1.一种增加钽粒子的表面积的方法，包括：
将钽粉末和介质装入研磨装置，其中
所述介质的平均直径至少为0.01cm至不超过0.3175cm；
在不超过3,000尔格每介质粒子的平均动能下研磨以获得经研磨的粉末，
其中所述经研磨的粉末具有大于4m2/g的BET表面积，至少为3的纵横比以及不超过
30ppm的金属杂质。
2.根据权利要求1所述的增加钽粒子的表面积的方法，包括在不超过1,000尔格每介质粒子的平均动能下研磨。
3.根据权利要求2所述的增加钽粒子的表面积的方法，包括在不超过100尔格每介质粒子的平均动能下研磨。
4.根据权利要求3所述的增加钽粒子的表面积的方法，包括在不超过5尔格每介质粒子的平均动能下研磨。
5.根据权利要求4所述的增加钽粒子的表面积的方法，包括在不超过2尔格每介质粒子的平均动能下研磨。
6.根据权利要求5所述的增加钽粒子的表面积的方法，包括在不超过1尔格每介质粒子的平均动能下研磨。
7.根据权利要求1所述的增加钽粒子的表面积的方法，其中所述介质包含这样的材料，该材料选自由氧化锆、氧化钇稳定的氧化锆、440不锈钢、玻璃、碳化钨、钽、铌、氮化钽、氮化铌、碳化钽及其混合物组成的组。
8.根据权利要求1所述的增加钽粒子的表面积的方法，其中所述介质是球形的。
9.根据权利要求1所述的增加钽粒子的表面积的方法，其中所述经研磨的粉末的BET表面积大于5m2/g。
10.根据权利要求9所述的增加钽粒子的表面积的方法，其中所述经研磨的粉末的BET表面积大于6m2/g。
11.根据权利要求10所述的增加钽粒子的表面积的方法，其中所述经研磨的粉末的BET表面积大于7m2/g。
12.根据权利要求11所述的增加钽粒子的表面积的方法，其中所述经研磨的粉末的BET表面积大于8m2/g。
13.根据权利要求12所述的增加钽粒子的表面积的方法，其中所述经研磨的粉末的BET表面积大于9m2/g。
14.根据权利要求1所述的增加钽粒子的表面积的方法，其中所述经研磨的粉末具有不超过30ppm的选自铁、镍和铬的杂质。
15.根据权利要求1所述的增加钽粒子的表面积的方法，其中所述经研磨的粉末具有不超过30ppm的选自铁、镍、铬、硅和锆的杂质。
16.根据权利要求1所述的增加钽粒子的表面积的方法，其中所述钽粉末的CV/g小于
30,000微法拉伏特每克。
17.根据权利要求16所述的增加钽粒子的表面积的方法，其中所述钽粉末的CV/g小于
50,000微法拉伏特每克。
18.根据权利要求17所述的增加钽粒子的表面积的方法，其中所述钽粉末的CV/g小于
100,000微法拉伏特每克。
19.根据权利要求1所述的增加钽粒子的表面积的方法，其中所述经研磨的粉末的CV/g至少为180,000微法拉伏特每克。
20.根据权利要求19所述的增加钽粒子的表面积的方法，其中所述经研磨的粉末的CV/g至少为200,000微法拉伏特每克。
21.根据权利要求20所述的增加钽粒子的表面积的方法，其中所述经研磨的粉末的CV/g至少为250,000微法拉伏特每克。
22.根据权利要求1所述的增加钽粒子的表面积的方法，其中在不超过120rpm的主动轴转速下获得所述平均动能。
23.根据权利要求1所述的增加钽粒子的表面积的方法，其中所述研磨装置选自由立式球磨机、罐式磨机、振动球磨机和水平搅拌球磨机组成的组。
24.根据权利要求1所述的增加钽粒子的表面积的方法，其中所述介质包含钢。
25.一种由权利要求1的方法形成的钽粉末。
26.一种包括权利要求25所述的钽粉末作为阳极的电容器。
27.一种由权利要求1的方法形成的钽粉末，具有：
至少30,000微法拉伏特每克的CV/g；
大于4m2/g的BET表面积；
至少为3的纵横比，以及
不超过30ppm的金属杂质。
28.根据权利要求27所述的钽粉末，其纵横比至少为10。
29.根据权利要求28所述的钽粉末，其纵横比至少为100。
30.根据权利要求27所述的钽粉末，其纵横比至少为200。
31.根据权利要求27所述的钽粉末，其纵横比不超过300。
32.根据权利要求27所述的钽粉末，包含不超过30ppm的选自铁、镍、铬、硅和锆的杂质。
33.根据权利要求32所述的钽粉末，包含不超过30ppm的选自铁、镍和铬的杂质。
34.根据权利要求27所述的钽粉末，其中所述钽粉末的BET表面积大于5m2/g。
35.根据权利要求34所述的钽粉末，其中所述钽粉末的BET表面积大于6m2/g。
36.根据权利要求33所述的钽粉末，其中所述钽粉末的BET表面积至少为7m2/g。
37.根据权利要求35所述的钽粉末，其中所述钽粉末的BET表面积至少为8m2/g。
38.根据权利要求37所述的钽粉末，其中所述钽粉末的BET表面积至少为9m2/g。
39.根据权利要求27所述的钽粉末，其中所述钽粉末的CV/g至少为180,000微法拉伏特每克。
40.根据权利要求39所述的钽粉末，其中所述钽粉末的CV/g至少为200,000微法拉伏特每克。
41.根据权利要求40所述的钽粉末，其中所述钽粉末的CV/g至少为250,000微法拉伏特每克。
42.一种电容器，包括：
包含由权利要求1的方法形成的钽粉末的阳极；
在所述阳极上的电介质；和
在所述电介质上的阴极，
所述钽粉末具有：
至少180,000微法拉伏特每克的CV/g；
大于4m2/g的BET表面积；
至少为3的纵横比；以及
不超过30ppm的金属杂质。
43.根据权利要求42所述的电容器，包含不超过30ppm的选自铁、镍、铬、硅和锆的杂质。
44.根据权利要求42所述的电容器，包含不超过30ppm的选自铁、镍和铬的杂质。
45.根据权利要求42所述的电容器，其中所述钽粉末的BET表面积大于5m2/g。
46.根据权利要求45所述的电容器，其中所述钽粉末的BET表面积大于6m2/g。
47.根据权利要求46所述的电容器，其中所述钽粉末的BET表面积至少为7m2/g。
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48.根据权利要求46所述的电容器，其中所述钽粉末的BET表面积至少为8m/g。
49.根据权利要求46所述的电容器，其中所述钽粉末的BET表面积至少为9m2/g。
50.根据权利要求42所述的电容器，其中所述钽粉末的CV/g至少为200,000微法拉伏特每克。
51.根据权利要求50所述的电容器，其中所述钽粉末的CV/g至少为250,000微法拉伏特每克。