1.一种化学机械抛光垫，其包含：
具有抛光表面、基底表面和垂直于所述抛光表面测量的从所述基底表面到所述抛光表面的平均厚度TP-平均的抛光层；
其中所述抛光层包含第一连续非短效聚合物相和第二非短效聚合物相；
其中所述第一连续非短效聚合物相具有多个周期性凹座，所述周期性凹座具有垂直于所述抛光表面从所述抛光表面朝向所述基底表面测量的距所述抛光表面的平均凹座深度D平均；
其中所述平均凹座深度D平均小于所述平均厚度TP-平均；
其中所述多个周期性凹座由所述第二非短效聚合物相占据；
其中所述第一连续非短效聚合物相是具有8至12重量％未反应的NCO基团的第一连续相异氰酸酯封端的氨基甲酸酯预聚物与第一连续相固化剂的反应产物；
其中所述第二非短效聚合物相选自第二连续非短效聚合物相和第二不连续非短效聚合物相；
其中所述第二非短效聚合物相是通过组合聚侧(P)液体组分和异侧(I)液体组分来形成；
其中所述聚侧(P)液体组分包含(P)侧多元醇、(P)侧多元胺和(P)侧醇胺中的至少一个；
其中所述异侧(I)液体组分包含至少一个(I)侧多官能异氰酸酯；
其中所述第一连续非短效聚合物相的开孔孔隙率≤6体积％并且含有聚合物微气球，以及所述聚合物微气球提供1体积％至58％孔隙率；
其中所述第二非短效聚合物相的开孔孔隙率≥10体积％；以及
其中所述抛光表面适于抛光衬底。
2.根据权利要求1所述的化学机械抛光垫，其中占据所述多个周期性凹座的所述第二非短效聚合物相具有垂直于所述抛光表面从所述抛光层的基底表面朝向所述抛光表面测量的平均高度H平均；以及其中在所述平均厚度TP-平均与所述平均高度H平均之间的差的绝对值ΔS≤0.5μm。
3.根据权利要求2所述的化学机械抛光垫；其中所述第一连续非短效聚合物相含有多种空心聚合材料；其中所述多种空心聚合材料以1至58体积％并入在所述第一连续非短效聚合物相中。
4.根据权利要求2所述的化学机械抛光垫，其中所述多个周期性凹座是一组至少两个同心凹座并且其中所述平均凹座深度D平均≥15密耳、宽度≥5密耳并且间距≥10密耳。
5.根据权利要求2所述的化学机械抛光垫，其中所述多个周期性凹座是一组至少两个交叉影线凹座。
6.根据权利要求2所述的化学机械抛光垫，其另外包含：
在所述抛光层中形成的处于所述抛光表面的至少一个凹槽；其中所述至少一个凹槽具有在垂直于所述抛光表面从所述抛光表面朝向所述基底表面的方向上测量的距所述抛光表面的凹槽深度G深度。
7.根据权利要求6所述的化学机械抛光垫，其中所述至少一个凹槽是一组至少两个同心凹槽。
8.根据权利要求6所述的化学机械抛光垫，其中所述至少一个凹槽是至少一个螺旋凹槽。
9.根据权利要求6所述的化学机械抛光垫，其中所述至少一个凹槽是以交叉影线图案提供。
10.一种抛光衬底的方法，其包含：
提供选自磁性衬底、光学衬底和半导体衬底中的至少一个的衬底；
提供根据权利要求1所述的化学机械抛光垫；
在所述抛光层的所述抛光表面与所述衬底之间形成动态接触以抛光所述衬底的表面；
以及
用磨料调节器调节所述抛光表面。