1.一种功率放大器，其包括：
功率放大器核心，其包含多个增益级以接收射频RF信号以及输出经放大的RF信号；
输出网络，其耦合到所述功率放大器核心以接收所述经放大的RF信号且输出发射输出功率信号；以及
定向耦合器，其耦合到所述输出网络以获得与所述发射输出功率信号成比例的经耦合信号，其中所述功率放大器核心、所述输出网络以及所述定向耦合器配置于单个半导体裸片上。
2.根据权利要求1所述的功率放大器，其进一步包括第一接合线，所述第一接合线耦合到所述单个半导体裸片上的耦合到所述输出网络的第一焊盘且耦合到所述单个半导体裸片上的耦合到所述定向耦合器的输入端口的第二焊盘。
3.根据权利要求2所述的功率放大器，其进一步包括第二接合线，所述第二接合线耦合到所述单个半导体裸片上的耦合到所述定向耦合器的耦合端口的第三焊盘且耦合到所述单个半导体裸片上的耦合到静电放电ESD电路的输入端的第四焊盘。
4.根据权利要求3所述的功率放大器，其进一步包括第三接合线，所述第三接合线耦合到所述单个半导体裸片上的耦合到所述ESD电路的输出端的第五焊盘且耦合到包含所述单个半导体裸片的半导体封装的输出焊盘。
5.根据权利要求2所述的功率放大器，其中所述定向耦合器包括：
第一传输线，其形成于第一金属层上且耦合在所述第二焊盘与所述单个半导体裸片上的第六焊盘之间；以及
第二传输线，其形成于第二金属层上且耦合在所述单个半导体裸片上的第七焊盘与第八焊盘之间。
6.根据权利要求5所述的功率放大器，其进一步包括：
第一电容器，其耦合在所述第一传输线与所述第二传输线之间；以及
第二电容器，其耦合在所述第一传输线与参考电压节点之间。
7.根据权利要求6所述的功率放大器，其进一步包括：
第三电容器，其耦合在所述第二传输线与所述参考电压节点之间；以及第四电容器，其耦合在所述第二传输线与所述参考电压节点之间。
8.根据权利要求5所述的功率放大器，其中所述第二传输线的第一末端耦合到配置于所述单个半导体裸片上的静电放电ESD电路，且所述第二传输线的第二末端耦合到包含所述单个半导体裸片的半导体封装的隔离焊盘。
9.根据权利要求2所述的功率放大器，其中所述定向耦合器经由所述第一接合线而物理上与所述输出网络隔离。
10.根据权利要求1所述的功率放大器，其中所述定向耦合器包括RF耦合器。
11.根据权利要求2所述的功率放大器，其中所述第一接合线的第一末端包括经熔化附接到所述第一焊盘上的球，且所述第一接合线的第二末端包括用以耦合到所述第二焊盘的缝线。
12.根据权利要求2所述的功率放大器，其中所述输出网络包括：
第一变压器，其具有耦合到所述多个增益级中的最后一级的第一电感器以及耦合到所述第一焊盘的第二电感器；以及
第二变压器，其具有耦合到所述多个增益级中的所述最后一级的第三电感器以及耦合到所述第一焊盘的第四电感器。
13.根据权利要求12所述的功率放大器，其中所述第一焊盘位于所述第一变压器与所述第二变压器之间。
14.一种功率放大器，其包括：
多个增益级，其用以接收射频RF信号以及输出经放大的RF信号；
输出网络，其耦合到所述多个增益级以接收所述经放大的RF信号且经由所述输出网络的输出焊盘输出发射功率信号；以及
定向耦合器，其具有输入端口、输出端口、耦合端口和隔离端口，所述定向耦合器经由接合线耦合到所述输出网络，所述接合线耦合到所述输出网络的所述输出焊盘且耦合到所述定向耦合器的所述输入端口，所述输出网络与所述定向耦合器配置于单个半导体裸片上。
15.根据权利要求14所述的功率放大器，其中所述定向耦合器包括：
第一传输线，其形成于第一金属层上且耦合在所述输入端口与所述输出端口之间；以及
第二传输线，其形成于第二金属层上且耦合在所述耦合端口与所述隔离端口之间。
16.根据权利要求15所述的功率放大器，其进一步包括：
第一电容器，其耦合在所述第一传输线与所述第二传输线之间；以及
第二电容器，其耦合在所述第一传输线与参考电压节点之间。
17.根据权利要求16所述的功率放大器，其进一步包括：
第三电容器，其耦合在所述第二传输线与所述参考电压节点之间；以及第四电容器，其耦合在所述第二传输线与所述参考电压节点之间。
18.根据权利要求14所述的功率放大器，其中所述耦合端口耦合到配置于所述单个半导体裸片上的静电放电ESD电路，且所述隔离端口耦合到包含所述单个半导体裸片的半导体封装的隔离焊盘。
19.一种方法，其包括：
在单个半导体裸片上形成功率放大器PA和射频RF耦合器，所述单个半导体裸片包含：
至少一个增益级，其用以接收RF信号以及输出经放大的RF信号；输出网络，其耦合到所述至少一个增益级以接收所述经放大的RF信号且输出发射输出功率信号；以及所述RF耦合器，其具有输入端口、输出端口、耦合端口和隔离端口；
将第一接合线附接在所述输出网络与所述RF耦合器的所述输入端口之间；以及将第二接合线附接在所述RF耦合器的所述输出端口与半导体封装的第一裸片外焊盘之间。
20.根据权利要求19所述的方法，其进一步包括将第三接合线附接在所述RF耦合器的所述耦合端口与所述单个半导体裸片的静电放电ESD电路的输入端之间。
21.根据权利要求20所述的方法，其进一步包括将第四接合线附接在所述ESD电路的输出端与所述半导体封装的第二裸片外焊盘之间。
22.根据权利要求19所述的方法，其进一步包括在所述第一接合线之前附接所述第二接合线。