1.一种用于在ASIC晶片上形成导电屏蔽板的方法，所述ASIC晶片包括顶部电路层，所述方法包括：
在所述顶部电路层上形成钝化层；
在所述钝化层上形成TiN层；和
选择性地刻蚀所述TiN层以形成至少一个导电屏蔽板。
2.如权利要求1所述的方法，其中至少其中之一：
形成所述钝化层包括形成底部氧化物层、中间氮化物层和顶部氧化物层；或选择性地刻蚀所述TiN层进一步形成多个定位器管底。
3.如权利要求1所述的方法，还包括：
形成配置为在至少一个导电屏蔽板上放置电势的电路。
4.如权利要求1所述的方法，还包括：
其中选择性地刻蚀所述TiN层形成至少两个彼此电连接的导电屏蔽板，并且其中所述方法还包括形成配置为在电连接的导电屏蔽板上放置电势的电路；或其中选择性地刻蚀所述TiN层形成至少两个彼此电隔离的导电屏蔽板，并且其中所述方法还包括形成能够在彼此电隔离的导电屏蔽板上放置不同电势的电路。
5.如权利要求1所述的方法，还包括：
形成多个定位器。
6.如权利要求1所述的方法，其中选择性地刻蚀所述TiN层进一步形成至少一个用于传递电信号到MEMS器件的电极。
7.如权利要求6所述的方法，还包括：
在电极上形成用于传递所述电信号到所述MEMS器件的电缆管。
8.一种ASIC晶片,包括：
顶部电路层；
在所述顶部电路层上的钝化层；和
在所述钝化层上的TiN层，所述TiN层配置为包括至少一个导电屏蔽板。
9.如权利要求8所述的ASIC晶片，其中至少其中之一：
所述钝化层包括底部氧化物层、中间氮化物层和顶部氧化物层；
所述TiN层进一步配置为包括多个定位器管底；或
所述ASIC晶片包括多个定位器。
10.如权利要求8所述的ASIC晶片，其中所述ASIC晶片包括配置为在至少一个导电屏蔽板上放置电势的电路。
11.如权利要求8所述的ASIC晶片，其中：
至少两个导电屏蔽板彼此电连接并且所述ASIC晶片包括配置为在所述导电屏蔽板上放置电势的电路；或
至少两个导电屏蔽板彼此电隔离并且所述ASIC晶片包括能够在电隔离导电屏蔽板上放置不同电势的电路。
12.如权利要求8所述的ASIC晶片，其中所述TiN层进一步配置为包括至少一个用于传递电信号到MEMS器件的电极。
13.如权利要求12所述的ASIC晶片，还包括电极上用于传递所述电信号到所述MEMS器件的电缆管。
14.一种集成的晶片级芯片尺寸封装器件,包括耦合到MEMS器件的ASIC晶片，其中所述MEMS器件包括至少一个MEMS结构并且其中所述ASIC晶片包括：
顶部电路层；
在所述顶部电路层上的钝化层；和
在所述钝化层上的TiN层，所述TiN层配置为包括至少一个导电屏蔽板。
15.如权利要求14所述的集成的晶片级芯片尺寸封装器件，其中至少其中之一：
所述钝化层包括底部氧化物层、中间氮化物层和顶部氧化物层；
所述TiN层进一步配置为包括多个定位器；或
所述器件包括多个定位器。
16.如权利要求14所述的集成的晶片级芯片尺寸封装器件，其中所述器件包括配置为在至少一个导电屏蔽板上放置电势的电路。
17.如权利要求14所述的集成的晶片级芯片尺寸封装器件，其中：
至少两个导电屏蔽板彼此电连接并且所述器件包括配置为在电连接的导电屏蔽板上放置电势的电路；或
至少两个导电屏蔽板彼此电隔离并且所述器件包括能够在电隔离的导电屏蔽板上放置不同电势的电路。
18.如权利要求14所述的集成的晶片级芯片尺寸封装器件，其中所述TiN层进一步配置为包括至少一个用于传递电信号到MEMS器件的电极。
19.如权利要求18所述的集成的晶片级芯片尺寸封装器件还包括电极上用于传递所述电信号到所述MEMS器件的电缆管。