1.一种磁性随机存取存储器（MRAM）设备（10），包括：
位线（21-23）、写入字线（31-33）、读取字线（41-43）以及经由所述位线（21-23）、写入字线（31-33）和读取字线（41-43）互连的多个存储器位单元（51-53），所述存储器位单元（51-53）中的每一个具有被介电隧道势垒元件（81-83）隔开的固定铁磁层元件（61-63）和自由铁磁层元件（71-73），
其中，所述写入字线（31-33）中的每一个和对应的多个自由铁磁层元件（71-73）被形成为一个单独的连续铁磁线（91-93）。
2.如权利要求1所述的MRAM设备，
进一步包括介电层元件（101-103），该介电层元件中的每一个被布置在对应的一个位线（21-23）和所述连续铁磁线（91-93）之间以便形成电容性元件。
3.如权利要求2所述的MRAM设备，
其中，所述电容性元件被配置成在写入操作中形成绝缘体。
4.如权利要求2或者3所述的MRAM设备，
其中，所述电容性元件被配置成在读取操作中形成导体。
5.如权利要求2所述的MRAM设备，
其中，所述电容性元件被配置成在写入操作中形成绝缘体并在读取操作中形成导体。
6.如前面任何一项权利要求所述的MRAM设备，
其中，所述存储器位单元（51-53）被布置在对应的一个写入字线（31）下面，所述对应的一个写入字线（31）和所述存储器位单元（51-53）的自由铁磁层元件（71-73）被形成为一个单独的连续铁磁线（91）。
7.如前面任何一项权利要求所述的MRAM设备，
其中，所述存储器位单元（51-53）被布置为具有行和列的矩阵，其中，布置在一行中的存储器位单元（51-53）被连接到一个写入字线（31），其中，所述一个写入字线（31）和所述一行存储器位单元（51-53）的自由铁磁层元件（71-73）被形成为一个单独的连续铁磁线（91）。
8.如前面任何一项权利要求所述的MRAM设备，
其中，对应存储器位单元（51-53）的对应自由铁磁层元件（71-73）被形成为所述连续铁磁线（91）的一部分，该部分被布置在所述连续铁磁线（91）和对应位线（21-23）的相交区域中。
9.如前面任何一项权利要求所述的MRAM设备，
其中，所述读取字线（41-43）中的每一个被布置成与对应的一个连续铁磁线（91-93）平行，并被配置成使得两维选择方案可应用于读取操作和写入操作。
10.如前面任何一项权利要求所述的MRAM设备，
其中，所述存储器位单元（51-53）被布置在三维布置中，该三维布置具有多个存储器位单元（51-53）的两维矩阵，所述两维矩阵彼此堆叠。
11.如前面任何一项权利要求所述的MRAM设备，
其中，所述固定铁磁层元件（61-63）和自由铁磁层元件（71-73）的每一个由铁磁材料形成，尤其包括NiFe、CoFe或CoFeB。
12.如前面任何一项权利要求所述的MRAM设备，
其中，所述自由铁磁层元件（61-63）被配置成在预定激励下可修改，所述预定激励诸如施加外部磁场和温度。
13.如前面任何一项权利要求所述的MRAM设备，
其中，在所述连续铁磁线（91）和对应位线（21-23）的相交区域的对应附近提供畴壁钉扎部位（130）。
14.如权利要求13所述的MRAM，
其中，所述畴壁钉扎部位（130）中的每一个的形状体现为弯曲形状或多边形形状，并且其中，优选地，所述畴壁钉扎部位（130）中的每一个的尺寸是根据所述连续铁磁线（91）的几何结构和/或材料来配置的。
15.一种用于生产磁性随机存取存储器（MRAM）设备的方法，该方法包括：
提供（701）读取字线、写入字线和位线，
提供（702）多个存储器位单元，其中，所述存储器位单元中的每一个被提供成具有被介电隧道势垒元件隔开的固定铁磁层元件和自由铁磁层元件，其中，所述写入字线中的每一个和对应的多个自由铁磁层元件被形成为一个单独的连续铁磁线，以及
经由所述读取字线、写入字线和位线互连（703）所述存储器位单元。