先进陶瓷工艺的表面处理方法

申请号 CN99108073.4 申请日 1999-06-09 公开(公告)号 CN1277174A 公开(公告)日 2000-12-20
申请人 成都吕艺彩绘制品有限公司; 发明人 吕建军;
摘要 本 发明 涉及陶瓷工艺 表面处理 方法。该方法包括陶坯进厂——洗选打磨——烧烤——上表面处理剂——第一次烧成——上图案装饰——第二次烧制——质检——出厂步骤,其中表面处理剂为一种无光的釉面。从而开创了陶瓷产品表面光滑,致 密度 高,结合 力 强,坯釉融合,图案鲜艳的新纪元。
权利要求

1、一种先进的陶瓷工艺表面处理方法,其特征在于包括以下步骤: 陶坯进厂,在陶器分车间制做成陶器的半成品,送到彩绘车间; 洗选打磨,陶坯表面的沾渣、粗糙的痕迹,均要进行人工的打磨,砂抛光 等方法的处理再用清洗干净;
烧烤,处理掉陶器坯体内的水份,保证含水率不超过1%,基本达到全 部的干燥效果;
上表面处理剂,以气喷枪的方法在陶坯表面上均匀地上一层处理剂;
第一次烧成:表面处理剂必须经第一次烧成后,排除其坯体与表面的水 份,并使表面处理剂充分化,并还原成一层保护膜,增加坯体的致密度, 使产品表面光滑,消除陶器表面的粗糙手感;
上图案装饰,运用电脑将绘制的程序,图案喷印在产品表面,并使颜料 在产品表面的处理剂上结合;
第二次烧制,使产品表面的颜料图案与处理剂反应,使图案永久地印在 上面;
检验质量,通过质量检验,剔除不合格品。
2、根据权利要求1的先进的陶瓷表面处理方法,其特征在于:
第一次烧成时间为4小时,最高温度800度,分为三个阶段:
(1)排水阶段,从常温-200度,时间为一小时,此阶段将坯体中和处 理剂中的水分排除,并恒温半小时,使其充分排水;
(2)排水氧化阶段,从200度-300度,时间一小时,此阶段要将产品 中的残余水份排除,并使表面处理剂开始氧化,释出有机气体后充分氧 化分解,并恒温半小时;
(3)烧成结晶阶段,从300度-800度,时间1.5小时,此阶段快速升温, 使处理剂在坯体表面迅速熔解、结晶,形成一层保护体。
3、根据权利要求1的先进的陶瓷表面处理方法,其特征在于: 第二烧成时间为4小时,最高温度800度,与第一次烧成基本相同:
(1)排水阶段,从常温-300度,时间1.5小时,此阶段主要为排除颜料 和喷印图案时所吸附的水份,半恒温半小时,使其充分干燥;
(2)烧成阶段,从300度-800度,时间2小时,此阶段要熔化处理剂, 使图案颜料与处理剂熔融为一个整体,保证图案不掉色。
4、根据权利要求1的先进的陶瓷表面处理方法,其特征在于化学组成及其 含量百分比为:
       组成                             We%
                                    让学名称百分比
      (SiO2)         二氧化          38.89
      (Al2O3)       三氧化二        11.11
      (B2O3)        三氧化二        32.22
      (ZrO2)         氧化锆            6.67
      (Li2O)         氧化锂            0.71
      (K2O)          氧化            4.48
      (Na2O)         氧化钠            1.48
      (CaO)           氧化            22.2
      (BaO)           氧化钡            1.11
      (SrO)           氧化            0.56
      (TiO2)         二氧化          0.56 并以硞英石粉进行乳浊,压光处理。

说明书全文

发明涉及表面处理方法,特别涉及陶瓷工艺的表面处理方法。

传统的陶瓷产品表面因釉料普通以为主的透明釉而显得格外粗糙,虽 数千年来人们在装饰上运用雕刻、漏印、贴花等方法,但产品几乎一直处于 原始格,关键在于传统陶瓷的表面的釉是一种有光泽的玻璃体而不是无光 釉,致使陶瓷产品表面致密度低下,结合弱,坯釉融合不尽理想,且色彩 难以永保鲜艳。

本发明的目的在于利用中华传统文化,使用所述先进陶瓷工艺的表面处 理技术对陶瓷表面进行表面处理,以克服上述现有技术的多种缺陷

本发明的目的是通过以下技术方案来加以实现的,即所述产品按以下工 艺流程进行:

(1)陶坯进厂;

(2)洗选打磨;

(3)烧烤;

(4)上表面处理剂;

(5)第一次烧成;

(6)上图案装饰

(7)第二次烧制;

(8)质检;

(9)包装出厂。

其中第一次烧成为上表面处理剂后必须经过的第一次烧成,本发明所采 用的釉料非传统的有光泽的一层玻璃体,而是为无光的表面处理剂。

通过采用无光表面处理剂经第一次烧成后,排除坯体与表面的份,使 表面处理剂充分化,并还原成一层保护膜,从而开创陶瓷产品表面光滑, 致密度高,结合力强,坯釉融合,图案鲜艳的新纪元。

阅读以下参照附图给出的详细描述将明了本发明的其他优点和特点。

图1为本发明的陶瓷工艺的表面处理流程图

图2为本发明的陶瓷工艺表面处理流程(4)的烧成曲线图;

图3为本发明的陶瓷工艺表面处理流程(6)的烧制曲线图。

参照图1的工艺流程图,本发明的陶瓷工艺按以下流程作业:

陶坯进厂——洗选打磨——烧烤——上表面处理剂——第一次烧成—— 上图案装饰——第二次烧制——检验质量——包装出厂。

陶坯进厂,指在陶器分车间制做成陶器的半成品,送到彩绘车间。其陶 器的生产程序与传统生产相同;

洗选打磨,指陶坯表面的沾渣、粗糙的痕迹,均要进行人工的打磨,砂 抛光等方法的处理再用水清洗干净;

烧烤,处理掉陶器坯体内的水份,保证含水率不超过1%,基本达到全 部的干燥效果;

上表面处理剂,以气喷枪的方法在陶坯表面上均匀地上一层处理剂;

第一次烧成,表面处理剂必须经第一次烧成后,排除其坯体与表面的水 份,并使表面处理剂充分氧化,并还原成一层保护膜,增加坯体的致密度, 使产品表面光滑,消除陶器表面的粗糙手感;

上图案装饰,运用电脑将绘制的程序,图案喷印在产品表面,并使颜料 在产品表面的处理剂上结合;

第二次烧制,使产品表面的颜料图案与处理剂反应,使图案永久地印在 上面;

检验质量,通过质量检验,剔除不合格品。

对于上述表面处理流程的第一次烧成,传统陶瓷均为有光泽的一层玻璃 体,而本发明采用独特的无光的表面处理剂,该处理剂是一种复合物,其化 学组成及含量百分比如下:

    组成                           We%

                               化学名称百分比

    (SiO2)       二氧化           38.89

    (Al2O3)     三氧化二         11.11

    (B2O3)      三氧化二         32.22

    (ZrO2)       氧化锆             6.67

    (Li2O)       氧化锂             0.71

    (K2O)        氧化             4.48

    (Na2O)       氧化钠             1.48

    (CaO)         氧化钙             2.22

    (BaO)         氧化钡             1.11

    (SrO)         氧化             0.56

    (TiO2)       二氧化           0.56 并以硞英石粉进行乳浊,压光处理。 按图2所示,第一次烧成时间为4小时,最高温度800度,分为三个阶段:

1、排水阶段,从常温-200度,时间为一小时。此阶段将坯体中和处理剂 中的水分排除,并恒温半小时,使其充分排水;

2、排水氧化阶段,从200度-300度,时间一小时。此阶段要将产品中 的残余水份排除,并使表面处理剂开始氧化,释出有机气体后充分氧化 分解,并恒温半小时;

3、烧成结晶阶段,从300度-800度,时间1.5小时。此阶段快速升温, 使处理剂在坯体表面迅速熔解、结晶,形成一层保护体。

按图3所示,第二次烧成时间为4小时,最高温度800度,与第一次烧成 基本相同:

1、排水阶段,从常温-300度,时间1.5小时。此阶段主要为排除颜料和 喷印图案时所吸附的水份,半恒温半小时,使其充分干燥;

2、烧成阶段,从300度-800度,时间2小时。此阶段要熔化处理剂, 使图案颜料与处理剂熔融为一个整体,保证图案不掉色。

该处理剂应用在陶器产品表面之后,增加了陶器表面的致密度,使产品 更加美观,并且能够达到一定硬度。

                          处理剂检测结果    序    号   检测项目     检测方法及标准        检测结果    1     硬度     GB/T1730-93         0.92    2   耐冲击性能     GB/T1732-93  在2.94J的冲击作用下   无裂纹及剥落现象    3     附着力     GB/1720-89          二级    4   耐腐蚀性能     GB/T2423.17-93       48h盐雾试验  无剥落、起皱变色现象

尽管依据附图和上面的详细描述来说明了本发明的方法的实施例,应理 解本发明不受公开实施例的限制,在不脱离下列权利要求书所限定的本发明 精神的情况下,可以进行许多重组、修改和替代。

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