1.一种在平面衬底上制造由磁场激励的微开关的方法，其特征在于所述方法包含：
a)蚀刻步骤(42)，以在所述平面衬底的上表面中蚀刻用来形成两条带的凹的模型的空腔，所述空腔具有垂直侧面，所述垂直侧面垂直于所述衬底的所述平面延伸以形成所述两条带的垂直表面，接着
b)填充步骤(50)，以通过磁性材料来填充所述空腔以形成所述两条带，接着c)蚀刻步骤(62)，以通过各向同性的蚀刻方法在所述衬底中蚀刻井，所述井在所述两条带的所述垂直表面上延伸并且低于及包围所述两条带中至少一条的一个远端，以展开所述两条带之间的空气间隙并使所述远端能在以下位置之间运动：
封闭的位置，其中所述两条带的所述垂直表面直接地相互机械接触以使电流流通，及开放的位置，其中所述垂直表面通过所述空气间隙相互分离以使一条带与另一条带电绝缘，
其中通过使各向同性的蚀刻剂与所述衬底直接接触执行所述蚀刻步骤，并且在所述蚀刻步骤中所述各向同性的蚀刻剂不与填充所述空腔的所述磁性材料发生反应，且所述各向同性的蚀刻剂与所述衬底发生反应。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻步骤(42,62)是用于蚀刻硅衬底的步骤。
3.根据权利要求1所述的方法，其中填充所述空腔的步骤包含：沉积步骤(48)，以在用所述磁性材料填充所述空腔之前，至少在所述垂直侧面上沉积导电材料的涂层，所述涂层的厚度严格地小于所述两条带的厚度的一半。
4.根据权利要求3所述的方法，其中通过磁性材料来填充所述空腔的所述填充步骤(50)是使用所述导电材料的涂层作为电极通过电解沉积来完成的。
5.根据权利要求1所述的方法，其中在填充所述空腔后并在于衬底中蚀刻所述井之前，所述在平面衬底上制造由磁场激励的微开关的方法包含制作罩子的步骤(50)，以覆盖在其中需蚀刻所述井的空间，并且在所述罩子中制作入口孔，并在蚀刻所述井的蚀刻步骤(62)期间，通过每个所述入口孔注入所述各向同性的蚀刻剂以在所述罩子下实现对所述井的各向同性的蚀刻。
6.根据权利要求5所述的方法，其中在通过每个所述入口孔注入所述各向同性的蚀刻剂以在所述罩子下实现对所述井的各向同性的蚀刻步骤之后，还包括步骤，塞住所述入口孔。
7.根据权利要求1所述的方法，其中在所述衬底的所述上表面上蚀刻所述空腔的蚀刻步骤(42)是通过各向异性的蚀刻方法来完成的。
8.根据权利要求1所述的方法，其中蚀刻所述空腔的所述蚀刻步骤(42)还包含同时蚀刻用来形成电极的凹的模型的空腔，以将所述两条带电连接至外部电路。
9.根据权利要求1所述的方法，其中填充所述空腔的所述填充步骤(50)是通过在所述衬底的整个上表面上包括在所述空腔外侧沉积磁性材料的层来完成的，并且然后所述在平面衬底上制造由磁场激励的微开关的方法包含机械/化学抛光步骤(54)，以对所述衬底的所述上表面进行机械/化学抛光以去除位于所述空腔外侧的磁性材料的沉积。