碳化硅-碳化钽复合材料和基座 |
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| 申请号 | CN201480007718.1 | 申请日 | 2014-01-28 | 公开(公告)号 | CN104968634A | 公开(公告)日 | 2015-10-07 |
| 申请人 | 东洋炭素株式会社; | 发明人 | 篠原正人; | ||||
| 摘要 | 本 发明 提供一种耐久性优异的 碳 化 硅 -碳化钽 复合材料 。碳化硅-碳化钽复合材料(1)具备：表层的至少一部分由第一碳化硅层(12)构成的主体(10)、碳化钽层(20)和第二碳化硅层(13)。碳化钽层(20)配置于第一碳化硅层(12)之上。第二碳化硅层(13)配置于碳化钽层(20)和第一碳化硅层(12)之间。第二碳化硅层(13)通过 X射线 光 电子 分光法测得的C/Si组成比为1.2以上。第二碳化硅层(13)通过拉曼分光法测得的碳的G带和D带的峰强度比G/D为1.0以上。 | ||||||
| 权利要求 | 1.一种碳化硅-碳化钽复合材料，其特征在于，具备： |
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| 说明书全文 | 碳化硅-碳化钽复合材料和基座技术领域[0001] 本发明涉及碳化硅-碳化钽复合材料和基座。 背景技术[0002] 以往，作为在半导体的制造工序等中使用的基座(susceptor)等，已知使用表层由碳化硅构成的部件。但是，在使碳化硅等在配置于由碳化硅构成的表层之上的基板上外延生长时，基板和基座暴露于例如1500℃以上的高温下。因此，存在构成基座的表层的碳化硅附着于基板上这样的问题。 [0004] 现有技术文献 [0005] 专利文献 [0006] 专利文献1：日本特开2006-60195号公报 发明内容[0007] 发明所要解决的课题 [0008] 但是，钽非常昂贵，因此，专利文献1所公开的基座也存在昂贵的问题。 [0009] 作为解决这样的问题的方法，例如，可以考虑通过在石墨基材的表面上设置碳化硅层，在碳化硅层之上薄薄地设置碳化钽层，以使得由碳化钽层覆盖的基座变得廉价的方法。 [0011] 在这样的状况下，寻求一种具有由碳化钽构成的表层且耐久性优异的部件。 [0012] 另外，专利文献1中公开的基座中，存在晶片的配置面的均热性低的问题。如果晶片的配置面的均热性低，晶片的温度就会出现不均衡，有时晶片上的半导体的生长无法均匀地进行。 [0013] 本发明的第一目的在于提供一种耐久性优异的碳化硅-碳化钽复合材料。 [0014] 本发明的第二目的在于提供一种均热性优异的基座。 [0015] 用于解决课题的方法 [0016] 本发明的第一方面的碳化硅-碳化钽复合材料具备表层的至少一部分由第一碳化硅层构成的主体、碳化钽层和第二碳化硅层。碳化钽层配置于第一碳化硅层之上。第二碳化硅层配置于碳化钽层和第一碳化硅层之间。第二碳化硅层通过X射线光电子分光法测得的C/Si组成比为1.2以上。 [0017] 本发明的第一方面的碳化硅-碳化钽复合材料中，优选第二碳化硅层通过X射线光电子分光法测得的C/Si组成比为6.0以下。 [0018] 本发明的第二方面的碳化硅-碳化钽复合材料具备表层的至少一部分由第一碳化硅层构成的主体、碳化钽层和第二碳化硅层。碳化钽层配置于第一碳化硅层之上。第二碳化硅层配置于碳化钽层和第一碳化硅层之间。第二碳化硅层通过拉曼分光法测得的碳的G带和D带的峰强度比G/D为1.0以上。 [0019] 本发明的第二方面的碳化硅-碳化钽复合材料中，优选第二碳化硅层通过拉曼分光法测得的碳的G带和D带的峰强度比G/D为7.5以下。 [0020] 本发明的第一方面和第二方面的碳化硅-碳化钽复合材料中，优选第二碳化硅层的微晶直径为 以下。 [0021] 本发明的第一方面和第二方面的碳化硅-碳化钽复合材料中，优选主体具备石墨基材和配置于石墨基材之上的第一碳化硅层。 [0022] 本发明的第一方面和第二方面的碳化硅-碳化钽复合材料中，优选第二碳化硅层的厚度为0.05μm以上。 [0023] 本发明的第一方面和第二方面的基座具备上述本发明第一方面或第二方面的碳化硅-碳复合材料，底面和侧面的至少一方具有由上述碳化钽层构成的凹部。 [0024] 本发明的第三方面的基座具备基材、碳化钽层和碳化硅层。基材具有凹部。碳化钽层配置于凹部的底面上。碳化硅层配置于碳化钽层和基材之间。 [0025] 本发明的第三方面的基座中，优选在凹部的底面上，碳化硅层比碳化钽层厚。 [0026] 本发明的第三方面的基座中，优选凹部的底面上的碳化硅层的厚度为60μm以上。 [0027] 本发明的第三方面的基座中，优选凹部的底面上的碳化钽层的厚度为10μm以下。 [0028] 本发明的第三方面的基座中，优选碳化钽层也配置于凹部的侧面之上，在凹部的侧面上，碳化硅层配置于碳化钽层和基材之间。 [0029] 本发明的第三方面的基座中，优选基材由石墨构成。 [0030] 发明的效果 [0031] 根据本发明的第一方面和第二方面，能够提供一种耐久性优异的碳化硅-碳化钽复合材料。 [0033] 图1是本发明的第一方面和第二方面的一个实施方式的碳化硅-碳化钽复合材料的截面示意图。 [0034] 图2是实施例1中得到的碳化硅-碳化钽复合材料的碳化钽层的表面的照片。 [0035] 图3是实施例2中得到的碳化硅-碳化钽复合材料的碳化钽层的表面的照片。 [0036] 图4是实施例3中得到的碳化硅-碳化钽复合材料的碳化钽层的表面的照片。 [0037] 图5是实施例4中得到的碳化硅-碳化钽复合材料的碳化钽层的表面的照片。 [0038] 图6是参考例1中得到的碳化硅-碳化钽复合材料的碳化钽层的表面的照片。 [0039] 图7是本发明的第三方面的一个实施方式的基座的截面示意图。 具体实施方式[0040] 以下，对实施本发明的优选方式的一例进行说明。但是，下述的实施方式仅仅是例示。本发明不受下述的实施方式任何限定。 [0041] 实施方式等中参照的附图是示意记载的附图，附图中描绘的物体的尺寸的比例等有时与现实的物体的尺寸的比例等不同。具体的物体的尺寸比率等应当参照以下的说明来判断。 [0042] (碳化硅-碳化钽复合材料1) [0043] 图1是表示本实施方式的碳化硅-碳化钽复合材料的截面示意图。参照图1，对本实施方式的碳化硅-碳化钽复合材料1的结构进行说明。 [0044] 碳化硅-碳化钽复合材料1，例如，能够作为半导体的制造工序等中所使用的基座等使用。在碳化硅-碳化钽复合材料1作为基座使用时，能够在碳化硅-碳化钽复合材料1的凹部1a载置晶片等，进行半导体的制造。但是，本发明中，碳化硅-碳化钽复合材料不限定于作为基座使用，能够用于各种用途。另外，碳化硅-碳化钽复合材料的形状能够适当设计，例如，也可以不具有凹部。 [0045] 碳化硅-碳化钽复合材料1具备主体10、第二碳化硅层13和碳化钽层20。 [0046] 主体10具备具有凹部的石墨基材11和第一碳化硅层12。 [0047] 石墨基材11实质上由石墨构成。石墨基材11中可以含有硼等的石墨以外的成分。 [0048] 第一碳化硅层12配置于石墨基材11之上。具体而言，第一碳化硅层12配置于石墨基材11的表面11a整体之上。即，主体10的表层整体由第一碳化硅层12构成。但是，本发明中，在石墨基材的至少一部分之上配置第一碳化硅层即可。即，主体的表层的至少一部分由第一碳化硅层构成即可。优选在石墨基材的凹部之上配置第一碳化硅层。即，优选主体的凹部的表层由第一碳化硅层构成。 [0049] 第一碳化硅层12的厚度没有特别限定。为了提高碳化硅-碳化钽复合材料1的耐久性，第一碳化硅层12的厚度优选为60μm以上，更优选为80μm以上。第一碳化硅层12的厚度优选为200μm以下。 [0050] 第一碳化硅层12实质上由碳化硅构成。 [0051] 第一碳化硅层12中，通常，通过X射线光电子分光法测得的C/Si组成比低于1.2。 [0052] 构成第一碳化硅层12的碳化硅的微晶直径通常大于 [0053] 第一碳化硅层12中，通常，通过拉曼分光法测得的碳的G带和D带的峰强度比G/D低于1.0。此外，本发明中，通过拉曼分光法测得的碳的G带和D带的峰强度比G/D为使用波长532nm的Ar激光，用Thermofisher Scientific制显微镜拉曼分光装置(Almega分散型激光拉曼光度计装置)测得的值。 [0054] 构成第一碳化硅层12的碳化硅的微晶直径，通常为 以上，优选为 以上。 [0055] 在第一碳化硅层12之上，配置碳化钽层20。具体而言，在形成于主体10的凹部中，在第一碳化硅层12之上配置碳化钽层20。 [0056] 碳化钽层20实质上由碳化钽构成。 [0057] 为了提高碳化硅-碳化钽复合材料1的耐久性，碳化钽层20的厚度优选为0.1μm以上，更优选为1μm以上。碳化钽层20的厚度优选为10μm以下。 [0058] 在碳化钽层20和第一碳化硅层12之间，配置有第二碳化硅层13。具体而言，在碳化硅-碳化钽复合材料1的凹部1a中，在碳化钽层20和第一碳化硅层12之间配置第二碳化硅层13。更具体而言，在第一碳化硅层12的表面12a的正上方配置第二碳化硅层13，在第二碳化硅层13的表面13a的正上方配置碳化钽层20。第二碳化硅层13作为使碳化钽层20和第一碳化硅层12密合的密合层发挥作用。 [0059] 第二碳化硅层13实质上由碳化硅构成。 [0060] 第二碳化硅层13中，通过X射线光电子分光法测得的C/Si组成比为1.2以上。碳化硅-碳化钽复合材料1因此而具备优异的耐久性。其详细的理由尚不明确，例如，能够如下考虑。如上所述，由于碳化硅与碳化钽的热膨胀系数有很大差异，因此，碳化硅层和碳化钽层一般在发生温度变化时容易剥离。这里，碳化钽中所含的钽与碳形成强的键。第二碳化硅层13中，通过X射线光电子分光法测得的C/Si组成比为1.2以上，第二碳化硅层13中的碳的比例高。因此，可以认为由于碳化硅层与碳化钽层牢固地结合，所以第二碳化硅层13与碳化钽层20的密合性提高。特别是如果暂时形成钽层并对该钽层进行浸碳处理而转化为碳化钽层20，钽层的钽与第二碳化硅层13中的碳就容易牢固地键合，能够得到更高的密合性。 [0061] 为了提高碳化硅-碳化钽复合材料1的耐久性，第二碳化硅层13优选通过X射线光电子分光法测得的C/Si组成比为6.0以下，更优选为5.0以下。这是由于如果第二碳化硅层13中所含的碳的比例过高，有时会导致第二碳化硅层13与第一碳化硅层12的密合性降低的缘故。另外，如果第二碳化硅层13中所含的碳的比例过高，有时会导致第二碳化硅层13的强度降低。 [0062] 第二碳化硅层13中，通过拉曼分光法测得的碳的G带和D带的峰强度比G/D为1.0以上，优选为1.1以上。碳化硅-碳化钽复合材料1因此而具备优异的耐久性。其详细的理由尚不明确，例如，能够如下考虑。如上所述，由于碳化硅与碳化钽的热膨胀系数存在很大差异，因此，碳化硅层和碳化钽层一般在发生温度变化时容易剥离。这里，碳化钽中所含的钽与碳形成强的键。第二碳化硅层13中，通过拉曼分光法测得的碳的G带和D带的峰强度比G/D为1.0以上，碳-碳键的比例高。即，第二碳化硅层13中的碳的比例高。因此，可以认为由于碳化硅层与碳化钽层牢固地结合键合，所以第二碳化硅层13与碳化钽层20的密合性提高。特别是如果暂时形成钽层并对该钽层进行浸碳处理而转化为碳化钽层20，钽层的钽与第二碳化硅层13中的碳就容易牢固地键合，能够得到更高的密合性。 [0063] 为了提高碳化硅-碳化钽复合材料1的耐久性，第二碳化硅层13优选通过拉曼分光法测得的碳的G带和D带的峰强度比G/D为7.5以下，更优选为5.0以下。这是由于如果第二碳化硅层13中所含的碳的比例过高，有时会导致第二碳化硅层13与第一碳化硅层12的密合性降低的缘故。另外，如果第二碳化硅层13中所含的碳的比例过高，有时会导致第二碳化硅层13的强度降低。 [0064] 第二碳化硅层13的厚度没有特别限定。为了提高碳化硅-碳化钽复合材料1的耐久性，第二碳化硅层13的厚度优选为0.05μm以上，更优选为0.5μm以上。第二碳化硅层13的厚度优选为1μm以下。 [0065] 为了提高碳化硅-碳化钽复合材料1的耐久性，构成第二碳化硅层13的碳化硅的微晶直径优选为 以下，更优选为 以下。可以认为这是由于通过减小第二碳化硅层13中的硅的比例，微晶直径变小，第二碳化硅层13与碳化钽层20之间的锚定效果增大的缘故。此外，构成第二碳化硅层13的碳化硅的微晶直径优选为 以上。 [0066] 碳化硅-碳化钽复合材料1，例如，能够适合作为半导体的制造工序等中使用的基座等使用。碳化硅-碳化钽复合材料1作为基座使用时，能够在形成于碳化硅-碳化钽复合材料1的凹部1a的碳化钽层20的表面20a上载置晶片等，进行半导体的制造。 [0067] (碳化硅-碳化钽复合材料1的制造方法) [0068] 碳化硅-碳化钽复合材料1例如能够如下所述操作来制造。首先，准备石墨基材11。接着，在石墨基材11的表面11a上，通过热CVD等的方法形成第一碳化硅层12。接着，通过对第一碳化硅层12的表面的至少一部分进行使用H2气、Cl2气等的蚀刻处理或进行热碳化处理，形成通过X射线光电子分光法测得的C/Si组成比为1.2以上的第二碳化硅层 13、或通过拉曼分光法测得的碳的G带和D带的峰强度比G/D为1.0以上的第二碳化硅层 13。接着，在第二碳化硅层13的表面13a之上，通过化学蒸镀(CVD)法等，形成钽层。此后，通过对钽层实施浸碳处理，形成碳化钽层20。通过如上所述的方法，能够制造碳化硅-碳化钽复合材料1。其中，浸碳处理，例如能够通过日本特开2010-280948号公报中记载的方法等的公知方法来进行。 [0069] 以下，基于具体的实施例，对本发明进行更详细的说明。本发明不受以下的实施例任何限定。在不改变本发明的要旨的范围内能够适当变更来实施。 [0070] (实施例1) [0071] 如下所述操作，制作与碳化硅-碳化钽复合材料1具有实质相同的构成的碳化硅-碳化钽复合材料。 [0072] 作为石墨基材11，使用具有凹部的高纯度石墨(东洋炭素株式会社制的IG-610U)。将该石墨基材11放置在CVD装置内，原料气体使用SiCl4+C3H8，以炉内压力250Torr、基材温度1400℃进行CVD处理，在高纯度石墨的表面整体形成厚度为100μm的第一碳化硅层12，得到具有凹部的碳化硅-石墨复合材料。第一碳化硅层12由β型碳化硅构成。 [0073] 接着，将碳化硅-石墨复合材料的除凹部外的整个面用高纯度各向同性石墨(东洋炭素株式会社制、品名“IG-610U”)覆盖。接着，对形成于凹部的碳化硅层实施H2蚀刻处理，制作在第一碳化硅层12之上形成有第二碳化硅层13的主体10。在H2蚀刻处理中，首先，在约10Torr的减压下、约1300℃流通H2气体1小时，对位于凹部的第一碳化硅层12的表层的Si进行蚀刻。H2蚀刻处理后，第二碳化硅层13的通过X射线光电子分光法测得的C/Si组成比为1.3。C/Si组成比的测定中，使用X射线光电子分析装置(ESCA、ULVAC-PHI公司制的扫描型X射线光电子分析装置、PHI Quantera SXM(注册商标))。另外，H2蚀刻处理后，第二碳化硅层13的通过拉曼分光法测得的碳的G带和D带的峰强度比G/D为1.15。利用拉曼分光法的G/D比的测定中，使用波长532nm的Ar激光，用Thermofisher Scientific制显微镜拉曼分光装置(Almega分散型激光拉曼光度计装置)进行测定。另外，用SEM(日本电子制JSM-6510LA)测得的结果，第二碳化硅层13的厚度为0.05μm。通过XRD(Rigaku制RINT-UltimaIII)测定第二碳化硅层13的微晶直径的结果为 [0074] 接着，将主体10的除凹部外的整个面用上述的高纯度各向同性石墨覆盖，另外，使用化学蒸镀(CVD)法，在主体10的凹部形成厚度4μm的钽层20。CVD法的条件如下所述。 [0075] 原料气体：TaCl5和H2 [0076] 载气：氩气 [0077] 温度：1000℃ [0078] 压力：200Pa [0079] 接着，对所得到的钽层实施浸碳处理，形成厚度为5μm的碳化钽层20，得到碳化硅-碳化钽复合材料。浸碳处理如下所述操作进行。 [0080] 将形成有钽层的主体10放置在腔室内。腔室的材质为容积密度为1.8的各向同性石墨材料。将配置有形成了钽层的主体10的腔室配置于SUS制的真空容器内。在真空容器内设置隔热材料，在形成于隔热材料内的空间内配置腔室。作为隔热材料，使用商品名3 “DON-1000”(大阪Gas Chemical公司制、容积密度0.16g/cm)。该隔热材料为在沥青系碳纤维中含浸树脂并进行成型、固化、碳化、石墨化处理而得到的多孔的隔热材料。 [0081] 在由隔热材料包围的空间的上方，配置碳加热器，碳加热器由用于在碳加热器流通电流的石墨电极支撑。通过在碳加热器流通电流，能够对由隔热材料包覆的空间内进行加热。真空容器形成有用于对真空容器内进行排气的排气口。排气口与真空泵连接。对真空容器内进行排气，对腔室内进行减压使其达到0.1Pa以下之后，利用碳加热器以710℃/小时的升温速度将腔室内加热到2150℃。将2150℃保持2小时，进行浸碳处理。腔室内为0.5～2.0Pa左右的压力。浸碳处理后，通过自然冷却冷却至室温。冷却时间为约15小时。 [0082] 在图2中表示实施例1中得到的碳化硅-碳化钽复合材料的碳化钽层20的表面照片。由图2可知，在碳化钽层20的表面没有观察到裂缝或剥离等。 [0083] (实施例2) [0084] 在第一碳化硅层12的蚀刻处理中，使用Cl2气代替H2气进行Cl2蚀刻处理，除此以外，与实施例1同样操作，制作碳化硅-碳化钽复合材料。在蚀刻处理后，第二碳化硅层13的通过X射线光电子分光法测得的C/Si组成比为1.36。另外，第二碳化硅层13的通过拉曼分光法测得的碳的G带和D带的峰强度比G/D为4.03。第二碳化硅层13的微晶直径为在表1中表示结果。在图3中表示实施例2中得到的碳化硅-碳化钽复合材料的碳化钽层20的表面照片。由图3可知，在碳化钽层20的表面没有观察到裂缝或剥离等。 [0085] (实施例3) [0086] 除了使Cl2气的流通时间为2小时以外，与实施例2同样操作，制作碳化硅-碳化钽复合材料。在热碳化处理后，第二碳化硅层13的通过X射线光电子分光法测得的C/Si组成比为2.12。第二碳化硅层13的微晶直径为 另外，第二碳化硅层13的通过拉曼分光法测得的碳的G带和D带的峰强度比G/D为5.88。在表1中表示结果。在图4中表示实施例3中得到的碳化硅-碳化钽复合材料的碳化钽层20的表面照片。根据图4，在碳化钽层20的表面观察到轻微的裂缝，但是为实用上没有问题的程度。 [0087] (实施例4) [0088] 除了对第一碳化硅层12进行热碳化处理以代替蚀刻处理以外，与实施例1同样操作，制作碳化硅-碳化钽复合材料。热碳化处理如下所述操作进行。将碳化硅-碳化钽复-4合材料置于10 Pa以下的减压下，以约1800℃加热约0.5小时，由此，使Si的一部分从形成于碳化硅-碳化钽复合材料的凹部的第一碳化硅层12升华，形成第二碳化硅层13。在热碳化处理后，第二碳化硅层13的通过X射线光电子分光法测得的C/Si组成比为5.39。另外，第二碳化硅层13的通过拉曼分光法测得的碳的G带和D带的峰强度比G/D为7.20。第二碳化硅层13的微晶直径为 在表1中表示结果。在图5中表示实施例4中得到的碳化硅-碳化钽复合材料的碳化钽层20的表面照片。根据图5，在碳化钽层20的表面观察到轻微的裂缝，但是为实用上没有问题的程度。 [0089] (参考例1) [0090] 除了不进行第一碳化硅层12的蚀刻处理以外，与实施例1同样操作，得到碳化硅-碳化钽复合材料。此外，第一碳化硅层的通过X射线光电子分光法测得的C/Si组成比为1.1。另外，第一碳化硅层的通过拉曼分光法测得的碳的G带和D带的峰强度比G/D为0。第二碳化硅层的微晶直径为 在图6中表示参考例1中得到的碳化硅-碳化钽复合材料的碳化钽层的表面照片。从图6可知，在碳化钽层的表面观察到裂缝和剥离。 [0091] [表1] [0092] [0093] 图7是表示本发明的第三方面的实施方式的基座的截面示意图。参照图7对本实施方式的基座21的结构进行说明。 [0094] 基座21，例如，在将晶片配置于作为晶片配置面的碳化钽层40的表面40a之上来制造半导体时使用。 [0095] 基座21具备基材31、碳化钽层40和碳化硅层32。 [0096] 基材31具有凹部31a。基材31优选实质上由石墨构成。在基材31实质上由石墨构成时，基材31也可以含有硼等的石墨以外的成分。 [0097] 碳化钽层40配置于凹部31a的底面31a1上。另外，碳化钽层40也配置于凹部31a的侧面31a2之上。碳化钽层40实质上由碳化钽构成。 [0098] 碳化硅层32配置于碳化钽层40和基材31之间。具体而言，在凹部31a的底面31a1上，碳化硅层32配置于碳化钽层40和基材31之间。在凹部31a的侧面31a2上，碳化硅层32也配置于碳化钽层40和基材31之间。 [0099] 在基座21，碳化硅层32配置于基材31的表面整体之上。但是，在本发明中，只要在基材的凹部的底面上碳化硅层配置于碳化钽层和基材之间，在其他部分可以配置碳化硅层，也可以不配置。 [0100] 如上所述，如专利文献1所公开的、由被碳化钽包覆的石墨材料构成的基座存在晶片的配置面的均热性低的问题。相对于此，在基座21中，在碳化钽层40和基材31之间配置有碳化硅层32。碳化硅的热传导率高。因此，碳化硅层32能够将来自基材31的热以高的均匀性传递到碳化钽层40。因此，利用基座21，作为晶片配置面的碳化钽层40的表面40a的均热性高，能够将热以高的均匀性传递到晶片。 [0101] 为了提高基座21的均热性，优选在凹部31a的底面31a1上碳化硅层32比碳化钽层40厚。具体而言，碳化硅层32的厚度优选为60μm以上，更优选为80μm以上。此外，如果碳化硅层32过厚，表面粗糙度变差、平面度也变差，因此，碳化硅层32的厚度优选为200μm以下。 [0102] 碳化钽层40也配置于凹部31a的侧面31a2之上，在凹部31a的侧面31a2上，碳化硅层32配置于碳化钽层40和基材31之间时，基座21能够将热以更高的均匀性传递到晶片。 [0103] 为了提高基座21的均热性，碳化钽层40的厚度优选为10μm以下，更优选为5μm以下。另外，由于钽昂贵，通过使碳化钽层40的厚度为10μm以下，能够使基座21变得廉价。此外，如果碳化钽层40过薄，则变得不致密，因此，碳化钽层40的厚度优选为1μm以上。 [0104] 基座21例如能够如下所述来制造。首先，准备基材31。接着，在基材31的表面上，通过热CVD等的方法形成碳化硅层32。在碳化硅层32的表面32a之上，通过化学蒸镀(CVD)法等形成钽层。此后，通过对钽层实施浸碳处理，形成碳化钽层40。通过如上所述的方法，能够制造基座21。其中，浸碳处理例如能够通过日本特开2010-280948号公报中记载的方法等的公知方法来进行。 [0105] 符号说明 [0106] 1：碳化硅-碳化钽复合材料；10：主体；11：石墨基材；11a：石墨基材的表面；12：第一碳化硅层；12a：第一碳化硅层的表面；13：第二碳化硅层；13a：第二碳化硅层的表面； 20：碳化钽层；20a：碳化钽层的表面；21：基座；31：基材；31a：基材的凹部；31a1：基材的凹部的底面；31a2：基材的凹部的侧面；32：碳化硅层；32a：碳化硅层的表面；40：碳化钽层；40a：碳化钽层的表面。 |
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