低温固相烧成泡沫陶瓷及其制备方法

申请号 CN201610182278.4 申请日 2016-03-28 公开(公告)号 CN105801163A 公开(公告)日 2016-07-27
申请人 贵州师范大学; 发明人 黎阳; 孙文飞;
摘要 本 发明 公开了一种低温固相烧成 碳 化 硅 泡沫 陶瓷及其制备方法,按 质量 份数计算,碳化硅微粉颗粒45?60份和粘结剂25?45份为制备原料;聚 氨 酯海绵为模板。本发明利用 磷酸 二氢 铝 作为粘结剂来制备SiC泡沫陶瓷,它能实现泡沫陶瓷的低成本低温制备。明所制得的碳化硅泡沫陶瓷具有烧成 温度 低,抗折强度高、孔隙率高,平均孔径在0.3~3.5mm之间且 孔径分布 均匀的特点。本发明的制备方法可以大大降低成本、且工艺实施简单、容易过度到大批量生产,有效地避免了传统碳化硅泡沫陶瓷制备工艺复杂,烧成温度高的难题。
权利要求

1.一种低温固相烧成泡沫陶瓷,其特征在于:以聚酯海绵为泡沫陶瓷模板,浆料的组成按质量份数计算包括碳化硅微粉颗粒45-60份及粘结剂25-45份。
2.根据权利要求1所述的低温固相烧成碳化硅泡沫陶瓷,其特征在于:所述聚氨酯海绵开气孔率>99%,孔径为0.2~3.5mm。
3.根据权利要求1所述的低温固相烧成碳化硅泡沫陶瓷,其特征在于:所述碳化硅微粉颗粒为α-SiC或β-SiC微粉,粒度为0.3-20μm之间。
4.根据权利要求1所述的低温固相烧成碳化硅泡沫陶瓷,其特征在于:所述的粘接剂为磷酸二氢溶液或是磷酸二氢铝粉末。
5.一种如权利要求1所述的低温固相烧成碳化硅泡沫陶瓷的制备方法,其特征在于:按上述质量份数取各组分;将碳化硅微粉颗粒与粘结剂混合后,充分搅拌后困料24小时,获得预制体浆料;然后用聚氨酯泡沫在预制体浆料中进行挂浆,再用辊压机以3:1~6:1的挤压比去除聚氨酯海绵上多余的浆料后,得到泡沫预制体,将泡沫预制体放在45~55℃恒温烘箱中干燥40~55h后,再将干燥后的泡沫预制体置于箱式炉内,在空气或惰性气氛中以100~200℃/h升温速率升温至700~1000℃,保温2h,随炉自然冷却至室温得到碳化硅泡沫陶瓷。
6.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于:所述的惰性气氛为氮气、氩气或氦气。
7.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于:碳化硅微粉颗粒与粘结剂混合后,加入去离子,使浆料中粘结剂的质量百分比调整为25~45%,碳化硅的质量百分比调整为45~60%。

说明书全文

低温固相烧成泡沫陶瓷及其制备方法

技术领域

[0001] 本发明属于陶瓷材料制备技术领域,涉及一种低温固相烧成碳化硅泡沫陶瓷及其制备方法。

背景技术

[0002] 碳化硅泡沫陶瓷因其三维立体网络骨架和贯通气孔结构,具有密度低、强度高、孔隙率高、渗透性高、比表面积大、抗腐蚀、抗化、隔热性良好、抗热震次数和耐高温性优异等特点,已广泛应用于过滤、吸音、化工填料、生物陶瓷和催化剂载体等领域。碳化硅是一种具有强共价键的无机非金属材料,与氧化物相比,它有好的热导率、抗热震性和耐磨性。介于碳化硅泡沫陶瓷材料在低温下很难烧成,即便添加烧成助剂,大多烧成温度都在1400℃以上,聚碳硅烷虽能满足低温下烧成,但产品线收缩率大、成本极高,限制了其应用。
[0003] 磷酸盐粘结剂具有耐性好、固化收缩率小、高温强度大以及可在较低温度下固化等优点,已广泛应用于耐火材料、铸造和无机涂料等邻域。

发明内容

[0004] 本发明的目的是:提供了一种低温固相烧成碳化硅泡沫陶瓷及其制备方法,它具有烧成温度低、抗折强度高、孔隙率高、孔径分布均匀的特点,并且其制备工艺简单、成本低廉,以克服现有技术的不足。
[0005] 本发明是这样实现的:低温固相烧成碳化硅泡沫陶瓷,以聚酯海绵为泡沫陶瓷模板,浆料的组成按质量份数计算包括碳化硅微粉颗粒45-60份及粘结剂25-45份。
[0006] 所述聚氨酯海绵开气孔率>99%,孔径为0.2~3.5mm。
[0007] 所述碳化硅微粉颗粒为α-SiC 微粉或β-SiC微粉,粒度为0.3-20μm,纯度为98.2%以上。
[0008] 所述的粘接剂为磷酸二氢溶液或磷酸二氢铝粉末。
[0009] 低温固相烧成碳化硅泡沫陶瓷的制备方法,按上述质量份数取各组分;将碳化硅微粉颗粒与粘结剂混合后,充分搅拌后困料24小时,获得预制体浆料;然后用聚氨酯泡沫在预制体浆料中进行挂浆,用辊压机以3:1~6:1的挤压比去除聚氨酯海绵上多余的浆料后,得到泡沫预制体,将泡沫预制体放在45~55℃恒温烘箱中干燥40-55h后,再将干燥后的泡沫预制体置于箱式炉内,在空气或惰性气氛中以100~200℃/h升温速率升温至700~1000℃,保温2h,随炉自然冷却至室温得到碳化硅泡沫陶瓷。
[0010] 所述的惰性气氛为氮气、氩气或氦气。
[0011] 碳化硅微粉颗粒与粘结剂混合后,加入去离子水,使浆料中粘结剂的质量百分比调整为25~45%,碳化硅的质量百分比调整为45~60%。
[0012] 由于采用了上述技术方案,与现有技术相比,本发明利用磷酸二氢铝作为粘结剂来制备SiC泡沫陶瓷,它能实现泡沫陶瓷的低成本低温制备。明所制得的碳化硅泡沫陶瓷具有烧成温度低,抗折强度高、孔隙率高,平均孔径在0.3~3.5mm之间且孔径分布均匀的特点。本发明的制备方法可以大大降低成本、且工艺实施简单、容易过度到大批量生产,有效地避免了传统碳化硅泡沫陶瓷制备工艺复杂,烧成温度高的难题。附图说明
[0013] 附图1为本发明的实施例1的产品的微观结构图;附图2为本发明的实施例3的产品的微观结构图。

具体实施方式

[0014] 下面结合附图对本发明作进一步的详细说明,但不作为对本发明的任何限制本发明的实施例1:低温固相烧成碳化硅泡沫陶瓷,按质量份数计算,碳化硅微粉颗粒60份及粘结剂40份为浆料的制备原料,聚氨酯海绵为模板;所述聚氨酯海绵开气孔率>99%,孔径为0.2~0.8mm;所述碳化硅微粉颗粒采用市售的α-SiC型号的产品,其平均粒度D50= 5μm,纯度为98.2%;所述的粘接剂为磷酸二氢铝溶液,磷酸二氢铝的质量百分比为80%。
[0015] 低温固相烧成碳化硅泡沫陶瓷的制备方法,按上述质量份数取各组分;将磷酸二氢铝溶液加入碳化硅微粉颗粒进行混合,充分搅拌后困料24小时,获得预制体浆料;将聚氨酯泡沫裁剪为50mm×15mm×15mm的长方体,将裁剪好的聚氨酯泡沫挤压排除空气后浸泡到预制体浆料中,让其自由伸展并不断搅拌挤压揉搓,使浆料均匀地涂挂在聚氨酯海绵上,捞出聚氨酯海绵,用辊压机以4:1的挤压比(指原始泡沫平均厚度与对辊间距的比值)去除聚氨酯海绵上多余的浆料后,得到泡沫预制体;将泡沫预制体放在50℃恒温烘箱中干燥48h,使其水份缓慢蒸发防止泡沫预制体变形,再将干燥后的泡沫预制体置于箱式炉内,在空气气氛中以100℃/h升温速率升温至800℃,保温2h,随炉自然冷却至室温得到碳化硅泡沫陶瓷。
[0016] 经检测,得到的产品体积密度为0.491g/cm3,抗折强度为1.24MPa。
[0017] 本发明的实施例2:低温固相烧成碳化硅泡沫陶瓷,按质量份数计算,碳化硅微粉颗粒60份及粘结剂30份为浆料的制备原料,聚氨酯海绵为模板;所述聚氨酯海绵开气孔率>99%,孔径为0.2~0.8mm;所述碳化硅微粉颗粒采用市售的α-SiC型号的产品,其平均粒度D50= 10μm,纯度为98.2%;所述的粘接剂为磷酸二氢铝溶液,磷酸二氢铝的质量百分比为80%。
[0018] 低温固相烧成碳化硅泡沫陶瓷的制备方法,按上述质量份数取各组分;将磷酸二氢铝溶液加入碳化硅微粉颗粒进行混合,并加入10份去离子水,充分搅拌后困料24小时,获得预制体浆料;将聚氨酯泡沫裁剪为50mm×15mm×15mm的长方体,将裁剪好的聚氨酯泡沫挤压排除空气后浸泡到预制体浆料中,让其自由伸展并不断搅拌挤压揉搓,使浆料均匀地涂挂在聚氨酯海绵上,捞出聚氨酯海绵,用辊压机以4:1的挤压比(指原始泡沫平均厚度与对辊间距的比值)去除聚氨酯海绵上多余的浆料后,得到泡沫预制体;将泡沫预制体放在50℃恒温烘箱中干燥48h,使其水份缓慢蒸发防止泡沫预制体变形,再将干燥后的泡沫预制体置于箱式炉内,在空气气氛中以100℃/h升温速率升温至800℃,保温2h,随炉自然冷却至室温得到碳化硅泡沫陶瓷。
[0019] 经检测,得到的产品体积密度为0.313g/cm3,抗弯强度为0.77MPa。
[0020] 本发明的实施例3:低温固相烧成碳化硅泡沫陶瓷,按质量份数计算,碳化硅微粉颗粒55份及粘结剂45份为浆料的制备原料,聚氨酯海绵为模板;所述聚氨酯海绵开气孔率>99%,孔径为0.2~0.8mm;所述碳化硅微粉颗粒采用市售的α-SiC型号的产品,其平均粒度D50= 5μm,纯度为98.2%;所述的粘接剂为磷酸二氢铝溶液,磷酸二氢铝的质量百分比为80%。
[0021] 低温固相烧成碳化硅泡沫陶瓷的制备方法,按上述质量份数取各组分;将磷酸二氢铝溶液加入碳化硅微粉颗粒进行混合,并加入10份去离子水,充分搅拌后困料24小时,获得预制体浆料;将聚氨酯泡沫裁剪为50mm×15mm×15mm的长方体,将裁剪好的聚氨酯泡沫挤压排除空气后浸泡到预制体浆料中,让其自由伸展并不断搅拌挤压揉搓,使浆料均匀地涂挂在聚氨酯海绵上,捞出聚氨酯海绵,用辊压机以4:1挤压比(指原始泡沫平均厚度与对辊间距的比值)为去除聚氨酯海绵上多余的浆料后,得到泡沫预制体;将泡沫预制体放在50℃恒温烘箱中干燥48h,使其水份缓慢蒸发防止泡沫预制体变形,再将干燥后的泡沫预制体置于箱式炉内,在惰性气氛中以200℃/h升温速率升温至1000℃,保温2h,随炉自然冷却至室温得到碳化硅泡沫陶瓷。
[0022] 经检测,得到的产品体积密度为0.393g/cm3,抗弯强度为2.06MPa,显气孔率为78.8%。
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