1.一种磁性隧道结器件的制造方法，所述方法包括：
将含有铁磁性材料的第一层沉积的第一层沉积步骤；
将隧道势垒层沉积至所述铁磁性层上的隧道势垒层沉积步骤；和
将含有铁磁性材料的第二层沉积至所述隧道势垒层上的第二层沉积步骤，其中所述第一层沉积步骤包括形成第一无定形铁磁性层的第一无定形铁磁性层形成步骤，和形成第二结晶铁磁性层的第二结晶铁磁性层形成步骤，所述第二结晶铁磁性层是被所述第一无定形铁磁性层和所述隧道势垒层夹置的优先晶粒生长促进(PGGP)籽晶层。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一层中的第一无定形铁磁性层是含有Co、Fe和B的三元合金。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一层中的第一无定形铁磁性层以1nm至
4nm之间的厚度形成。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一层中作为PGGP籽晶层的第二结晶铁磁性层使用Co、Ni、Fe和B中至少一种形成。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一层中作为PGGP籽晶层的第二结晶铁磁性层是具有体心立方结构的结晶体。
6.根据权利要求1所述的方法，其中将所述第一层中作为PGGP籽晶层的第二结晶铁磁性层沉积为(001)面外织构。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一层中作为PGGP籽晶层的第二结晶铁磁性层以0.5nm至2nm之间的厚度形成。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一层中作为PGGP籽晶层的第二结晶铁磁性层的厚度等于或小于所述第一层中的第一无定形铁磁性层的厚度。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述隧道势垒层沉积步骤包括：
将第一金属层形成于所述作为PGGP籽晶层的第二结晶铁磁性层上的第一金属层形成步骤，和
通过将所述第一金属层进行氧化处理从而形成金属氧化物层的处理步骤，和将第二金属覆盖层沉积至所述金属氧化物层上的步骤。
10.根据权利要求9所述的方法，所述氧化处理包括自由基氧化、等离子体氧化、臭氧氧化和自然氧化。
11.根据权利要求9所述的方法，其中所述隧道势垒是无定形或具有不良(001)面外织构的微晶。
12.根据权利要求1所述的方法，其中所述隧道势垒层沉积步骤包括：
将部分或完全氧化的金属氧化物层形成于所述作为PGGP籽晶层的第二结晶铁磁性层上的金属氧化物层形成步骤，
通过将所述金属氧化物层进行氧化处理从而形成完全氧化的金属氧化物层的处理步骤，和
将金属覆盖层沉积至所述完全氧化的金属氧化物层上的步骤。
13.根据权利要求12所述的方法，其中所述金属氧化物形成过程是反应性溅射并且所述氧化处理包括自由基氧化、等离子体氧化、臭氧氧化和自然氧化。
14.根据权利要求12所述的方法，其中所述通过反应性溅射制备的隧道势垒是无定形或具有不良(001)面外织构的微晶。
15.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二层是无定形层，其是含有Co、Fe和B的三元合金。
16.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二层也可以通过沉积步骤制备，所述沉积步骤包括：
形成沉积至所述隧道势垒层上的作为PGGP籽晶层的第三结晶铁磁性层的第三结晶铁磁性层形成步骤，和
形成沉积至所述作为PGGP籽晶层的第三结晶铁磁性层上的第四无定形铁磁性层的第四无定形铁磁性层形成步骤。
17.根据权利要求16所述的方法，其中所述第二层中作为PGGP籽晶层的第三结晶铁磁性层使用Co、Ni、Fe和B中至少一种形成。
18.根据权利要求16所述的方法，其中所述第二层中作为PGGP籽晶层的第三结晶铁磁性层是具有体心立方结构的结晶体。
19.根据权利要求16所述的方法，其中将所述第二层中作为PGGP籽晶层的第三结晶铁磁性层沉积为(001)面外织构。
20.根据权利要求16所述的方法，其中所述第二层中作为PGGP籽晶层的第三结晶铁磁性层以0.5nm至2nm之间的厚度形成。
21.根据权利要求16所述的方法，其中所述第二层中的第四无定形铁磁性层是含有Co、Fe和B的三元合金。
22.根据权利要求16所述的方法，其中所述第二层中的第四无定形铁磁性层以1nm至
4nm之间的厚度形成。
23.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
将铁磁性被钉扎层沉积的铁磁性被钉扎层沉积步骤；和
将非磁性间隔层沉积的非磁性间隔层沉积步骤，
其中将所述第一层作为铁磁性参照层沉积在所述铁磁性被钉扎层上。
24.根据权利要求23所述的方法，其中所述铁磁性被钉扎层是无定形铁磁性被钉扎层，其是含有Co、Fe和B的三元合金。
25.根据权利要求23所述的方法，其中所述铁磁性被钉扎层也可以通过包括以下的沉积步骤制备：
形成第一无定形铁磁性被钉扎层的第一无定形铁磁性被钉扎层形成步骤，和形成沉积至所述第一无定形铁磁性被钉扎层上的第二结晶铁磁性被钉扎层的第二结晶铁磁性被钉扎层形成步骤。
26.根据权利要求25所述的方法，其中所述铁磁性被钉扎层中的第二结晶铁磁性被钉扎层使用Co、Ni、Fe和B中至少一种形成。
27.根据权利要求25所述的方法，其中所述铁磁性被钉扎层中的第一无定形铁磁性被钉扎层是含有Co、Fe和B的三元合金。
28.根据权利要求25所述的方法，其中所述铁磁性被钉扎层中的第一无定形铁磁性被钉扎层以0.5nm至2nm之间的厚度形成。
29.根据权利要求25所述的方法，其中所述铁磁性被钉扎层中的第二结晶铁磁性被钉扎层以1nm至4nm之间的厚度形成。
30.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
所述第一无定形铁磁性层的结晶和所述隧道势垒层的晶粒生长的过程，所述隧道势垒层是无定形或具有不良(001)面外织构的微晶。
31.根据权利要求30所述的方法，其中所述第一无定形铁磁性层的结晶和所述隧道势垒层的优先晶粒生长的过程通过真空退火进行，以及真空退火条件是300℃-400℃、在
3-10kOe的磁场下1-4小时。
32.根据权利要求30所述的方法，其中所述第一无定形铁磁性层的结晶和所述隧道势垒层的优先晶粒生长使用所述作为PGGP籽晶层的第二结晶铁磁性层作为退火期间邻接的结晶或晶粒生长籽晶层来实现，由此最终获得所述第一层和隧道势垒层的整体(001)面外织构。
33.一种磁性隧道结器件的制造方法，所述方法包括：
将含有铁磁性材料的第一层沉积的第一层沉积步骤，所述第一层沉积步骤包括：
形成第一无定形铁磁性层的第一步骤，和
形成第二结晶层至所述第一无定形铁磁性层上的第二步骤；
将隧道势垒层沉积的隧道势垒层沉积步骤，所述隧道势垒层是无定形或具有不良(001)面外织构的微晶，和
所述第一层的结晶和所述隧道势垒层的晶粒生长的过程。
34.一种磁性隧道结器件的制造方法，所述方法包括：
将含有铁磁性材料的第一层沉积的第一层沉积步骤，所述第一层沉积步骤包括：
形成第一无定形铁磁性层的第一步骤，和
形成第二结晶铁磁性层至所述第一无定形铁磁性层上的第二步骤；
将由金属氧化物组成的隧道势垒层沉积至所述下层铁磁性层的隧道势垒层沉积步骤，其中所述隧道势垒层沉积步骤包括：
形成金属层至所述第二铁磁性层上的金属层形成步骤，
通过将所述金属层进行氧化处理从而形成金属氧化物层的处理步骤；和所述第一层和所述隧道势垒层的结晶或优先晶粒生长的过程。
35.一种磁性隧道结器件的制造方法，所述方法包括：
将含有铁磁性材料的第一层沉积的第一层沉积步骤，所述第一层沉积步骤包括：
形成第一无定形铁磁层的第一步骤，和
形成第二结晶铁磁性层至所述第一无定形铁磁性层上的第二步骤；
将由金属氧化物组成的隧道势垒层沉积至所述下层铁磁性层的隧道势垒层沉积步骤，其中所述隧道势垒层沉积步骤包括：
形成部分或完全氧化的金属氧化物层至所述第二铁磁性层上的金属氧化物层形成步骤，
通过将所述金属氧化物层进行氧化处理从而形成完全氧化的金属氧化物层的处理步骤；和
所述第一层和所述隧道势垒层的结晶或优先晶粒生长的过程。
36.一种磁性隧道结器件的制造方法，所述方法包括：
将含有铁磁性材料的自由层沉积的自由层沉积步骤；
将含有铁磁性材料的参照层沉积的参照层沉积步骤；
将隧道势垒层沉积在所述自由层和所述参照层之间的隧道势垒层沉积步骤；
将接触所述参照层的非磁性间隔层沉积的非磁性间隔层沉积步骤；和
将接触所述非磁性间隔层的铁磁性被钉扎层沉积的铁磁性被钉扎层沉积步骤，其中所述铁磁性被钉扎层沉积步骤包括：
形成接触所述非磁性间隔层的结晶铁磁性被钉扎层的结晶铁磁性被钉扎层形成步骤，和
形成接触所述结晶铁磁性被钉扎层的无定形铁磁性被钉扎层的无定形铁磁性被钉扎层形成步骤。