1.一种用于等离子体处理基材的工艺，方式是对位于具有入口和出口的电介质外壳内的至少一个电极施加射频高压，同时使工艺气体从所述入口经过所述电极流动到所述出口，由此产生非平衡大气压等离子体；将雾化的或气态的表面处理剂掺入所述非平衡大气压等离子体；以及将所述基材邻近所述电介质外壳的所述出口定位，以使得所述基材的所述表面与所述等离子体接触并相对于所述电介质外壳的所述出口移动，其特征在于控制所述工艺气体流以及所述电介质外壳的所述出口与所述基材之间的间隙，使得所述工艺气体在所述电介质外壳内具有湍流流态。
2.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于控制所述电介质外壳的所述出口与所述基材之间的所述间隙使其小于1.5mm。
3.根据权利要求2所述的工艺，其特征在于监测所述工艺气体流并控制所述等离子体出口与所述基材之间的所述间隙，使其低于附图的图4中所示的线。
4.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于所述电介质外壳的所述出口与所述基材之间的所述间隙的表面积小于所述工艺气体入口的面积的35倍。
5.根据权利要求4所述的工艺，其特征在于所述电介质外壳的所述出口与所述基材之间的所述间隙的表面积为所述工艺气体入口的面积的2倍至10倍。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的工艺，其特征在于所述电极/或每个电极为针电极。
7.根据权利要求6所述的工艺，其特征在于所述电极/或每个电极被狭槽围绕，所述工艺气体通过所述狭槽流动。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的工艺，其特征在于将所述基材定位在覆盖金属板的电介质层上并且不使用反电极。
9.根据权利要求1至7中任一项所述的工艺，其特征在于接地反电极定位在所述等离子体管的外部并位于沿所述等离子体管的位置。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的工艺，其特征在于所述工艺气体携带所述表面处理剂经过所述电极。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的工艺，其特征在于所述电极与用于所述表面处理剂的所述雾化器在外壳内相组合。
12.根据权利要求11所述的工艺，其特征在于对位于围绕所述雾化器的所述电介质外壳内并具有相同极性的至少两个电极施加所述射频高压。
13.根据权利要求11所述的工艺，其特征在于所述电极为围绕所述雾化器的管状电极。
14.一种用于等离子体处理基材的设备，包括：与位于电介质外壳内的至少一个与电极相连接的射频高压源，所述电介质外壳具有工艺气体入口和出口，其布置使得工艺气体从所述入口经过所述电极流到所述出口；用于将雾化表面处理剂引入所述电介质外壳的装置；以及用于邻近所述电介质外壳的所述出口的所述基材的支撑装置，其特征在于所述支撑装置的定位使得所述电介质外壳的所述出口与所述基材之间的间隙的表面积小于所述工艺气体入口的面积的35倍。