1.一种倒装芯片装置，包括：
射频信号路径，其具有由在倒装芯片晶片上形成的至少一个电路元件驱动的节点；
第一端接电路，电耦到所述射频信号路径并被配置为匹配在所述节点处的信号的基频的阻抗，该第一端接电路包含在所述倒装芯片晶片之外的第一电路元件；以及第二端接电路，电耦到所述射频信号路径并与所述第一端接电路分开，所述第二端接电路被配置为在与所述节点处的信号的谐波频率对应的相位处终止，该第二端接电路包含在所述倒装芯片晶片之外的第二电路元件，所述第二电路元件和第一电路元件通过不同的凸起电连接到倒装芯片晶片。
2.如权利要求1所述的装置，其中所述至少一个电路元件包含功率放大器。
3.如权利要求2所述的装置，其中所述节点连接到所述功率放大器的输出。
4.如权利要求2所述的装置，其中所述节点连接到所述功率放大器的输入。
5.如权利要求1所述的装置，其中所述谐波频率包含所述信号的二次谐波频率。
6.如权利要求1所述的装置，还包括包含所述第一端接电路的基本负载线。
7.如权利要求1所述的装置，其中所述第一端接电路的至少部分和所述第二端接电路的至少部分在倒装芯片封装基板上实现。
8.如权利要求7所述的装置，其中所述信号路径在与所述倒装芯片封装基板通信的倒装芯片晶片上实现。
9.如权利要求7所述的装置，其中所述封装基板包含层压板基板。
10.如权利要求7所述的装置，其中所述第一端接电路包含在所述封装基板上实现的电容器。
11.如权利要求1所述的装置，还包括与所述第一端接电路和所述第二端接电路分开的第三端接电路，所述第三端接电路被配置为在与所述节点处的信号的另一谐波频率对应的相位处终止。
12.如权利要求1所述的装置，其中所述至少一个电路元件包含砷化镓双极晶体管，所述砷化镓双极晶体管的集电极被配置为驱动所述节点。
13.如权利要求1所述的装置，其中所述第一端接电路包含第一电感性电路元件和第一电容性电路元件，所述第一电路元件是所述第一电感性电路元件或所述第一电容性电路元件。
14.如权利要求13所述的装置，其中所述第二端接电路包含第二电感性电路元件和第二电容性电路元件，所述第二电路元件是所述第二电感性电路元件或所述第二电容性电路元件。
15.如权利要求1所述的装置，其中所述节点被包含在第一功率放大器级和第二功率放大器级之间的路径中。
16.一种多芯片模块，包括：
倒装芯片功率放大器晶片，其包含被配置为放大输入信号和生成放大后的输出信号的一个或多个功率放大器；以及
输出匹配网络，电耦到所述一个或多个功率放大器，该输出匹配网络包含被配置为匹配所述放大后的输出信号的基频的阻抗的第一端接电路和与所述第一端接电路分开的第二端接电路，所述第一端接电路包含在所述倒装芯片功率放大器晶片之外的第一电路元件，所述第二端接电路包含在所述倒装芯片功率放大器晶片之外的第二电路元件，所述第二电路元件和第一电路元件通过不同的凸起电连接到倒装芯片晶片，并且其中所述第二端接电路被配置为在与所述放大后的输出信号的谐波频率对应的相位处终止。
17.如权利要求16所述的多芯片模块，其中所述倒装芯片功率放大器晶片包含GaAs器件并且所述输出匹配网络的至少部分与所述倒装芯片功率放大器晶片分开地在倒装芯片封装基板上实现。
18.如权利要求16所述的多芯片模块，其中所述输出匹配网络被配置为减少所述放大后的输出信号的能量被转换为与所述放大后的输出信号的谐波频率分量对应的能量的量。
19.一种移动设备，包括：
电池，其被配置为向所述移动设备供电；
倒装芯片功率放大器晶片，其包含被配置为放大射频输入信号和生成放大后的射频信号的一个或多个功率放大器；
天线，其被配置为发射所述放大后的射频信号；以及
输出匹配网络，电耦到所述一个或多个功率放大器，该输出匹配网络包含被配置为匹配所述放大后的射频信号的基频的阻抗的第一端接电路和与所述第一端接电路分开的第二端接电路，所述第一端接电路包含在所述倒装芯片功率放大器晶片之外的第一电路元件，所述第二端接电路包含在所述倒装芯片功率放大器晶片之外的第二电路元件，所述第二电路元件和第一电路元件通过不同的凸起电连接到倒装芯片晶片，并且其中所述第二端接电路被配置为在与所述放大后的射频信号的谐波频率对应的相位处终止，以便延长所述电池放电的时间量。
20.如权利要求19所述的移动设备，其被配置为使用3G通信标准和4G通信标准中的至少一个通信。