1.分析装置，其包括：
沿第一基板表面安装的多个纳米通道，
每一所述纳米通道由侧壁和底板界定；以及
布置在第二基板中的至少一个纳米缝隙，布置所述纳米缝隙以使在至少一个所述纳米通道内，经过所述纳米缝隙的至少第一波长的电磁辐射界定了横截面尺寸小于所述电磁辐射的第一波长的照射区域。
2.如权利要求1所述的分析装置，其中所述第一基板包含二氧化硅、硅、玻璃、氢化氮化硅、氢化氧氮化硅、含钛的化合物、TaSiO、TaOxNy、TaCN、氧化钽、氮化钽、含铪的化合物、TaAlN、WAlN、氧化铝、氮化铝、SiN、WN、石墨、石墨烯、碳纳米管、塑料、任意前述化合物的化学计量变体，或所述化合物的任意组合。
3.如权利要求2所述的分析装置，其中所述含钛的化合物为TiAlN。
4.如权利要求1所述的分析装置，其中至少一个所述纳米通道的特征为所述侧壁之间的宽度为10nm至1000nm。
5.如权利要求1所述的分析装置，其中至少一个所述纳米通道的特征为从所述纳米通道的侧壁顶部至所述纳米通道的底板的深度为10nm至1000nm。
6.如权利要求1所述的分析装置，其中至少两个邻近的所述纳米通道的最接近侧壁相隔至少150nm。
7.如权利要求1所述的分析装置，其中至少两个邻近的所述纳米通道的最接近侧壁相隔至少400nm。
8.如权利要求1所述的分析装置，其中将至少一个所述纳米缝隙布置在对至少第一波长的电磁辐射不透明的第二基板中。
9.如权利要求1所述的分析装置，其中至少一个所述纳米缝隙包含特征为横截面尺寸小于所述第一波长的横截面尺寸的孔。
10.如权利要求1所述的分析装置，其中至少一个所述纳米缝隙包含特征为横截面尺寸为1nm至300nm的孔。
11.如权利要求10所述的分析装置，其中至少一个所述纳米缝隙包含特征为横截面尺寸为10nm至100nm的孔。
12.如权利要求10所述的分析装置，其中至少一个所述纳米缝隙包含特征为横截面尺寸为20nm至70nm的孔。
13.如权利要求8所述的分析装置，其中所述第一基板和第二基板彼此结合。
14.如权利要求1所述的分析装置，其中所述第二基板包含二氧化硅、硅、玻璃、氢化氮化硅、氢化氧氮化硅、含钛的化合物、TaSiO、TaOxNy、TaCN、氧化钽、氮化钽、TaAlN、WAlN、氧化铝、氮化铝、SiN、WN、石墨、石墨烯、碳纳米管、塑料、任意前述化合物的化学计量变体，或所述化合物的任意组合。
15.如权利要求14所述的分析装置，其中所述含钛的化合物为TiAlN。
16.如权利要求1所述的分析装置，其中所述第一基板或所述第二基板包含氢化二氧化硅、掺氟的二氧化硅、掺碳的二氧化硅、多孔二氧化硅、多孔掺碳的二氧化硅或它们的任意组合。
17.如权利要求1所述的分析装置，其中所述第一基板或所述第二基板包含电介质。
18.如权利要求1所述的分析装置，其中所述第一基板或所述第二基板包含高K电介质、低K电介质、旋压的有机聚合物电介质或它们的任意组合。
19.如权利要求1所述的分析装置，其中所述第一基板或所述第二基板包含绝缘体。
20.如权利要求1所述的分析装置，其中所述第一基板或所述第二基板包含聚合物。
21.如权利要求1所述的分析装置，其中所述第一基板或所述第二基板包含共聚物。
22.如权利要求1所述的分析装置，其中所述第一基板或所述第二基板包含嵌段共聚物。
23.如权利要求1所述的分析装置，其中所述第一基板或所述第二基板包含聚二甲基硅氧烷、聚碳酸酯、聚(甲基丙烯酸甲酯)、环烯烃共聚物或它们的任意组合。
24.如权利要求1所述的分析装置，其中所述第一基板或所述第二基板包含氧化钛、氮化钛、氧化铪、氮化铪、氧化锆、氮化锆或它们的任意组合。
25.如权利要求1所述的分析装置，其中所述第一基板或所述第二基板包含氢化氧化钛、氢化氮化钛或它们的任意组合。
26.如权利要求1所述的分析装置，其中所述第一基板或所述第二基板包含HfSiO2、HfZrOx、HfON、HfSiN、HfSiON、ZrSiO2、ZrN、ZrSiN、ZrON、ZrSiON、Ta2O5或它们的任意组合。
27.如权利要求1所述的分析装置，其中所述第一基板或所述第二基板包含氢化氧化钽、氢化氮化钽、氢化氧化铪、氢化氮化铪、氢化氧化锆、氢化氮化锆、氢化氧化铝、氢化氮化铝或它们的任意组合。
28.如权利要求1所述的分析装置，其中所述第一基板或所述第二基板包含高硼硅玻璃、钠钙玻璃、氧氮化硅或它们的任意组合。
29.如权利要求1所述的分析装置，其还包括能发射至少第一波长的电磁辐射的源。
30.如权利要求29所述的分析装置，其中所述源包括激光器。
31.如权利要求29所述的分析装置，其中所述源包括能发射至少一个频率分量为100nm至20,000nm的电磁辐射的装置。
32.如权利要求31所述的分析装置，其中所述源包括能发射至少一个频率分量为350nm至1500nm的电磁辐射的装置。
33.分析装置，其包括：
沿第一基板表面安装的多个纳米通道，
每一所述纳米通道由侧壁和底板界定，以及
布置在至少一个所述纳米通道中的相移掩模板，以使在至少一个所述纳米通道内，经过所述相移掩模板的至少第一波长的电磁辐射界定了在至少一个所述纳米通道内的照射区域，所述照射区域的横截面尺寸小于所述电磁辐射的第一波长。
34.如权利要求33所述的分析装置，其中所述第一基板包含二氧化硅、硅、玻璃、氢化氮化硅、氢化氧氮化硅、含钛的化合物、TaSiO、TaOxNy、TaCN、氧化钽、氮化钽、TaAlN、WAlN、氧化铝、氮化铝、SiN、WN、石墨、石墨烯、碳纳米管、塑料、任意前述化合物的化学计量变体，或所述化合物的任意组合。
35.如权利要求34所述的分析装置，其中所述含钛的化合物为TiAlN。
36.如权利要求33所述的分析装置，其中所述第一基板包含氢化二氧化硅、掺氟的二氧化硅、掺碳的二氧化硅、多孔二氧化硅、多孔掺碳的二氧化硅或它们的任意组合。
37.如权利要求33所述的分析装置，其中所述第一基板包含电介质。
38.如权利要求33所述的分析装置，其中所述第一基板包含高K电介质、低K电介质、旋压的有机聚合物电介质或它们的任意组合。
39.如权利要求33所述的分析装置，其中所述第一基板包含绝缘体。
40.如权利要求33所述的分析装置，其中所述第一基板包含聚合物。
41.如权利要求33所述的分析装置，其中所述第一基板包含共聚物。
42.如权利要求33所述的分析装置，其中所述第一基板包含嵌段共聚物。
43.如权利要求33所述的分析装置，其中所述第一基板包含聚二甲基硅氧烷、聚碳酸酯、聚(甲基丙烯酸甲酯)、环烯烃共聚物或它们的任意组合。
44.如权利要求33所述的分析装置，其中所述第一基板包含氧化钛、氮化钛、氧化铪、氮化铪、氧化锆、氮化锆或它们的任意组合。
45.如权利要求33所述的分析装置，其中所述第一基板包含氢化氧化钛、氢化氮化钛或它们的任意组合。
46.如权利要求33所述的分析装置，其中所述第一基板包含HfSiO2、HfZrOx、HfON、HfSiN、HfSiON、ZrSiO2、ZrN、ZrSiN、ZrON、ZrSiON、Ta2O5或它们的任意组合。
47.如权利要求33所述的分析装置，其中所述第一基板包含氢化氧化钽、氢化氮化钽、氢化氧化铪、氢化氮化铪、氢化氧化锆、氢化氮化锆、氢化氧化铝、氢化氮化铝或它们的任意组合。
48.如权利要求33所述的分析装置，其中所述第一基板包含高硼硅玻璃、钠钙玻璃、氧氮化硅或它们的任意组合。
49.如权利要求33所述的分析装置，其中至少一个所述纳米通道的特征为所述侧壁之间的宽度为10nm至300nm。
50.如权利要求33所述的分析装置，其中至少一个所述纳米通道的特征为从所述纳米通道的侧壁顶部至所述纳米通道的底板的深度为10nm至1000nm。
51.如权利要求33所述的分析装置，其中至少两个邻近的所述纳米通道的侧壁相隔至少300nm。
52.如权利要求33所述的分析装置，其中至少两个邻近的所述纳米通道的侧壁相隔至少400nm。
53.如权利要求33所述的分析装置，其中所述相移掩模板包括对至少第一波长的电磁辐射基本透明的材料。
54.如权利要求33所述的分析装置，其还包括能发射至少第一波长的电磁辐射的源。
55.如权利要求54所述的分析装置，其中所述源包括激光器。
56.如权利要求54所述的分析装置，其中所述源包括能发射至少一个频率分量为100nm至20,000nm的电磁辐射的装置。
57.如权利要求33所述的分析装置，其中所述相移掩模板包括近场全息掩模板。
58.如权利要求33所述的分析装置，其中所述相移掩模板与所述第一基板结合。
59.如权利要求1所述的分析装置，其包括至少两个纳米缝隙，每个纳米缝隙在所述至少一个纳米通道内界定了横截面尺寸小于所述第一波长的照射区域。