纳米结构的转移方法 |
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| 申请号 | CN201410070671.5 | 申请日 | 2014-02-28 | 公开(公告)号 | CN104876181A | 公开(公告)日 | 2015-09-02 |
| 申请人 | 清华大学; 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司; | 发明人 | 何宇俊; 李东琦; 李天一; 魏洋; 姜开利; 范守善; | ||||
| 摘要 | 一种纳米结构的转移方法，包括以下步骤：提供一生长基底，该生长基底表面具有多个纳米结构；提供一粘胶层 覆盖 所述多个纳米结构；通过移动所述粘胶层和所述生长基底中至少一个，使所述粘胶层远离所述生长基底，从而使所述多个纳米结构与所述生长基底分离，并使所述多个纳米结构从所述粘胶层暴露出来；提供一目标基底，将该粘胶层设置在所述目标基底上，并使所述多个纳米结构与所述目标基底的表面 接触 ；在所述粘胶层远离目标基底的表面设置一金属层，形成一纳米复合结构，所述金属层完全将所述粘胶层覆盖；提供一 有机 溶剂 ，将所述纳米复合结构放入该 有机溶剂 中，去除所述粘胶层和金属层。 | ||||||
| 权利要求 | 1.一种纳米结构的转移方法，包括以下步骤： |
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| 说明书全文 | 纳米结构的转移方法技术领域[0001] 本发明涉及一种纳米结构的转移方法。 背景技术[0002] 利用化学气相沉积法（chemical vapor deposition，CVD）生长纳米结构取决于基底的材料及形状，例如，横向单壁碳纳米管（single-walled carbon nanotubes，SWCNTs）需要在石英基底上生长，大面积的石墨烯需要在铜箔上生长。然而，利用所述纳米结构制作电子设备时常常需要将该纳米结构设置于硅片或柔性基底上。因此，业界发展了纳米结构的转移技术，以便将所述纳米结构从生长基底上转移到目标基底上。 [0003] 现有技术中一般是利用一牺牲层对纳米结构进行转移，所述牺牲层由有机物制备，例如PMMA（poly(methyl methacrylate)）。先在纳米结构上涂覆一有机物，该有机物干燥后形成牺牲层，然后所述牺牲层连接着纳米结构从生长基底上剥离并粘在目标基底上，最后利用丙酮将所述有机物溶解或者利用高温将所述有机物分解。然而，上述方法不能完全将有机物清除，纳米结构和目标基底上残留一些有机物，影响了纳米结构的后续应用。而且，利用高温清除有机物的方法需要目标基底耐高温，否则目标基底在高温下会遭到破坏。 发明内容[0004] 有鉴于此，确有必要提供一种纳米结构的转移方法，该方法不需要高温且没有残留物存在。 [0005] 一种纳米结构的转移方法，包括以下步骤：提供一生长基底，该生长基底表面具有一纳米结构层；提供一粘胶层覆盖所述纳米结构层，该粘胶层具有相对的第一表面和第二表面，所述纳米结构层与所述第一表面接触；通过移动所述粘胶层和所述生长基底中至少一个，使所述粘胶层远离所述生长基底，从而使所述纳米结构层被所述粘胶层粘附并与所述生长基底分离，至少部分纳米结构层从所述粘胶层暴露出来；提供一目标基底，将该粘胶层与所述目标基底层叠设置，使所述纳米结构层位于所述粘胶层与所述目标基底之间，并与所述目标基底接触设置；在所述粘胶层的第二表面设置一金属层；提供一有机溶剂，使该有机溶剂从所述粘胶层的第一表面渗透，使所述粘胶层连同所述金属层与所述纳米结构层及目标基底分离。 [0006] 一种纳米结构的转移方法，包括以下步骤：提供一第一基底，该第一基底的表面设置有一纳米结构层；通过一粘胶层使所述纳米结构层与所述第一基底分离，分离后的所述纳米结构层至少部分从所述粘胶层暴露出来；提供一第二基底，将所述第二基底和所述粘胶层层叠设置，并使所述纳米结构层位于所述第二基底和所述粘胶层之间，所述至少部分从所述粘胶层暴露出来的纳米结构层与所述第二基底的表面接触；提供一有机溶剂，使该有机溶剂从粘胶层靠近第二基底的表面渗透，使所述粘胶层与所述纳米结构层及第二基底分离。 [0007] 一种纳米结构的转移方法，包括以下步骤：提供一第一基底，该第一基底的表面设置有一纳米结构层；提供一第二基底，该第二基底的表面具有一粘胶层；将该第二基底表面的粘胶层与所述第一基底表面的纳米结构层接触；通过移动所述第一基底和所述第二基底中至少一个，使所述纳米结构层与所述第一基底分离，分离后的纳米结构层至少部分从所述粘胶层暴露出来；提供一第三基底，将所述第二基底和第三基底层叠设置，并使所述纳米结构层位于所述第二基底和第三基底之间，所述至少部分从粘胶层暴露出来的纳米结构层与所述第三基底的表面接触；提供一有机溶剂，使该有机溶剂从粘胶层靠近第三基底的表面渗透，使所述第二基底连同所述粘胶层与所述纳米结构层及第三基底分离，从而使所述纳米结构层被转移到所述第三基底的表面。 [0008] 与现有技术相比，本发明提供的纳米结构的转移方法中，利用粘胶层将所述纳米结构层转移到目标基底上后，通过有机溶剂从粘胶层与纳米结构层的界面向内渗透，能够使得纳米结构和目标基底上的粘胶层被完全清除，并且该方法在常温下进行，不需要高温。附图说明 [0011] 图3为本发明第一实施例提供的将目标基底、纳米结构、粘胶层和金属层的整体结构浸入有机溶剂中30秒的光学照片。 [0012] 图4为本发明第一实施例提供的将目标基底、纳米结构、粘胶层和金属层的整体结构浸入有机溶剂中60秒的光学照片。 [0013] 图5为本发明第一实施例提供的将目标基底、纳米结构、粘胶层和金属层的整体结构浸入有机溶剂中90秒的光学照片。 [0014] 图6为本发明第一实施例提供的将目标基底、纳米结构、粘胶层和金属层的整体结构浸入有机溶剂中300秒的光学照片。 [0016] 图8为本发明第一实施例提供的第二纳米复合结构的透射电镜（TEM）照片。 [0017] 图9为采用传统方法转移纳米结构至目标基底的透射电镜（TEM）照片。 [0018] 图10为本发明第三实施例提供的纳米结构的转移方法的工艺流程图。 [0019] 图11为本发明第三实施例提供的第一纳米复合结构在空气中的光学照片。 [0020] 图12为本发明第三实施例提供的第一纳米复合结构在丙酮中的光学照片。 [0021] 图13为本发明第三实施例提供的第一纳米复合结构从丙酮中捞出并放入水中的光学照片。 [0022] 主要元件符号说明生长基底 10 上表面 102 纳米结构 20 粘胶层 30 第一表面 302 第二表面 304 目标基底 40 金属层 50 第一纳米复合结构 60 第二纳米复合结构 70 有机溶剂 80 容器 90 水 100 如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。 具体实施方式[0023] 下面将结合附图及具体实施例对本发明提供的纳米结构的转移方法作进一步的详细说明。 [0024] 请参见图1，本发明第一实施例提供一种纳米结构20的转移方法，包括以下步骤：S10，提供一生长基底10，该生长基底10具有一上表面102，该生长基底10的上表面 102设置有多个纳米结构20，该多个纳米结构20形成一纳米结构层； S11，提供一粘胶层30覆盖所述多个纳米结构20； S12，通过移动所述粘胶层30和所述生长基底10中至少一个，使所述粘胶层30远离所述生长基底10，从而使所述多个纳米结构20与所述生长基底10分离； S13，提供一目标基底40，将该粘胶层30与所述目标基底40层叠设置，并使所述多个纳米结构20位于所述目标基底40与所述粘胶层30之间； S14，在所述粘胶层30远离目标基底40的表面设置一金属层50，形成一第一纳米复合结构60，所述粘胶层30远离目标基底40的表面被所述金属层50覆盖；以及 S15，提供一有机溶剂，将所述第一纳米复合结构60放入该有机溶剂中，使该有机溶剂从所述粘胶层30与所述多个纳米结构20接触的界面渗透，使所述粘胶层30连同所述金属层50与所述纳米结构20及目标基底40分离，即去除所述粘胶层30和金属层50，得到一第二纳米复合结构70。 [0025] 步骤S10中，所述生长基体10是平整的，生长基体10的材料可以为P型或N型硅、形成有氧化层的硅、石英等。本实施例优选石英。该生长基体10的厚度及上表面102的面积不限，可以根据实际需要进行调整。 [0026] 所述多个纳米结构20可直接生长或铺设在生长基底10的上表面102。所述多个纳米结构20可平行于生长基底10的上表面102，或者垂直于该上表面102，或者与该上表面102之间呈一锐角。该多个纳米结构20形成的纳米结构层的厚度小于等于1微米。相邻纳米结构20之间可具有间隙，或者，多个纳米结构20也可紧密排列以至于相邻纳米结构20之间无间隙存在。该纳米结构20包括碳纳米管、石墨烯等纳米材料。本实施例中，所述多个纳米结构20为多个单壁碳纳米管。该多个单壁碳纳米管平行与所述生长基底10的上表面102。从生长基底10的上表面102水平生长单壁碳纳米管的方法包括很多种，比如“放风筝法”、“石英晶格导向法”等。以下仅以“石英晶格导向法”为例详细说明从所述生长基底10的上表面102水平生长单壁碳纳米管，但并不局限于此。 [0027] 利用“石英晶格导向法”水平生长单壁碳纳米管包括以下步骤：（a）在氧气气氛中，温度为900℃下，对经过高温切割的生长基底10退火8小时；（b）在生长基底10表面均匀形成一催化剂层，该催化剂层的材料可选用铁（Fe）、钴（Co）、镍（Ni）或其任意组合的合金之一，本实施例中，所述催化剂材料为Fe，催化剂层的厚度为0.2纳米；（c）将处理过的生长基底10置入一反应炉中，将该反应炉在空气中加热到700℃，先通入氩气(Ar,1000sccm)清洗反应炉，然后通过氩气(Ar, 500sccm)和氢气(H2, 500sccm)的混合气体； （e）最后通入甲烷(CH4, 500sccm)、氢气(H2, 100 sccm)和氩气(400sccm)反应15分钟，在生长基底10的上表面102水平生长单壁碳纳米管，如图2所示。所述sccm是标况毫升每分，为体积流量的单位。 [0028] 步骤S11中，所述粘胶层30由有机材料形成，该有机材料包括聚甲基丙烯酸甲酯(poly(methyl methacrylate)，PMMA)、聚二甲基硅氧烷(poly(dimethylsiloxane)，PDMS)或聚酰亚胺(polyimide，PI)等。本实施例中，所述粘胶层30由PMMA组成。 [0029] 在所述纳米结构20远离生长基底10的表面上旋涂有机材料，该有机材料干燥后形成所述粘胶层30。本实施例中，将其在120℃下烘烤2分钟，以便使有机材料干燥形成浓密的粘胶层30。可以理解，当相邻纳米结构20之间具有间隙时，所述粘胶层30可渗透入间隙内并填充在该间隙中。粘胶层30的厚度不限，只要是一连续的膜并且将多个纳米结构20完全覆盖或者将所述纳米结构层覆盖即可。所述粘胶层30的厚度可以为100微米至300微米，优选地，所述粘胶层30的厚度为150微米至250微米。本实施例中，粘胶层30的厚度为190微米。 [0030] 步骤S12中，所述粘胶层30具有一定的粘性，且粘胶层30与纳米结构20的结合力大于纳米结构20与生长基底10的结合力。因此，从生长基底10上剥离粘胶层30时，多个纳米结构20由于粘在粘胶层30上而被剥离下来。 [0031] 具体地，移动所述粘胶层30和/或所述生长基底10，使所述粘胶层30逐渐远离所述生长基底10，由于多个纳米结构20粘在粘胶层30，从而使所述多个纳米结构20与所述生长基底10分离。分离后的所述多个纳米结构20被所述粘胶层30粘附，并且至少部分纳米结构20从所述粘胶层30暴露出来。上述使所述粘胶层30和所述生长基底10分离的方法可以采用化学方法或者物理方法。所述化学方法指可利用化学溶液将所述生长基底10腐蚀去除，所述物理方法是指采用机械力等外力的方法。本实施例中，将粘胶层30、纳米结构20和生长基底10的整体结构放入1mol/L的沸腾的NaOH溶液中，使粘胶层30连同纳米结构20从生长基底10上分离。 [0032] 步骤S13中，所述目标基底40的材料、尺寸不限，可以根据实际需要进行调整，比如二氧化硅、硅、柔性的高分子材料等。所述目标基底40的材料为聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）时，目标基底40的厚度优选为70微米。本实施例中，所述目标基底40的材料为硅片，该硅片表面具有一氧化层，该氧化层为二氧化硅，二氧化硅的厚度为300纳米。 [0033] 所述粘胶层30可直接贴附在所述目标基底40的表面，并使所述多个纳米结构20位于所述目标基底40与所述粘胶层30之间，形成一三明治结构。由于所述纳米结构层中的多个纳米结构20至少部分从所述粘胶层30暴露出来，所述暴露出来的纳米结构20与所述目标基底40直接接触。 [0034] 步骤S14中，所述金属层50可通过电子束蒸发、离子束溅射等方法沉积在所述粘胶层30远离目标基底40的表面。本实施例中，所述金属层50采用电子束蒸发沉积形成。所述金属层50与粘胶层30有较好的结合力。所述粘胶层30远离目标基底40的表面完全被金属层50覆盖，而所述粘胶层30的侧面未被所述金属层50覆盖。所述金属层50的材料为钛、金、铬或铝等。所述金属层50是一连续的膜以至于可以将粘胶层30远离目标基底 40的表面完全覆盖。因此，所述金属层50的厚度不能太薄，金属层50太薄，所述粘胶层30远离目标基底40的表面无法完全被金属层50覆盖，导致目标基底40和纳米结构20上的粘胶层30不能完全被清除。所述金属层50的厚度也不能太厚，金属层50太厚，将增加目标基底40和纳米结构20上的粘胶层30被清除的难度。因此，优选地，所述金属层50的厚度为10纳米至50纳米。更优选地，所述金属层的厚度为10纳米~25纳米。本实施例中，所述金属层50为一钛膜，该钛膜的厚度为20纳米。 [0035] 所述第一纳米复合结构60包括目标基底40、多个纳米结构20、粘胶层30和金属层50，所述多个纳米结构20靠近目标基底40或与所述目标基底40接触，所述粘胶层30设置于所述多个纳米结构20远离目标基底40的表面，所述金属层50设置于粘胶层30远离目标基底40的表面。 [0036] 步骤S15中，粘胶层30具有相对设置的第一表面302和第二表面304，粘胶层30的第一表面302被金属层50覆盖，第二表面304粘在目标基底40及多个纳米结构20上。相对于金属层50与粘胶层30之间的结合力，粘胶层30与目标基底40及纳米结构20之间的结合力很弱。将所述第一纳米复合结构60浸入有机溶剂80中时，由于粘胶层30的第一表面302被金属层50覆盖，因此有机溶剂优先浸入粘胶层30的第二表面304，导致粘胶层 30首先从第二表面304开始分解，即，粘胶层30首先从靠近目标基底40的纳米结构20的表面开始分解。当粘胶层30的第二表面304被大部分分解时，多个纳米结构20被保留在所述目标基底40的表面，而粘胶层30在金属层50的带动下被完全从目标基底40及纳米结构20上剥离。最后将纳米结构20和目标基底40的整体结构从有机溶剂80中捞出，干燥，得到第二纳米复合结构70。 [0037] 所述金属层50的作用是：阻碍有机溶剂80与所述粘胶层30第一表面302接触，确保粘胶层30在有机溶剂80作用下优先从第二表面304开始分解；另外，由于金属层50与所述粘胶层30之间具有较好的结合力，金属层50和粘胶层30的结合在一定程度上增加了机械强度，使粘胶层30在分解过程中被分解成大的块状物，并始终粘在金属层50上。因此，多个纳米结构20及目标基底40上不会残留粘胶层30。 [0038] 所述有机溶剂80选择能够溶解粘胶层30的溶剂，比如乙醇、甲醇、丙酮等，本实施例中，所述有机溶剂80为丙酮。所述有机溶剂80可放入一广口容器90中。第一纳米复合结构60在有机溶剂80中的浸泡时间为3分钟~10分钟时，金属层50连接着粘胶层30完全与纳米结构20及目标基底40分离。本实施例中，金属层50为20纳米厚的钛膜，浸入时间为5分钟时，钛膜连接着PMMA完全与纳米结构20及目标基底40分离。请参见图3至图6，目标基底40为PET，采用上述方法在粘胶层30远离PET基底的表面上涂覆20纳米后的钛膜，然后将该结构整体放入丙酮溶液中，随着时间的增加，钛膜连接着粘胶层30逐渐与PET基底及纳米结构20分离，5分钟后，钛膜连接着粘胶层30与PET基底及纳米结构20完全分离。因此，当所述金属层50的厚度在一定范围内，优选地，所述金属层50的厚度为10纳米至50纳米时，无需外力的作用，第一纳米复合结构60仅在有机溶剂80中浸泡一定时间后，金属层50连同粘胶层30会与目标基底40和纳米结构层分离并漂浮起来。 [0039] 可以理解，所述第二纳米复合结构70包括目标基底40和多个纳米结构20，该多个纳米结构20设置于所述目标基底40上，且目标基底40和多个纳米结构20上没有残留任何粘胶层30和金属层50，如图7和图8所示。图9为采用传统方法转移纳米结构至目标基底的透射电镜（TEM）照片，对比图8和图9，图8中目标基底40和多个纳米结构20上没有残留任何粘胶层30和金属层50，而图9中可看到明显的粘胶层30残留。 [0040] 可以理解，在选择目标基底40、金属层50及有机溶剂80时，应该使目标基底40和金属层50不能被有机溶剂80溶解。 [0041] 可以理解，覆盖在粘胶层30远离目标基底40的表面的金属层50，为一阻挡层，用于阻挡粘胶层30的第一表面302与所述有机溶剂80直接接触。可以理解，该阻挡层亦可采用不被有机溶剂80溶解或渗透的其它材料。该阻挡层只要可以在有机溶剂80中阻碍粘胶层30优先从第一表面302被有机溶剂80分解即可。 [0042] 进一步，在所述粘胶层30远离目标基底40的表面设置金属层50为可选步骤，即S14可省略。也就是说，将该粘胶层30与所述目标基底40层叠设置，并使所述多个纳米结构20位于所述目标基底40与所述粘胶层30之间之后，使有机溶剂80从所述粘胶层30与所述多个纳米结构20接触的界面渗透，使所述粘胶层30连同所述金属层50与所述纳米结构20及目标基底40分离。具体地，利用滴管或漏斗等工具将有机溶剂80从粘胶层30的侧面滴入，使有机溶剂80仅浸润所述粘胶层30与所述多个纳米结构20接触的界面，将所述粘胶层30连同所述金属层50与所述纳米结构20及目标基底40分离。 [0043] 本发明第二实施例进一步提供一种纳米结构20的转移方法。 [0044] 本实施例与第一实施例的区别是：本实施例中，当在所述粘胶层30远离目标基底40的表面设置一层厚度较厚的金属层50，形成第一纳米复合结构60时，将该第一纳米复合结构60浸入有机溶剂80中，使该有机溶剂从所述粘胶层30与所述多个纳米结构20接触的界面渗透，利用一外力使所述粘胶层30连同所述金属层50与所述纳米结构20及目标基底40分离，即去除所述粘胶层30和金属层50，得到第二纳米复合结构70。 [0045] 所述金属层50需要是一连续的膜，将粘胶层30远离目标基底40的表面完全覆盖，因此金属层50的厚度至少需要10纳米，即金属层50的厚度不小于10纳米。优选地，金属层50的厚度为15纳米至125纳米，本实施例中，所述金属层50为金膜，厚度为50纳米。 [0047] 当所述外力为外加的机械力时，利用该外力去除所述粘胶层30和金属层50的具体过程为：将所述第一纳米复合结构60放入有机溶剂80中，给金属层50远离粘胶层30的整个表面提供一均匀向上的力，以使金属层50连接着粘胶层30与目标基底40及纳米结构20分离。例如，用一吸盘向上吸金属层50远离粘胶层30的整个表面，或者用一牵引力向上拽金属层50远离粘胶层30的整个表面等。可以理解，也可以给目标基底40远离粘胶层 30的表面提供一均匀向下的力，以使金属层50连接着粘胶层30与目标基底40及纳米结构 20分离。 [0048] 当所述外力为水的表面张力和浮力时，所述有机溶剂80优选与水互溶性较差的溶剂。比如，丙酮等。 [0049] 请参见图10，将所述第一纳米复合结构60先放入该有机溶剂80中再放入水中，以便去除所述粘胶层30和金属层50。更具体地，将所述第一纳米复合结构60放入有机溶剂80中，当金属层50/粘胶层30出现褶皱时，将所述第一纳米复合结构60从有机溶剂80中捞出并放入水100中。 [0050] 当所述第一纳米复合结构60放入有机溶剂80中时，金属层50/粘胶层30不能从目标基底40/纳米结构20中完全剥离下来，并且，由于有机溶剂80的渗透及对粘胶层30的分解，导致金属层50/粘胶层30和目标基底40之间出现部分的、不均匀地分离，因此，金属层50/粘胶层30出现多处褶皱。 [0051] 然后，将所述第一纳米复合结构60从有机溶剂80中捞出再放入水100中，由于有机溶剂80与水100的互溶性差，水100的表面张力及浮力使得多处褶皱的金属层50/粘胶层30直接从目标基底40及纳米结构20上分离，并悬浮在水100面上。最后，将纳米结构20和目标基底40的整体结构从有机溶剂80中捞出，干燥，得到第二纳米复合结构70。其中，“金属层50/粘胶层30”是指金属层50和粘胶层30的整体结构。可以理解，有机溶剂 80和水100分别放入一广口容器90中。 [0052] 图11至图13显示了第一纳米复合结构60先放入有机溶剂80中，再放入水100中时，金属层50/粘胶层30的形态，所述金属层50为金膜，该金膜的厚度为50纳米，所述粘胶层30为PMMA，所述有机溶剂80为丙酮。具体地，图11显示在空气中Au/PMMA是平整，图12显示在丙酮中Au/PMMA多处出现褶皱，图13显示第一纳米复合结构60先放入丙酮中，再放入水100中时，Au/PMMA与目标基底40及纳米结构20分离。“Au/PMMA”是指金膜和聚甲基丙烯酸甲酯的整体结构。 [0053] 本发明第三实施例进一步提供一种纳米结构20的转移方法，包括以下步骤：S30，提供一生长基底10，该生长基底10具有一上表面102，该生长基底10的上表面 102设置有多个纳米结构20，该多个纳米结构20形成一纳米结构层； S31，提供一基板，在该基板的表面设置一粘胶层30； S32，将该基板表面的粘胶层30与所述生长基底10上表面102的纳米结构层接触； S33，通过移动所述生长基底10和所述基板中至少一个，使所述纳米结构层与所述生长基底10分离，分离后的纳米结构层至少部分从所述粘胶层30暴露出来； S34，提供一目标基底40，将所述基板和目标基底40层叠设置，并使所述纳米结构层位于所述基板和目标基底40之间，所述至少部分从粘胶层30暴露出来的纳米结构层与所述目标基底40的表面接触；以及 S35，提供一有机溶剂80，使该有机溶剂80从粘胶层30与纳米结构层的界面渗透，利用一外力使所述基板连同所述粘胶层30与所述纳米结构层及目标基底40分离，从而使所述纳米结构层被转移到所述目标基底40的表面。 [0054] 本实施例与第一实施例的区别是：本实施例中，利用基板取代第一实施例中的金属层50；使该有机溶剂80从粘胶层30与纳米结构层的界面渗透时，利用外力使所述基板连同所述粘胶层30与所述纳米结构层及目标基底40分离。 [0055] 步骤S31中，所述基板的材料优选为不会被有机溶剂80溶解的材料，比如金属等。所述金属包括金、钛、铬、铝等。在所述基板上旋涂所述有机材料形成所述粘胶层30。 [0056] 步骤S35中，所述基板的作用是：阻碍有机溶剂80与所述粘胶层30第一表面302接触，确保粘胶层30在有机溶剂80作用下优先从第二表面304开始分解；另外，由于基板与所述粘胶层30之间具有较好的结合力，基板和粘胶层30的结合在一定程度上增加了机械强度，使粘胶层30在分解过程中被分解成大的块状物，并始终粘在基板上。再利用外力将所述基板连同所述粘胶层30与所述纳米结构层及目标基底40分离。因此，多个纳米结构20及目标基底40上不会残留粘胶层30。 [0057] 所述外力包括水的表面张力和浮力，以及外加的机械力等。本实施例中的外力与第二实施例中的外力的实施方式、参数及原理等均相等。除此之外，第三实施例与第一实施例的步骤、参数等均相等，这里不再赘述。 [0058] 本发明提供的纳米结构的转移方法具有以下优点：利用粘胶层将所述纳米结构层转移到目标基底上后，通过有机溶剂从粘胶层与纳米结构层的界面向内渗透，能够使得纳米结构和目标基底上的粘胶层被完全清除，并且该方法在常温下进行，不需要高温。另外，该方法简单、效率较高。 [0059] 另外，本领域技术人员还可在本发明精神内做其他变化，当然，这些依据本发明精神所做的变化，都应包含在本发明所要求保护的范围之内。 |
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