入即可取得明显的有益效果。 | ||||||
| 4 | 俄歇电子能谱仪检测样品的表面处理方法 | CN200910055898.1 | 2009-08-04 | CN101988911A | 2011-03-23 | 齐瑞娟 |
| 本发明揭露了一种俄歇电子能谱仪检测样品的表面处理方法，该方法包括如下步骤：提供俄歇电子能谱仪检测样品；利用稀有气体离子溅射所述俄歇电子能谱仪检测样品表面。该方法简单实用，成本低，可快速有效的减小荷电效应，并且对需要进行组分分析的检测样品表面不会产生损坏，确保获取准确的检测样品表面组分分析结果，提高了产品良率。 | ||||||
| 5 | 通过俄歇电子能谱测量纳米薄膜厚度的方法 | CN200480044743.3 | 2004-12-27 | CN101091101A | 2007-12-19 | 蒋致诚; 李山丹; 甘婉君; 刘义为 |
| 公开了一种测量衬底上的超薄多层膜厚度的系统和方法。建立了超薄多层结构和纳米多层结构俄歇电子发射的物理模型。根据物理模型推导出用于多层薄膜厚度的俄歇电子能谱(AES)测量的数学模型。首先对一系列校准样品进行AES分析。将结果输入到数学模型以确定数学公式中的参数。参数可以通过替代技术的相关测量进行校准。对超薄多层膜结构进行AES分析。将结果输入到数学模型并计算厚度。 | ||||||
| 6 | 集成电路制造中用于俄歇电子能谱的样品的处理方法 | CN200510133003.3 | 2005-12-27 | CN100559173C | 2009-11-11 | 张启华; 李明; 牛崇实; 廖炳隆 |
| 本发明提供了一种在集成电路制造中用子分析样品的方法，集成电路例如是MOS晶体管、专用集成电路、存储器器件、微处理器、片上系统。该方法包括提供一块集成电路芯片，其具有表面区域，该表面区域具有至少一个感兴趣区域，如键合焊盘。该方法包括利用阻隔材料覆盖包括感兴趣区域在内的表面区域的第一部分。该方法还在表面区域的第二部分上形成金属层，同时阻隔材料保护了第一部分。该方法移去阻隔材料以暴露包括感兴趣区域在内的表面区域的第一部分。该方法还对金属层施加电压差以从表面区域的第一部分吸引走一个或多个带电粒子。该方法还对包括感兴趣区域在内的表面区域进行能谱分析。 | ||||||
| 7 | 集成电路制造中用于俄歇电子能谱的样品的处理方法 | CN200510133003.3 | 2005-12-27 | CN1991346A | 2007-07-04 | 张启华; 李明; 牛崇实; 廖炳隆 |
| 本发明提供了一种在集成电路制造中用于分析样品的方法，集成电路例如是MOS晶体管、专用集成电路、存储器器件、微处理器、片上系统。该方法包括提供一块集成电路芯片，其具有表面区域，该表面区域具有至少一个感兴趣区域，如键合焊盘。该方法包括利用阻隔材料覆盖包括感兴趣区域在内的表面区域的第一部分。该方法还在表面区域的第二部分上形成金属层，同时阻隔材料保护了第一部分。该方法移去阻隔材料以暴露包括感兴趣区域在内的表面区域的第一部分。该方法还对金属层施加电压差以从表面区域的第一部分吸引走一个或多个带电粒子。该方法还对包括感兴趣区域在内的表面区域进行能谱分析。 | ||||||
| 8 | 절연성 시료에 대한 오거 일렉트론 스펙트로스코피 분석방법 | KR1019960040446 | 1996-09-17 | KR1019980021567A | 1998-06-25 | 양희석; 임택진; 한재성 |
| 절연성 시료에 축전(Charge-up) 방지를 위한 도전성 막질을 증착시켜서 AES 분석을 수행할 수 있도록 한 절연성 시료에 대한 오거 일렉트론 스펙트로스코피(Auger Electron Spectrscopy) 분석 방법에 관한 것이다. 본 발명은 절연성 시료의 표면을 정성 및 정량 분석하는 오거 일렉트론 스펙트로스코피 분석 방법에 있어서, 절연막질을 포함하는 시료의 표면에 소정 두께의 도전성 막질을 축전이 방지되도록 증착시킨 후 분석하도록 이루어진다. 따라서, 본 발명에 의하면 AES 분석 방법으로 절연성 시료에 대해서도 표면에 대한 정확한 분석을 수행함으로써 AES 분석을 포괄적으로 반도체 시료에 적용하여서 신뢰성 있는 분석 데이터를 얻을 수 있는 효과가 있다. | ||||||
| 9 | 오제 일렉트론 스펙트로스코프 분석 방법 | KR1020040117687 | 2004-12-31 | KR100752161B1 | 2007-08-24 | 정윤정 |
| 본 발명에 따른 AES 분석 방법은, 시료의 Z축 값을 조절한 후 측정된 탄성 피크(elastic peak)에서의 2차 전자의 인텐시티(intensity) 값과, 실제 측정된 2차 전자의 인텐시티(intensity) 값의 비를 이용하여 얻은 규격화(normalization)된 인텐시티(intensity) 값의 비교를 통해서 시료를 정량적으로 분석하는 것을 특징으로 한다. 그리고 규격화된 인텐시티(intensity) 값은 아래의 수학식에 의해 계산되고, In = C × Ir/Iz 여기서, In은 규격화(normalization)된 인텐시티(intensity) 값, Iz는 Z축 조절 후 탄성 피크(elastic peak)에서의 2차 전자의 인텐시티(intensity) 값, Ir은 실제 측정된 2차 전자의 인텐시티(intensity) 값, 그리고 C는 임의의 상수를 나타내는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, Z축 조절을 통해 탄성 피크(elastic peak)의 크기를 규격화(normalization) 함으로써 AES에 의한 정량 분석의 능력을 향상시킬 수 있다. 또한 AES 정량 분석에 따른 데이터의 재연성을 크게 높여줌으로써, 좀 더 높은 신뢰성을 가진 AES 장비의 표면 분석을 시행 할 수 있다. AES, Z축, 오제(auger) 전자, 규격화(normalization) | ||||||
| 10 | オージェ電子分光法用試料作製方法 | JP2012003347 | 2012-01-11 | JP5836134B2 | 2015-12-24 | 堤 建一 |
| 11 | Method of setting a base energy level for an Auger electron spectroscopy analysis of a titanium nitride film, and method of analyzing the titanium nitride film | US09221829 | 1998-12-28 | US06278112B1 | 2001-08-21 | Sang-eun Lee |
| A quantitative and qualitative analysis of a nitrogen (N) kinetic energy peak in a spectrum of a titanium nitride (TiN) film using Auger Electron Spectroscopy (AES). The N kinetic energy peak analysis is used to set the base energy level of the AES, and is achieved by selecting a kinetic energy of an N peak which does not overlap with the Ti kinetic energy peak. | ||||||
| 12 | 高强度热浸镀锌钢板及其制造方法 | CN201980086631.0 | 2019-08-23 | CN113227430B | 2022-09-23 | 长谷川宽; 中垣内达也; 竹田裕纪 |
| 本发明提供提供一种高强度且抗延迟断裂特性优异的高强度热浸镀锌钢板及其制造方法。一种高强度热浸镀锌钢板，其具有特定的成分组成和钢组织；在上述钢组织中，在从上述钢板表层至沿板厚方向上300～400μm的范围中，以面积率计，马氏体和包含碳化物的贝氏体的合计为60～100％，旧奥氏体的平均粒径为15μm以下，在从钢板表层至沿板厚方向上300～400μm的范围中，距旧奥氏体晶界5nm以上的位置中的P的俄歇电子能谱的峰高与旧奥氏体晶界中的P的俄歇电子能谱的峰高的比为0.20以上；并且，在钢板表面具有热浸镀锌层。 | ||||||
| 13 | 高强度热浸镀锌钢板及其制造方法 | CN201980086631.0 | 2019-08-23 | CN113227430A | 2021-08-06 | 长谷川宽; 中垣内达也; 竹田裕纪 |
| 本发明提供提供一种高强度且抗延迟断裂特性优异的高强度热浸镀锌钢板及其制造方法。一种高强度热浸镀锌钢板，其具有特定的成分组成和钢组织；在上述钢组织中，在从上述钢板表层至沿板厚方向上300～400μm的范围中，以面积率计，马氏体和包含碳化物的贝氏体的合计为60～100％，旧奥氏体的平均粒径为15μm以下，在从钢板表层至沿板厚方向上300～400μm的范围中，距旧奥氏体晶界5nm以上的位置中的P的俄歇电子能谱的峰高与旧奥氏体晶界中的P的俄歇电子能谱的峰高的比为0.20以上；并且，在钢板表面具有热浸镀锌层。 | ||||||
| 14 | 纳米级高分辨应力测量方法 | CN200510078721.5 | 2005-06-03 | CN1699979A | 2005-11-23 | 蔡端俊; 徐富春; 康俊勇 |
| 纳米级高分辨应力测量方法，涉及一种应力测量方法，提供一种基于俄歇电子能谱仪，以电子作为测量的激发源，可获得高空间分辨的应力分布值的微区应力测量方法。其步骤为确定元素分析和零应力点，用俄歇能谱确定样品的化学元素成分和比例，并以样品的1个本质元素选择一个零应力点搜取其标准谱，作为应力零点标定；利用搜取的零应力点标准谱确定拟合参数得优化拟合理论俄歇谱；建立应力标定曲线后，根据确立的俄歇移动和应力的标定曲线得微区应力值。灵活性强，可根据样品需要建立特殊的模型进行计算，也可建立所有化合物元素的应力变化标定曲线的数据库。得到的空间分辨率和采用的俄歇电子能谱仪一致，可达到纳米量级。 | ||||||
| 15 | 电极合剂、电池、以及电极的制造方法 | CN201910083606.9 | 2019-01-29 | CN110098408A | 2019-08-06 | 菅原亮; 神前隆 |
| 本公开提供电极合剂、电池、以及电极的制造方法。本公开的电极合剂具备硫化物固体电解质和与硫化物固体电解质接触的含碳材料。在采用俄歇电子能谱法分析电极合剂时得到的谱图中，将含碳材料中所含的碳的峰强度定义为C，并且将硫化物固体电解质中所含的硫的峰强度定义为S时，强度比C/S满足0.2≤C/S≤1的关系。 | ||||||
| 16 | 纳米级高分辨应力测量方法 | CN200510078721.5 | 2005-06-03 | CN100538349C | 2009-09-09 | 蔡端俊; 徐富春; 康俊勇 |
| 纳米级高分辨应力测量方法，涉及一种应力测量方法，提供一种基于俄歇电子能谱仪，以电子作为测量的激发源，可获得高空间分辨的应力分布值的微区应力测量方法。其步骤为确定元素分析和零应力点，用俄歇能谱确定样品的化学元素成分和比例，并以样品的1个本质元素选择一个零应力点搜取其标准谱，作为应力零点标定；利用搜取的零应力点标准谱确定拟合参数得优化拟合理论俄歇谱；建立应力标定曲线后，根据确立的俄歇移动和应力的标定曲线得微区应力值。灵活性强，可根据样品需要建立特殊的模型进行计算，也可建立所有化合物元素的应力变化标定曲线的数据库。得到的空间分辨率和采用的俄歇电子能谱仪一致，可达到纳米量级。 | ||||||
| 17 | 半导体晶圆制造中铝焊盘质量的表征方法 | CN202010140862.X | 2020-03-03 | CN111341684A | 2020-06-26 | 华佑南; 李晓旻 |
| 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及半导体晶圆制造中铝焊盘质量的表征方法，对晶圆的铝焊盘进行以下方面检测：光学显微镜观察铝焊盘的缺陷和变色情况；扫描电子显微镜分析铝焊盘的缺陷；俄歇电子能谱分析铝焊盘上的污染水平；透射电子显微镜分析铝焊盘上的氧化铝厚度；若全部合格，则铝焊盘质量合格。本发明提供的半导体晶圆制造中铝焊盘质量的表征方法，联合应用光学显微镜、扫描电子显微镜、俄歇电子能谱和透射电子显微镜来对半导体晶圆上铝焊盘的质量进行检测，若所有的检测结果满足预定的标准，则晶圆上的铝焊盘质量是合格的，为后续铝焊盘的功能发挥提供良好的技术支持。 | ||||||
| 18 | 一种检测器件有无镀层的方法 | CN201110251657.1 | 2011-08-30 | CN102323625A | 2012-01-18 | 闫武杰 |
| 本发明提供了一种检测器件有无镀层的方法，该方法包括以下步骤：A、使用扫描电镜和能谱仪对器件的表面元素进行成份分析；B、将器件的表层去除，使用俄歇电子能谱仪对器件的基材元素成份进行分析；C、比较器件表面元素成份和基材的元素成份，如果器件表面的元素成份和基材的元素成份相同，则说明没有镀层，否则说明有镀层。本发明有如下优点：本发明方法操作步骤少，操作简便，可快速准确判断出器件表面是否有镀层。 | ||||||
| 19 | 一种实现拓扑绝缘体硒化铋纳米材料Cu掺杂的制备方法 | CN201810114586.2 | 2018-02-06 | CN108461382B | 2020-06-19 | 张汝康; 闫慧 |
| 本发明公开了一种实现拓扑绝缘体硒化铋纳米材料Cu掺杂的制备方法，所述纳米材料为纳米线和纳米带。本发明采用气相沉积法，以硒化铋为原料在管式炉中进行高温蒸发，并经惰性载气传输，在Au/Cu薄膜作催化剂的条件下制备出Cu掺杂硒化铋纳米材料。本发明制备的Cu掺杂硒化铋纳米材料具有很好的结晶性，纳米线和纳米带的长度在百微米级别，并通过X射线衍射分析(XRD)、X射线能量色散谱(EDS)和X射线激发俄歇电子能谱(XAES)证明了Cu的引入，以及掺入Cu的价态。 | ||||||
| 20 | 芳香族聚碳酸酯树脂的制备方法 | CN200880007757.6 | 2008-08-19 | CN101631816B | 2012-05-23 | 内村竜次; 岩木光地 |
| 本发明提供一种可防止过滤器内的滞留劣化，并使制得的芳香族聚碳酸酯树脂中的异物和酚量较少的芳香族聚碳酸酯树脂的制备方法。该制备方法包括用聚合物过滤器对熔融状态的芳香族聚碳酸酯树脂进行处理来制备纯化芳香族聚碳酸酯树脂，此时所使用的聚合物过滤器为：利用X射线光电子能谱测得的过滤器最表面的铬原子浓度与铁原子浓度之比(Cr/Fe)为1.5以上的过滤器。在本发明的优选实施方式中，所使用的聚合物过滤器为：利用俄歇电子能谱测得的过滤器最表面的碳膜膜厚为10nm以下、且沿深度方向的氧化膜的膜厚为100nm以上的过滤器。 | ||||||
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