本发明的目的之一是通过在其接近表面的层中三维地排列材料的 初始晶状结构而提高材料的强度。
本发明的另一个目的是提高材料某一特定特性，即声损耗量，声 损耗量对于压电陶瓷材料是特别重要的。
上述问题通过在接近固体材料表面的层中产生一个结构解决，这 在原理上是新颖的。
这个结构是在材料的表面层中形成直径达200纳米的纳米截面的 微孔，和位于所述微孔中的由其它材料或者同一材料制造的纳米截面 微丝。
用于生产带有这种表面层结构的材料的初始材料，可以使用任何 固态陶瓷材料(包括固态复合混合物)。初始材料可以是导体(例如 铜、镍、钨、钢)或者半导体(例如硅、锗砷化物等)。
形成“放在纳米孔中的纳米丝”结构便于显著降低固态材料的声 损耗量及由于沿“放在纳米孔中的纳米丝”结构边界的三维晶状结构 排列而增加其强度。对于压电活性材料，这种效果导致畴的数量增加， 其极化向量垂直地对齐“放在纳米孔中的纳米丝”结构的表面。
诸如银、金、铂或者铜应当用作压电陶瓷用的微丝的材料。
本发明的又一个目的是提供一种方法用于处理固态材料，包含： 在其表面形成所述的“放在纳米孔中的纳米丝”结构。其中，微孔的 形成可以通过电蚀处理材料坯件的表面达到，而把微孔填充以纳米丝 可以通过丝材料的局部离子沉淀达到。
本发明的再一个目的是提供一种通过在表面层中形成所述的“放 在纳米孔中的纳米丝”结构处理固态材料制造的成品部件(物品)的 方法。
实施例 举例1.具有放在纳米孔中的金属丝的压电陶瓷。
在通过标准技术(把用接合机压制的压电陶瓷材料在1450℃ 温度下退火然后缓慢冷却)制造的压电陶瓷坯件的端面之一上用硫化 锑(SSbI)制造的尖端直径20纳米的第一探头，通过加负极性脉冲 (处理间距600纳米，调节电压4伏特；处理时间为每孔400毫微秒) 由电蚀法形成纳米微孔。然后使用银制(尖端直径10纳米)的第二 探头，施加正极性脉冲，通过局部离子沉积(处理间距600纳米，调 节电压2伏特；处理时间为每孔600毫微秒)在形成的纳米孔中形成 纳米丝。第一和第二探头的定位借助于扫描遂道显微镜进行。微孔的 密度是每平方微米平均有3个微孔。
对用上述方法处理的一个压电陶瓷坯件进行了强度(断裂应力) 研究。这是3100牛/平方毫米，而没有受过此种处理的类似坯件的 强度是2200牛/平方毫米。
在所述材料中的与声损耗量成反比的电机械耦合系数从0.71增 加到0.85。 举例2.微孔中放有半导体丝的金属
初始材料是钨。在钨的表面上形成深度是100-1000纳米的截面 为10-200纳米的微孔。这些微孔填充以长100-1000纳米而截面为10- 200纳米的丝。微孔的密度是每平方微米平均有3个微孔。微丝的材 料是硅。
研究的没有使用“放在纳米孔中的纳米丝”结构的钨线强度是3600 牛/平方毫米。用“放在纳米孔中的纳米丝”结构，处理后强度是4400 牛/平方毫米。从而材料中的声损耗系数平均下降20％。 举例3.微孔中放有介电丝的金属
初始材料是钨。在钨的表面上形成深度是100-1000纳米的截面 为10-200纳米的微孔。这些微孔填充以长100-1000纳米而截面为10- 200纳米的丝。微孔的密度是每平方微米平均有3个微孔。微丝的材 料是硫。
研究的没有使用“放在纳米孔中的纳米丝”结构的钨线的强度是 3600牛/平方毫米。用“放在纳米孔中的纳米丝”结构，处理后强度 是4100牛/平方毫米。
从而材料中的声损耗系数平均下降20％。
按照条约第19条的修改
1.一种固态材料的处理方法，其特征在于，包括以下步骤：
-提供一个固态材料的坯件；
-至少在件材料的表面层中形成微孔，所述微孔有达200纳米的 直径；
-用与坯件不同或相同的材料制造的微丝填充所述微孔。
2.删除原权项。
3.权利要求1所述的方法，其特征在于，在每个微中置入几个 纳米丝。
4.删除原权项。
5.权利要求1所述的方法，其特征在于，通过电蚀处理在材料 中形成微孔并且微孔的填充用微丝材料的局部离子沉积进行。
6.权利要求1至5任一项所述的方法，其特征在于，受处理的 材料是陶瓷材料，而用于填充微孔的材料是金属。
7.权利要求6所述的方法，其特征在于，受处理的材料是压电 陶瓷。
8.权利要求7所述的方法，其特征在于，用于填充微孔的材料 是银。
9.权利要求7所述的方法，其特征在于，用于填充微孔的材料 是金。
10.权利要求7所述的方法，其特征在于，用于填充微孔的材料 是铂。
11.权利要求7所述的方法，其特征在于，用于填充微孔的材料 是铜。
12.权利要求1-5任何一项所述的方法，其特征在于，受处理的 材料是金属而用于填充微孔的材料是半导体材料。
13.权利要求1-5任一项所述的方法，其特征在于，受处理的材 料是金属而用于填充微孔的材料是介电材料。
14.一种用于处理部件的方法，含有
-至少在制造受处理的部件的材料的表面层中形成微孔，所述微 孔有达200纳米的直径；
-用与该部件不同或相同的材料制造的微丝填充所述微孔。
15.删除原权项。
16.删除原权项。
17.权利要求14-16所述的方法，其特征在于，通过电蚀处理在 部件的材料中形成微孔并且微孔的填充用局部离子沉积微丝材料进 行。
18.权利要求14至17任一项所述的方法，其特征在于，受处理 的部件是用陶瓷材料制造的，而用于填充微孔的材料是金属。
19.权利要求18所述的方法，其特征在于，受处理的部件是用 压电陶瓷制造的。
20.权利要求19所述的方法，其特征在于，用于填充微孔的材 料是银。
21.权利要求19所述的方法，其特征在于，用于填充微孔的材 料是金。
22.权利要求19所述的方法，其特征在于，用于填充微孔的材 料是铂。
23.权利要求19所述的方法，其特征在于，用于填充微孔的材 料是铜。
24.权利要求14-17任何一项所述的方法，其特征在于，受处理 的部件是用金属制造的，而用于填充微孔的材料是半导体材料。
25.权利要求14-17所述的方法，其特征在于，受处理的部件是 用金属制造的，而用于填充微孔的材料是介电材料。
26.一种固态材料，其特征在于，至少在材料的表面层中形成微 孔，所述微孔有10-200纳米的直径，所述微孔中置入不同材料的微丝。
27.一种固态材料，其特征在于，至少在材料的表面层中形成微 孔，所述微孔有10-200纳米的直径，所述微孔中置入相同材料的微丝。
28.删除原权项。
29.权利要求26或27所述的材料，其特征在于，微孔的深度是 100至1000纳米。
30.权利要求29所述的材料，其特征在于，所述的材料是陶瓷 材料，而填充微孔的微丝是金属制造的。
31.权利要求30所述的材料，其特征在于，所述的材料是压电 陶瓷材料。
32.权利要求31所述的材料，其特征在于，填充微孔的微丝是 银制造的。
33.权利要求31所述的材料，其特征在于，填充微孔的微丝是 金制造的。
34.权利要求31所述的材料，其特征在于，填充微孔的微丝是 铂制造的。
35.权利要求31所述的材料，其特征在于，填充微孔的微丝是 铜制造的。
36.权利要求26所述的材料，其特征在于，所述的材料是金属 而用于填充微孔的微丝是用半导体材料制造的。
37.权利要求26所述的材料，其特征在于，所述的材料是金属 而用于填充微孔的微丝是用介电材料制造的。