1.一种对准磁膜的方法，所述方法包含：
在将第一磁性材料沉积到衬底上期间在所述衬底驻留于其中的区域中施加沿第一方向的第一磁场，其中所述磁膜包含所述第一磁性材料；及
在所述将所述第一磁性材料沉积到所述衬底上期间在所述区域中施加沿第二方向的第二磁场。
2.根据权利要求1所述的方法，其中近似同时施加所述第一磁场及所述第二磁场。
3.根据权利要求2所述的方法，其中在共同时间间隔期间施加所述第一磁场及所述第二磁场。
4.根据权利要求1所述的方法，其中使所述第一磁场近似平行于所述衬底的第一部分的第一易磁化轴而定向，且使所述第二磁场近似平行于所述衬底的第二部分的第二易磁化轴而定向。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一磁场具有第一磁场强度，其中所述第一磁场强度具有小于大约1000奥斯特的值。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二磁场具有第二磁场强度，其中所述第二磁场强度具有小于大约1000奥斯特的值。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底包含第二磁性材料。
8.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含在所述沉积所述第一磁性材料之后，使所述第一磁性材料磁性退火，其中所述磁性退火包含将第三磁场施加到所述区域，使所述第三磁场大体上沿所述第一方向而定向。
9.根据权利要求8所述的方法，其中所述第三磁场具有超过与所述第一磁场相关联的第一磁场强度的第三磁场强度。
10.根据权利要求8所述的方法，其进一步包含将第四磁场施加到所述区域，其中使所述第四磁场大体上沿所述第二方向而定向。
11.根据权利要求10所述的方法，其中所述第四磁场具有超过与所述第二磁场相关联的第二磁场强度的第四磁场强度。
12.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底包含：
具有第一易磁化轴的第一衬底部分及具有第二易磁化轴的第二衬底部分；
其中将所述衬底定向于所述区域内以使得使所述第一易磁化轴大体上沿所述第一方向而定向且使所述第二易磁化轴大体上沿所述第二方向而定向。
13.一种设备，其包含：
沉积室，其经配置以将磁性材料沉积到衬底上，所述沉积室包括沉积区域；
用于在所述沉积区域内施加第一磁场的装置，所述第一磁场大体上沿第一方向而定向；
用于在所述沉积区域内施加第二磁场的装置，所述第二磁场大体上沿第二方向而定向；
其中在沉积过程期间，所述磁性材料处于所述沉积区域内。
14.根据权利要求13所述的设备，其中所述第一磁场具有不超过数百奥斯特的第一磁场强度。
15.根据权利要求13所述的设备，其中所述第一磁场具有不超过大约100奥斯特的第一磁场强度。
16.根据权利要求13所述的设备，其中所述第二磁场具有不超过数百奥斯特的第二磁场强度。
17.根据权利要求13所述的设备，其中所述第二磁场具有不超过100奥斯特的第二磁场强度。
18.根据权利要求13所述的设备，其中所述第一方向近似垂直于所述第二方向。
19.根据权利要求13所述的设备，其进一步包含用于在第一区域内施加第三磁场的装置，所述第三磁场大体上沿不同于所述第一方向及所述第二方向的第三方向而定向。
20.根据权利要求19所述的设备，其中所述衬底包含：
具有第一易磁化轴的第一衬底部分、具有第二易磁化轴的第二衬底部分及具有第三易磁化轴的第三衬底部分；
其中所述第一易磁化轴大体上沿所述第一方向而定向，所述第二易磁化轴大体上沿所述第二方向而定向，且所述第三易磁化轴大体上沿所述第三方向而定向。
21.一种设备，其包含：
界定封闭区域的外壳，其经配置以封闭衬底，所述衬底包括具有第一易磁化轴的第一衬底部分及具有第二易磁化轴的第二衬底部分，所述衬底将在所述衬底处于所述封闭区域中的同时经由沉积接收磁性材料；
第一磁场产生器，其经配置以在所述封闭区域中产生第一磁场，所述第一磁场具有第一磁场方向；
第二磁场产生器，其经配置以在所述封闭区域中产生第二磁场，所述第二磁场具有第二磁场方向；
其中当所述第一磁场方向大体上与所述第一易磁化轴一致时，所述所沉积磁性材料的驻留于所述第一衬底部分上的第一部分具有至少部分地与所述第一易磁化轴对准的第一磁性定向；且
其中当所述第二磁场大体上与所述第二易磁化轴一致时，所述所沉积磁性材料的驻留于所述第二衬底部分上的第二部分具有至少部分地与所述第二易磁化轴对准的第二磁性定向。
22.根据权利要求20所述的设备，其中所述所沉积磁性材料的所述第一部分及所述所沉积磁性材料的所述第二部分形成至少部分地覆盖所述衬底的磁膜。
23.根据权利要求21所述的设备，其中磁性隧道结是由所述衬底的一部分及所述磁膜的一部分形成的。
24.一种磁性随机存取存储器(MRAM)，其包含：
衬底，其包括具有第一易磁化轴的第一衬底部分及具有第二易磁化轴的第二衬底部分；
包括沉积于所述衬底上的磁性材料的膜，所述膜包括第一膜部分及第二膜部分；
所述第一膜部分耦合到所述第一衬底部分，其中所述第一膜部分包括大体上沿所述第一易磁化轴对准的第一磁性材料部分；
所述第二膜部分耦合到所述第二衬底部分，其中所述第二膜部分包括大体上沿所述第二易磁化轴对准的第二磁性材料部分；
其中在沉积所述膜期间，所述衬底经受大体上沿所述第一易磁化轴定向的第一磁场，同时所述衬底经受大体上沿所述第二易磁化轴定向的第二磁场。
25.根据权利要求24所述的MRAM，其中所述第一磁场具有小于数百奥斯特的第一磁场强度且所述第二磁场具有小于数百奥斯特的第二磁场强度。