1.一种光固化物，其特征在于，其通过用光照射与模具接触的光固化性组合物而获得，所述光固化物含有由下式[1]表示的含氟原子表面活性剂：
R1-X1-R2-X2-R3   [1]
其中R1表示全氟烷基，R2表示含有氧化乙烯的二价取代基，R3表示选自烷基羟基、羧基、硫醇基、吡啶基、硅烷醇基和磺基的极性官能团，X1和X2各自表示单键或二价取代基，其中所述含氟原子表面活性剂与所述光固化物的比例为0.001重量％至5重量％，其中
在通过所述光固化物的基于飞行时间二次离子质谱法的表面分析获得的二次离子信号中，m/z＝45的C2H5O+离子的信号强度与m/z＝59的C3H7O+离子的信号强度的比值是2以上且284006/35811以下。
2.根据权利要求1所述的光固化物，其中所述含氟原子表面活性剂是F(CF2)6CH2(OCH2CH2)6OH。
3.一种光固化性组合物，其特征在于，其用于在与模具接触下通过光照射来获得光固化物，所述光固化性组合物至少具有
聚合性单体，
光聚合引发剂，和
由下式[1]表示的含氟原子表面活性剂：
R1-X1-R2-X2-R3   [1]
其中R1表示全氟烷基，R2表示含有氧化乙烯的二价取代基，R3表示选自烷基羟基、羧基、硫醇基、吡啶基、硅烷醇基和磺基的极性官能团，X1和X2各自表示单键或二价取代基，其中所述含氟原子表面活性剂与所述光固化物的比例为0.001重量％至5重量％，其中
在通过所述光固化物的基于飞行时间二次离子质谱法的表面分析获得的二次离子信号中，m/z＝45的C2H5O+离子的信号强度与m/z＝59的C3H7O+离子的信号强度的比值是2以上且284006/35811以下。
4.根据权利要求3所述的光固化性组合物，其中所述含氟原子表面活性剂是F(CF2)6CH2(OCH2CH2)6OH。
5.一种在基板上具有预定的图案形状的光固化物的形成方法，其特征在于，其包括以下步骤：
用光固化性组合物涂布所述基板；
将所述光固化性组合物与模具接触；
隔着所述模具用光照射所述光固化性组合物；和
将所述模具从所述光固化性组合物脱模，其中
所述光固化物是根据权利要求1或2所述的光固化物。
6.一种电路基板的制造方法，其特征在于，其包括以下步骤：
将光固化性组合物施涂到被加工基板上；
将模具压向所述光固化性组合物，以在所述光固化性组合物中形成图案；
用光照射具有所述图案的所述光固化性组合物，以制备具有所述图案的固化物；
和将所述模具从所述固化物脱模，以在所述被加工基板上形成固化物中的基于图案的电路结构，
其中，所述固化物是根据权利要求1或2所述的光固化物。
7.根据权利要求6所述的电路基板的制造方法，其中所述电路基板为半导体器件。
8.一种具有凹凸图案的固化物的制造方法，其特征在于，其包括以下步骤：
将光固化性组合物施涂到被加工基板上；
将具有凹凸表面的模具与所述光固化性组合物接触，以在所述光固化性组合物中形成相应的凹凸图案；
用光照射具有所述图案的所述光固化性组合物，以制备具有所述图案的固化物；
和将所述模具从所述固化物脱模，以制备具有所述图案的固化物，
其中，所述固化物是根据权利要求1或2所述的光固化物。
9.一种图案的形成方法，其特征在于，其包括以下步骤：
将光固化性组合物施涂到被加工基板上；
将具有凹凸表面的模具与光固化性组合物接触，以在所述光固化性组合物中形成相应的凹凸图案；
用光照射具有所述图案的所述光固化性组合物，以制备具有所述图案的固化物；
和将所述模具从所述固化物脱模，以在所述固化物中形成所述图案，
其中，所述固化物是根据权利要求1或2所述的光固化物。