Groove machining tool for thin film solar battery |
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申请号 | JP2009055452 | 申请日 | 2009-03-09 | 公开(公告)号 | JP2010207945A | 公开(公告)日 | 2010-09-24 |
申请人 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd; 三星ダイヤモンド工業株式会社; | 发明人 | SOYAMA MASANOBU; | ||||
摘要 | PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a groove machining tool for a solar battery capable of easily replacing a blade edge with a new one without replacing the groove machining tool itself when the blade edge is worn out and manufacturing an integrated thin film solar battery with a satisfactory yield. SOLUTION: On an outer peripheral part of a disk-shaped body 81 which is rotatably and fixably mounted on the holder 9 of a scribing device, a plurality of the blade edge areas in which the blade edges is directed in nearly tangential direction are arranged at a regular interval in circumferential direction. Either one of the blade edges are selected to perform groove machining. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT | ||||||
权利要求 | 円盤状ボディの外周部に、接線方向に刃先を向けた複数の刃領域が周方向に等しい間隔をあけて複数設けられている集積型薄膜太陽電池用の溝加工ツール。 前記ボディの外周面に、放射方向に沿った刃面を有する切り欠きが設けられ、ボディ外周面と刃面とによって形成される角部が刃先となる請求項1に記載の溝加工用ツール。 前記溝加工ツールが、超硬合金又はダイヤモンドで形成されている請求項1〜2のいずれかに記載の溝加工ツール。 刃領域の先端部分の左右側面が、互いに平行な一対の面で形成されている請求項1〜3のいずれかに記載の溝加工ツール。 |
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说明书全文 | 本発明は、カルコパイライト化合物系集積型薄膜太陽電池を製造する際の溝加工ツールに関する。 カルコパイライト化合物半導体を光吸収層として用いる薄膜太陽電池においては、基板上に複数のユニットセルを直列接続した集積型構造が一般的である。 従来のカルコパイライト化合物系集積型薄膜太陽電池の製造方法について説明する。 図7は、CIGS薄膜太陽電池の製造工程を示す模式図である。 まず、図7(a)に示すように、ソーダライムガラス(SLG)等からなる絶縁基板1上に、プラス側の下部電極となるMo電極層2をスパッタリング法によって形成した後、光吸収層形成前の薄膜太陽電池基板に対してスクライブ加工により下部電極分離用の溝Sを形成する。 その後、図7(b)に示すように、Mo電極層2上に、化合物半導体(CIGS)薄膜からなる光吸収層3を蒸着法、スパッタリング法等によって形成し、その上に、ヘテロ接合のためのZnS薄膜等からなるバッファ層4をCBD法(ケミカルバスデポジション法)により形成し、その上に、ZnO薄膜からなる絶縁層5を形成する。 そして、透明電極層形成前の薄膜太陽電池に対して、下部電極分離用の溝Sから横方向に所定距離はなれた位置に、スクライブ加工によりMo電極層2にまで到達する電極間コンタクト用の溝M1を形成する。 続いて、図7(c)に示すように、絶縁層5の上からZnO:Al薄膜からなる上部電極としての透明電極層6を形成し、光電変換を利用した発電に必要な各機能層を備えた太陽電池基板とし、スクライブ加工により下部のMo電極層2にまで到達する電極分離用の溝M2を形成する。 上述した集積型薄膜太陽電池を製造する工程において、電極分離用の溝M1及びM2をスクライブにより溝加工する技術として、レーザスクライブ法とメカニカルスクライブ法が用いられてきた。 レーザスクライブ法は、例えば特許文献1で開示されているように、アークランプ等の連続放電ランプによってNd:YAG結晶を励起して発信したレーザ光を照射することにより電極分離用の溝を形成する。 この方法は、光吸収層形成後の薄膜太陽電池基板に対して溝を形成する場合、スクライブ時にレーザ光の熱によって光吸収層3の光電変換特性が劣化するおそれがあった。 メカニカルスクライブ法は、例えば特許文献2及び3で開示されているように、先端が先細り状となった金属針(ニードル)等の溝加工ツールの刃先を、所定の圧力をかけて基板に押しつけながら移動させることによって、電極分離用の溝を加工する技術である。 現在ではこのメカニカルスクライブ法が多く行われている。 従来のメカニカルスクライブ法で使用される溝加工ツールは、特許文献2並びに特許文献3で開示されているものを含め、ボディの先端部に一つの刃先を設けた形状で構成されている。 このような形状の溝加工ツールをスクライブ装置のホルダに取り付けて固定し、溝加工ツールを薄膜太陽電池に押しつけながら、スクライブ予定ラインに沿って相対的に移動させることで、溝加工を行うようにしている。 そこで、本発明は第一に、刃先が摩耗したとき、溝加工ツール自体を交換することなく、新しい刃先に簡単に据え替えることができる太陽電池用の溝加工ツールを提供することを目的とする。 また、特許文献2及び特許文献3に開示されているようなメカニカルスクライブ法では、溝加工ツールの刃先の形状を先細りの針状にしてあるが、厳密には、薄膜太陽電池に圧接される部分は接触面積を広くするために平らとなるように先端が水平にカットされている。 すなわち、図8に示すように、先端部分が先細りのテーパ面を有する円錐台形状にしてある。 そこで、本発明は第二に、既に磨耗した刃先についても、研磨によりスクライブラインの線幅を一定に維持して再度利用することができるようにした薄膜太陽電池用の溝加工ツールを提供することを目的とする。 上記課題を解決するためになされた本発明の集積型薄膜太陽電池用の溝加工ツールは、円盤状ボディの外周部に、接線方向に刃先を向けた複数の刃が周方向に等しい間隔をあけて複数設けられ、いずれか一つの刃で溝加工できるようにした構造にしてある。 本発明の集積型薄膜太陽電池の溝加工ツールにあっては、使用している刃が摩耗または刃こぼれしたときは、次の新しい刃が溝加工位置にくるように、円盤状のボディを所定角度だけ回転させるだけで、溝加工ツール自体を交換することなく簡単に新しい刃に据え替えることができ、交換作業の煩雑さを解消することができる。 (その他の課題を解決するための手段及び効果) また、溝加工ツールの刃の先端部分の左右側面が、互いに平行な一対の面で形成するのが好ましい。 また、溝加工ツールが、超硬合金又はダイヤモンド(焼結ダイヤモンド(PCD)等)で形成されている構成とするのが好ましい。 以下において、本発明の詳細を、その実施の形態を示す図面に基づいて詳細に説明する。 最初に、本発明の溝加工ツールを取り付けるスクライブ装置の全体構成について説明する。 テーブル18を挟んで設けてある両側の支持柱20,20と、X方向に延びるガイドバー21とで構成されるブリッジ19は、テーブル18上を跨ぐように設けてある。 ホルダ支持体23は、ガイドバー21に形成したガイド22に沿って移動可能に取り付けられ、モータ24の回転によりX方向に移動する。 ホルダ支持体23には、スクライブヘッド7が設けられており、スクライブヘッド7の下部には、テーブル18上に載置される太陽電池基板Wの薄膜表面をスクライブ加工する溝加工ツール8(詳細は後述する)を保持するホルダ9が設けられている。 ホルダ9は取り付け角度を調整することができるようにしてあり、この取り付け角度を調整することで、溝加工ツール8と太陽電池基板Wとの角度を調整できるようにしてある。 また、取り付けた溝加工ツール8を一定角度(例えば90度)ずつ回転できるようにしてある。 例えばラチェット機構を採用し、取り付けた刃の回転方向を一方向にするとともに、逆方向は爪で一定角度ずつの位置で回転が停止されるようにしてある。 また、X方向及びY方向に移動することが可能な台座12,13にカメラ10、11がそれぞれ設けられている。 台座12、13は支持台13上でX方向に延設されたガイド15に沿って移動する。 カメラ10、11は、手動操作で上下動することができ、撮像の焦点を調整することができる。 カメラ10、11で撮影された画像はモニタ16、17に表示される。 テーブル18上に載置された太陽電池基板Wには、各工程により、前工程で形成され、表面から観察できるスクライブライン等が存在する。 そのため、各工程において太陽電池基板Wをスクライブする場合、前工程で形成されたスクライブライン等をスクライブ位置を特定するためのマークとして利用する。 例えば、スクライブされた下部電極層(Mo電極層)2の上に光吸収層3、バッファ層4及び絶縁層5が形成された太陽電池基板Wに上下電極コンタクト用の溝を形成する場合、下部電極層2に形成されたスクライブラインを溝形成位置特定のためのマークとして利用する。 すなわち、カメラ10、11により下部電極層2に形成されたスクライブラインを撮像することにより、太陽電池基板Wの位置を調整する。 具体的には、テーブル18に支持された太陽電池基板W表面から観察できる下部電極層2に形成されたスクライブラインを、カメラ10、11により撮像して下部電極層2に形成されたスクライブラインの位置を特定する。 特定された下部電極層に形成されたスクライブラインの位置に基づいて、上下電極コンタクト用の溝を形成すべき位置(スクライブ位置)を割り出し、太陽電池基板Wの位置を調整することによりスクライブ位置を調整する。 そして、テーブル18をY方向に所定ピッチで移動するごとに、スクライブヘッド7を下降させて溝形成ツール8の刃先を太陽電池基板Wの表面に押しつけた状態でX方向に移動させ、太陽電池基板Wの表面をX方向に沿ってスクライブ加工する。 太陽電池基板Wの表面をY方向に沿ってスクライブ加工する場合は、テーブル18を90度回転させて、上記と同様の動作を行う。 次に、本発明に係る溝加工ツールについて説明する。 上記溝加工ツール8をホルダ9に取り付けるに際して、刃先85が図4に示すように、太陽電池基板Wに対して進行方向側に向けて配置し、いずれか一つの刃先で溝加工を行うようにしている。 刃領域82の頂部の左右幅L1は50〜60μmが好ましいが、要求されるスクライブの溝幅に対応して25〜80μmとすることができる。 また、円盤状ボディ81の直径は、例えば1〜20mm、厚みL2は20μm〜1mm、刃面83の高さHは50μm〜5mm程度にしてある。 上記構成において、溝加工ツール8をホルダ9に取り付けて溝加工を行う際に、図4に示すように、刃先85が基板Wに対して線接触(図4における紙面の前後方向に線接触する)で接触して薄膜をスムースに剥離することができ、直線状できれいなスクライブラインを形成することができる。 また、溝加工ツール8の取付時において、図5に示すように、刃領域82の刃面83を基板Wに対して進行方向側に少し傾斜させた姿勢で取り付けることにより、刃先85が基板Wに対して確実に線接触で接触し、薄膜を切れ味よく剥離することが可能となる。 また、使用している刃先85が摩耗または刃こぼれしたときは、次の新しい刃先が溝加工部位になるように、円盤状のボディ81を回転させて固定する。 本実施例の場合、等間隔で形成された刃領域82の数が4個であるので、新しい刃先に位置替えする場合の回転角度は90度となる。 これにより、溝加工ツールを交換することなく簡単に新しい刃先にセットすることができて交換作業の煩雑さを解消することができる。 図6は、本発明にかかる溝加工ツールの別の実施例を示すものであって、刃領域82の刃先85を含む先端部分の左右側面82a、82bが、互いに平行をなす一対の面で形成されている。 上述した実施例では、スクライブヘッド7をX方向に移動させることでスクライブ加工を実行したが、スクライブヘッド7と、太陽電池基板Wとが相対的に移動できれば足りることから、太陽電池基板Wが固定された状態でスクライブヘッド7をX方向およびY方向に移動させてもよいし、スクライブヘッド7を移動させることなく、太陽電池基板WのみをX方向及びY方向に移動させてもよい。 以上、本発明の代表的な実施例について説明したが、本発明は必ずしも上記の実施例構造のみに特定されるものではない。 例えば、溝加工ツール8のホルダ9への取付手段は、溝加工ツール8を所定角度ごとに順次回転でき、かつ設定位置で確実に固定できるものであればどのような手段であってもよい。 その他本発明では、その目的を達成し、請求の範囲を逸脱しない範囲内で適宜修正、変更することが可能である。 本発明は、カルコパイライト化合物系半導体膜を用いた集積型薄膜太陽電池を製造する際に使用される溝加工ツールに適用することができる。 W 太陽電池基板8 溝加工ツール81 ボディ82 刃領域83 刃面84 切り欠き85 刃先9 ホルダ |