1.一种非共振双光子吸收记录材料，其包含非共振双光子吸收聚合物化合物，其中所述非共振双光子吸收聚合物化合物是包含由下式(1)表示的结构的化合物：
式(1)
其中Y代表Hammettσ-p值(σp值)为0以上的取代基；X代表Hammettσ-p值(σp值)为0以上的二价取代基；X和Y可以彼此相同或不同；n代表1至4的整数；R1代表氢原子或取代基；R2代表二价取代基；R3代表取代基；当存在多个R1、R2或R3时，R1、R2或R3可以与其它各R1、R2或R3相同或不同；l代表1或更大的整数；并且m代表0至4的整数。
2.根据权利要求1所述的非共振双光子吸收记录材料，
其中所述非共振双光子吸收聚合物化合物的主链包含选自聚苯乙烯、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚酯、聚氨酯、聚醚和聚酰亚胺中的至少一者。
3.根据权利要求1所述的非共振双光子吸收记录材料，
其中所述非共振双光子吸收聚合物化合物是包含由下式(2)表示的结构的化合物：
式(2)
其中Y代表Hammettσ-p值(σp值)为0以上的取代基；X代表Hammettσ-p值(σp值)为0以上的二价取代基；X和Y可以彼此相同或不同；n代表1至4的整数；R1代表氢原子或取代基；R2代表二价取代基；R3代表取代基；当存在多个R1、R2或R3时，R1、R2或R3可以与其它各R1、R2或R3相同或不同；l代表1或更大的整数；并且m代表0至4的整数。
4.根据权利要求3所述的非共振双光子吸收记录材料，
其中所述由式(2)代表的非共振双光子吸收聚合物化合物是包含下式(3)表示的结构的化合物：
式(3)
其中Y代表Hammettσ-p值(σp值)为0以上的取代基；n代表1至4的整数；R1代表氢原子或取代基；R2代表二价取代基；R3代表取代基；当存在多个R1、R2或R3时，R1、R2或R3可以与其它各R1、R2或R3相同或不同；l代表1或更大的整数；并且m代表0至4的整数。
5.根据权利要求3所述的非共振双光子吸收记录材料，
其中所述由式(2)代表的非共振双光子吸收聚合物化合物为包含由下式(4)表示的结构的化合物：
式(4)
其中Y代表Hammettσ-p值(σp值)为0以上的取代基；n代表1至4的整数；R1代表氢原子或取代基；R2代表二价取代基；R3代表取代基；当存在多个R1、R2或R3时，R1、R2或R3可以与其它各R1、R2或R3相同或不同；l代表1或更大的整数；并且m代表0至4的整数。
6.根据权利要求1至5中任意一项所述的非共振双光子吸收记录材料，
其中所述非共振双光子吸收记录材料包含以下聚合物化合物，该聚合物化合物包含由式(1)至(4)中至少一者代表的非共振双光子吸收聚合物化合物作为共聚物组分。
7.根据权利要求1至3中任意一项所述的非共振双光子吸收记录材料，
其中形成记录层的所述非共振双光子吸收记录材料至少包含(a)权利要求1至3中任意一项所述的非共振双光子吸收聚合物化合物、和(b)能够改变双光子记录前后的反射光强度的材料。
8.根据权利要求1至3中任意一项所述的非共振双光子吸收记录材料，
其中形成记录层的所述非共振双光子吸收记录材料至少包含(a)权利要求1至3中任意一项所述的非共振双光子吸收聚合物化合物、和(b)能够改变双光子记录前后的折射率的材料。
9.根据权利要求1至3中任意一项所述的非共振双光子吸收记录材料，
其中形成记录层的所述非共振双光子吸收记录材料包含权利要求1至3中任意一项所述的非共振双光子吸收聚合物化合物，并且权利要求1至3中任意一项所述的非共振双光子吸收聚合物化合物能够改变双光子记录前后的反射光强度。
10.根据权利要求1至3中任意一项所述的非共振双光子吸收记录材料，
其中形成记录层的所述非共振双光子吸收记录材料包含权利要求1至3中任意一项所述的非共振双光子吸收聚合物化合物，并且权利要求1至3中任意一项所述的非共振双光子吸收聚合物化合物能够改变双光子记录前后的折射率。
11.一种光学信息记录介质，其具有包含权利要求1至3中任意一项所述的记录材料的记录层。
12.根据权利要求11所述的光学信息记录介质，
其中所述记录层的厚度为50nm至5μm。
13.根据权利要求11所述的光学信息记录介质，
其中所述光学记录介质具有与所述记录层相邻的中间层，从而将所述记录层物理分离，并形成能够通过膨胀来形成记录标记的界面。
14.根据权利要求13所述的光学信息记录介质，
其中所述记录层和所述中间层之间的折射率差为0.01至0.5。
15.根据权利要求13所述的光学信息记录介质，
其中所述中间层的厚度为2μm至20μm。
16.根据权利要求11所述的光学信息记录介质，
其中所述光学信息记录介质具有基板。
17.根据权利要求16所述的光学信息记录介质，其中所述基板的厚度为0.02mm至2mm。
18.根据权利要求11所述的光学信息记录介质，
其中所述光学信息记录介质具有导向层，该导向层用于在记录期间通过跟踪伺服进行径向位置控制。
19.根据权利要求11所述的光学信息记录介质，
其中所述光学信息记录介质具有位于相对于记录层的光入射侧表面侧的覆盖层。
20.根据权利要求19所述的光学信息记录介质，
其中所述覆盖层的厚度为0.01mm至0.2mm。
21.根据权利要求11所述的光学信息记录介质，
其中所述光学信息记录介质具有反射层。
22.根据权利要求11所述的光学信息记录介质，
其中所述光学信息记录介质具有间隔层。
23.根据权利要求22所述的光学信息记录介质，
其中所述间隔层的厚度为5μm至100μm。
24.根据权利要求11所述的光学信息记录介质，
其中所述光学信息记录介质执行标记。
25.根据权利要求11所述的光学信息记录介质，
其中所述光学信息记录介质具有位于光入射侧表面上的硬涂层。
26.根据权利要求11所述的光学信息记录介质，
其中所述光学信息记录介质容纳于盒中。
27.一种在权利要求13所述的光学信息记录介质上的记录/再现方法，
其中所述光学信息记录介质的表面上的记录激光的峰值功率为1W至100W，该光学信息记录介质的表面上的记录激光的平均功率为100mW或更低，并且所述记录激光的脉冲宽度和振荡周期的乘积为0.001至0.1。
28.一种在权利要求13所述的光学信息记录介质上的记录/再现方法，包括在再现信息时使用共焦光学系统。
29.一种由下式(5)表示的化合物：
式(5)
其中R4、R5和R6各自代表氢原子或取代基，并且R4、R5和R6可以彼此相同或不同。
30.一种由下式(6)表示的化合物：
式(6)
其中R7、R8和R9各自代表氢原子或取代基，并且R7、R8和R9可以彼此相同或不同。