[0001] 本发明涉及在可通过蒸镀法成膜的材料(以下称为蒸镀材料)的成膜过程中所用的成膜装置以及配备了该成膜装置的制造装置。特别而言，本发明涉及通过在基底对面设置的蒸镀源而使蒸镀材料蒸发成膜由此进行蒸镀时所用的掩模、贮存蒸镀材料的容器以及制造装置。

[0002] 以具有轻薄性、高速响应性、低直流电压驱动等特性的有机化合物作为发光体的发光元件，是新时代平面显示器应用所期待的。特别而言，使发光元件按矩阵方式设置的显示装置与以前的液晶显示装置相比，考虑到其视角宽、视觉效果优异，从这些方面而言它具有优越性。

[0003] 发光元件的发光原理是，将含有有机化合物的层夹在一对电极之间，通过施加电压，使从阴极注入的电子和从阳极注入的空穴在有机化合物层内的发光中心处发生再化合而形成分子激子，该分子激子在返回基态时会放出能量而产生发光现象。就激发态而言，已知存在着单重态和三重态，无论通过哪个激发态都可以发光。

[0004] 在将这种发光元件按矩阵方式设置而形成的发光装置中，可以利用无源矩阵驱动(简单矩阵型)法和有源矩阵驱动(有源矩阵型)法之类的驱动方法。但是，在增加象素密度的情况下，针对每个象素(或1个点)逐个设置开关的有源矩阵型方法，考虑到它可以低电压驱动，因此是有其优越性的。

[0005] 还有，含有有机化合物的层具有以[空穴传输层/发光层/电子传输层]为代表的叠层结构。还有，形成EL层的EL材料大致分为低分子系(单体系)材料与高分子系(聚合物系)材料，低分子系材料能利用蒸镀装置成膜。

[0006] 以前的蒸镀装置，在基板托座上设置了基板，并装备了填充有EL材料即蒸镀材料的坩埚(或蒸镀皿)、防止升华性EL材料上升的开合门、加热坩埚内的EL材料用的加热器。然后，使通过加热器加热的EL材料升华，由此在旋转的基板上成膜。此时，为了均匀地进行成膜，基板和坩埚之间的距离要隔开至少1m。

[0007] 在以前的蒸镀装置和蒸镀方法中，在通过蒸镀法形成EL层时，升华的EL材料大部分会附着在蒸镀装置成膜室内的内壁、开合门或防粘屏蔽板(为了防止蒸镀材料附着在成膜室内壁上而设置的保护板)上。因此，在EL层成膜过程中，昂贵的EL材料的利用率非常低，最高约为1％，所以发光装置的制造成本非常高。

[0008] 还有，在以前的蒸镀装置中，为了获得均一的膜，基板和蒸镀源之间要至少间隔1m。还有，在大面积基板的情况下，很容易会产生基板中央部位和边缘部位的膜厚不均一的问题。进一步而言，该蒸镀装置是使基板旋转的结构，所以该蒸镀装置在大面积基板适用性方面有其局限性。

[0009] 而且，如果使大面积基板和蒸镀用掩模在紧密接触的情况下同时旋转的话，掩模和基板之间有可能会产生位置偏差。还有，基板和掩模等在蒸镀时受到加热，会因为热膨胀而使其尺寸发生变化，因为掩模和基板的热膨胀率不同，所以尺寸精度和位置精度等会产生降低。

[0010] 鉴于这些问题，本发明人提供了蒸镀装置(专利文献1、专利文献2)，由此作为解决前述问题的一种措施。

[0011] [专利文献1]

[0012] 特开2001-247959号公报

[0013] [专利文献2]

[0014] 特开2002-60926号公报

[0015] 本发明提供了配备有蒸镀装置的制造装置，其是一种通过提高EL材料的利用率而降低制造成本，同时在EL层成膜均一性和生产率等方面表现优异的制造装置。

[0016] 还有，本发明提供了针对基板尺寸比如为320mm×400mm、370mm×470mm、550mm×650mm、600mm×720mm、680mm×880mm、1000mm×1200mm、1100mm×1250mm、
1150mm×1300mm的大面积基板而且EL材料蒸镀效率高的制造装置。还有，本发明提供了即使是针对大面积基板，也能够在整个基板表面上获得均一膜厚的蒸镀装置。

[0017] 而且，为了针对大面积基板进行选择性的蒸镀，本发明提供了掩模精度高的大型掩模。

[0018] 为了解决前述问题，本发明将掩模固定在框架的热膨胀中心上。仅在热膨胀中心处用耐温度变化能力强的粘合剂进行局部固定。该热膨胀中心是由框架的材料、形状以及外周和内周所决定的。

[0019] 还有，采用与基板具有基本上相同的热膨胀系数的材料来形成掩模本体。因为掩模本体能够跟从基板的膨胀状态而发生膨胀，所以能够确保蒸镀位置的精度。在某一温度范围内加热时，框架发生膨胀，即使其外周和内周发生变化，由于固定掩模的位置处于热膨胀中心，所以其对合位置不会发生变化。

[0020] 还有，本发明在蒸镀时将基板和掩模固定下来而不让其旋转。蒸镀时，通过使蒸镀源托座沿X方向、Y方向或Z方向移动而在基板上成膜。

[0021] 本发明所公开的发明构成是掩模，它是具有图案开口的薄板状掩模，其特征在于，该掩模是在拉伸状态下固定在框架上的，而且，前述掩模是粘结在与通过框架构件的热膨胀中心的线重合的位置上的。

[0022] 还有，其它发明构成是掩模，它是具有图案开口的薄板状掩模，其特征在于，该掩模是在拉伸状态下固定在框架上的，而且，前述掩模是粘结在与通过框架构件的热膨胀中心的线相比靠外侧的位置上的，在蒸镀时框架因加热而产生膨胀，从而使该掩模保持拉伸状态。

[0023] 在与框架热膨胀中心相比更靠外侧上固定的话，在加热使框架发生膨胀的同时，掩模本体也会发生拉伸，因此能够防止产生弯曲现象。即，利用框架的热膨胀作就能够保持掩模的张力。优选的是边对蒸镀材料进行适当的加热边进行蒸镀，可以决定适当的固定位置，以便在该加热温度下对掩模施加适当的张力。

[0024] 还有，就前述各个构成而言，前述框架的四角具有曲率也是可以的。还有，就前述各个构成而言，其特征在于以具有耐热性的粘合剂将前述掩模粘结在框架上。还有，前述掩模也可以通过焊接固定在框架上。

[0025] 还有，其它发明构成是容器，其特征在于它是贮存着安装在蒸镀装置蒸镀源上的蒸镀材料的容器，前述容器的平面截面是长方形或正方形的，而且蒸镀材料所通过的开口部分是细长形状的。

[0026] 在进行共蒸镀时，为了使蒸发中心对准要进行蒸镀的基板上的一点，设计成使蒸镀源的安装角度自由变化的结构也是可以的。但是，由于蒸镀源和角度一起发生倾斜，所以具有两个蒸镀源的间隔是必要的。因此，优选将容器制成图10所示的棱柱状，优选通过容器的开口方向来调节蒸发中心。容器由上部分(上部パ-ツ)和下部分(下部パ-ツ)构成，提供蒸镀材料从开口飞出角度不同的多个上部分，可以进行适当的选择。根据蒸镀材料的不同，在蒸镀扩散面等方面也是不同的，所以在共蒸镀时，最好提供安装有不同的上部分的2个蒸镀源。

[0027] 还有，其它发明构成是制造装置，其特征在于制造装置具有装载室、与该装载室相连的运送室、与该运送室相连的多个成膜室以及与该成膜室相连的设置室，前述多个成膜室与使前述成膜室内形成真空所用的真空排气处理室相连，该成膜室具有固定基板用装置、掩模、固定该掩模用框架、对合掩模和基板位置用的对准装置、1个或2个蒸镀源、使该蒸镀源在前述成膜室内移动的装置、加热基板用装置，掩模的端部是粘结在与通过前述框架边框的热膨胀中心的线重合的位置上的。

[0028] 还有，其它发明构成是制造装置，其特征在于该制造装置具有装载室、与该装置室相连的运送室、与该运送室相连的多个成膜室以及与该成膜室相连的设置室，前述多个成膜室与使前述成膜室内形成真空所用的真空排气处理室相连，该成膜室具有固定基板用装置、掩模、固定该掩模用框架、对合掩模和基板位置用的对准装置、1个或2个蒸镀源、使该蒸镀源在前述成膜室内移动的装置以及加热基板用装置，贮存着安装在前述蒸镀源上的蒸镀材料的容器，其平面截面是长方形或正方形，而且开口部分是细长形状的。

[0029] 就前述构成而言，其特征在于，前述容器是由上部分和下部分构成的，由前述蒸镀源而来的材料的蒸发是通过容器上部分中开口部分的形状来调节的。还有，前述容器除了具有上部分和下部分以外，内部设置多个开孔的中盖也是可以的。

[0030] 还有，就前述各个构成而言，其特征在于，前述成膜室和前述设置室是与使室内形成真空所用的真空排气处理室相连的，而且具有材料气或清洗气体引入装置。

[0031] 还有，就前述各个结构而言，其特征在于，前述蒸镀源在成膜室内可沿X方向、Y方向或Z方向移动。

[0032] 还有，就前述各个结构而言，其特征在于，在前述成膜室中具有将成膜室内部分割开来并阻止向前述基板进行蒸镀的开合门。附图说明

[0033] 图1是表示本发明掩模的斜视图和截面视图(实施方案1)。

[0034] 图2是表示实施方案2的图。

[0035] 图3是表示实施方案3的图。

[0036] 图4是表示本发明掩模的斜视图(实施方案1)。

[0037] 图5是表示包含多室型制造装置的图(实施例1)。

[0038] 图6是蒸镀装置的顶视图(实施例2)。

[0039] 图7是表示设置室和运送情况的图(实施例2)。

[0040] 图8是成膜室内部的顶视图(实施例3)。

[0041] 图9是成膜室内部的顶视图(实施例3)。

[0042] 图10是表示本发明容器的图(实施方案4)。

[0043] 图11是表示本发明蒸镀装置的图(实施方案4)。

[0044] 图12是表示有源矩阵型EL显示装置的结构的图。

[0045] 图13是表示一些电器实例的图。

[0046] 图14是实施例6所示的电器的方框图。

[0047] 图15是控制方框图。

[0048] 图16是表示实施例6所示的电器充电时的情况的图。

[0049] 具体实施方案

[0050] 针对本发明的实施方案，以下进行说明。

[0051] 实施方案1

[0052] 图1(A)是本发明掩模的斜视图。将掩模本体122固定在固定位置A124a处，该位置是设置在通过掩模框架120的热膨胀中心121的线上的。还有，优选使在蒸镀室内承载掩模框架的臂(图中未表示)也承载在该固定位置A124a处。

[0053] 还有，图1(B)是蒸镀时承载基板124时的截面视图。蒸镀时，基板124与掩模本体122和掩模框架120按照一定的位置进行对准，通过基板背面上设置的磁铁(图中未表示)利用磁力使掩模本体与基板的蒸镀面完全贴紧。这里虽然以通过磁铁固定的情况为例，但也可以通过机械方式固定。而且，在掩模本体上预先设置开口部分123，蒸镀材料穿过开口部分123而成膜，就能够在基板124上形成图案。

[0054] 还有，就本发明而言，将基板124和掩模本体122固定，通过使蒸镀源沿X方向或Y方向移动来进行蒸镀。这种使蒸镀源沿X方向或Y方向移动的方法适合于大型基板的蒸镀。

[0055] 就本发明而言，优选采用使用了具有与基板相同的热膨胀系数的材料的掩模本体。比如，在使用玻璃基板时，就掩模本体而言，可以使用与玻璃热膨胀率相近的42合金(Fe-Ni合金：Ni 42％)或36殷钢(Fe-Ni合金：Ni 36％)。在蒸镀时，虽然进行加热，但掩模本体和基板的膨胀量相同，因此也不容易产生位置偏差。还有，掩模框架120虽然也被加热，但因为热膨胀中心的位置不会发生变化，所以即使掩模框架120与掩模本体122的材料不同而使其热膨胀系数不同的话，也不容易产生位置偏差。本发明特别适于因为加热而容易产生大的位置偏差的大型基板的蒸镀。

[0056] 还有，掩模可以通过蚀刻法或电铸法形成。还有，也可以将干蚀刻法或湿蚀刻法等蚀刻法与在与蒸镀掩模相同的金属的电铸液槽中进行的电铸法组合在一起而形成掩模。

[0057] 还有，为了在加热状态下保持掩模本体122的张力，如果不采用固定位置A124a，而是在与热膨胀中心相比更靠外周侧的固定位置B124b上固定的话，就能够利用掩模框架的膨胀量来保持掩模本体122的张力。从热膨胀中心至固定位置B124b的距离是由蒸镀时的加热温度、框架热膨胀系数、框架外周和内周共同适当确定的。

[0058] 还有，图1(C)是使掩模框架的四角圆滑的实例。通过使掩模的四角圆滑，就会防止掩模框架的角因任何碰撞而遭到损坏。而且，在图1(C)中，130是掩模框架，131是热膨胀中心，132是掩模本体，133是开口部分。

[0059] 还有，图4是设置了间隙部分223b的实例，它在开口部分223a的四角上保留了余量。通过设置间隙部分223b，即使对掩模本体232施加张力，即使发生热膨胀，也能够防止裂纹从相邻开口部分的角处进入掩模本体232中。而且，在图4中，230是掩模框架，231是热膨胀中心，232是掩模本体，224是固定位置。

[0060] 实施方案2

[0061] 在这里，就基板支持装置的结构利用图2进行详细的说明。使用大面积基板来制取多个面(1个基板上形成多个图案)时，按照划线部分接触的那样设置了支持基板用的基板支持装置。即，基板支持装置上承载着基板，从在基板支持装置下方设置的蒸镀源托座使蒸镀材料升华，利用基板支持装置对未接触的区域进行蒸镀。如此而为，就能够将大面积基板的弯曲变形抑制在1mm或更小。

[0062] 就图2(A)而言，表示的是承载了基板303和掩模302的基板支持装置301的斜视图，图2(B)仅表示了基板支持装置301。

[0063] 还有，图2(C)表示的是掩模302上承载着基板303的基板支持装置的截面视图，它是由高h为10mm～50mm、宽w是1mm～5mm的金属板(典型的是Ti和形状记忆合金等)构成的。还有，基板支持装置也可以是由形状记忆合金构成的金属丝。基板支持装置是通过焊接或粘结法与掩模302固定的。还有，掩模302是通过粘合剂固定在掩模框架304的热膨胀中心位置上的。

[0064] 通过该基板支持装置301，就能够抑制基板弯曲或因基板重量而产生的掩模弯曲现象。还有，通过该基板支持装置301，在抑制掩模弯曲现象的同时，还能够保持掩模的张力。

[0065] 还有，基板支持装置301的形状并不限于图2(A)～图2(C)，只要是与掩模上设置的掩模开口部分不重合的形状即可。

[0066] 本实施方案可以与实施方案1自由组合。

[0067] 实施方案3

[0068] 在这里，表示的是通过蒸镀法进行RGB分色涂布的实例。

[0069] 就图3(A)而言，它表示的是由掩模框架420和掩模本体422构成的掩模的分解斜视图。

[0070] 掩模框架420的热膨胀中心421与它和掩模本体422的粘结部位426重合。还有，在掩模本体上设置了开口部分423。该开口部分423是按照RGB中的1种图案设置的。这里为了简化，表示的是具有9行×15列开口部分的掩模，但并不是说特别限定于此，所需的象素数目可以根据情况适当确定，比如VGA级别的象素数目为640×480个，而XGA级别是1024×768个。

[0071] 为了进行RGB分色涂布，提供了3个掩模。提供3个掩模时，掩模本体可以遵从同一掩模设计，但是在将其固定在掩模框架上时，要按照规定的象素位置分别进行粘结。或者，在采用1个掩模的情况下，在对准时针对每一个RGB使掩模相对于基板错开一些而进行蒸镀也是可以的。还有，在1个室内采用1个掩模时，在对准时针对每一个RGB使掩模相对于基板错开一些而进行蒸镀也是可以的。

[0072] 图3(B)表示的是进行完RGB3种蒸镀之后基板的斜视图。在基板430上有规律地蒸镀了红色用蒸镀膜431、绿色用蒸镀膜432、蓝色用蒸镀膜433。总计形成405(27行×15列)个图案。

[0073] 本实施方案也可以与实施方案1和实施方案2自由组合。

[0074] 实施方案4

[0075] 在这里，以图10表示贮存蒸镀材料用的容器。图10(A)是容器的斜视图，图10(B)是沿点划线A-B剖开的截面视图，图10(C)是沿点线C-D线剖开的截面视图。

[0076] 在改变蒸镀源的安装角度时，使圆筒形坩埚和包围它的加热器也发生倾斜，所以在使用2个坩埚进行共蒸镀时，它们之间的间隔就会变大。间隔大的话，将2种不同的蒸镀材料均匀地混合在一起就很难了。还有，蒸镀源和基板之间的间隔变窄而欲进行蒸镀时，很难获得均一的膜。

[0077] 在这里，本发明并不改变蒸镀源的安装角度，而是通过容器上部分800a的开口810来调节蒸镀中心。该容器是由容器上部分800a和容器下部分800b以及中盖800c构成的。而且，中盖800c上设有多个小孔，蒸镀时蒸镀材料从这些孔中通过。还有，该容器是由BN烧结体、BN和A1N的复合烧结体、石英或石墨等材料形成的，因此能够耐高温、高压、减压。根据蒸镀材料的不同，蒸镀方向和扩散面等方面也是不同的，因此适当提供了针对各种蒸镀材料能够调节开口810的面积、开口导引部分和开口位置的容器。

[0078] 采用本发明的容器时，无须倾斜蒸镀源加热器就能够调节蒸镀中心。还有，如图10(D)所示，在共蒸镀过程中，使开口810a和开口810b二者面对面设置，缩小了贮存着多种不同的蒸镀材料(材料A805、材料B806)的多个容器彼此之间的间隔，能够在实现均一混合的同时进行蒸镀。在图10(D)中，加热装置801-804连接在各自的电源上，因此可以相互独立地调节温度。还有，蒸镀源和基板的间隔缩小为比如最多20cm，在需要进行蒸镀时，也能够获得均一的膜。

[0079] 还有，图10(E)表示的是与图10(D)不同的实例。在图10(E)中，该实例使用了使开口810c按垂直方向蒸镀的上部分，而且使用了具有沿该方向倾斜的开口810d的上部分来进行蒸镀。在图10(E)中，加热装置801、803、807、808也与其各自的电源连接，因此可以相互独立地调节温度。

[0080] 还有，图10所示的本发明容器，其开口是细长的，所以就能扩大均匀蒸镀的区域，即使在固定着大面积基板的情况下也适于均匀的蒸镀。

[0081] 图11表示的是成膜装置的顶视图，该成膜装置使用了本文图10所示的容器，并且在固定着大面积基板的情况下进行蒸镀。

[0082] 基板815从运送室813通过开合门814而运送进入成膜室812。根据需要，在运送室813或成膜室812中对基板和掩模(图中未表示)的位置进行对合。

[0083] 将由具有开口810的容器上部分800a和容器下部分800b构成的容器800设置在蒸镀源托座811上。蒸镀源托座811利用在成膜室812内沿X方向、Y方向、或Z方向移动的移动装置(图中未表示)而在基板815下方移动。图11中的点划线是蒸镀源托座的一种移动线路。

[0084] 而且，在图11所示的蒸镀装置中，蒸镀时，因为缩小了基板813和蒸镀源托座811之间的间隔距离d，典型的是30cm或更小，优选20cm或更小，更优选5cm～15cm，因此可以显著提高蒸镀材料的使用效率。

[0085] 还有，因为缩小了基板813和蒸镀源托座811之间的间隔距离d，典型的是30cm或更小，优选5cm～15cm，所以也存在着使蒸镀掩模(图中未表示)受热的可能。因此，希望蒸镀掩模14使用受热而不易变形的热膨胀率低的金属材料(比如钨、钽、铬、镍或钼高熔点金属或含有这些元素的合金、不锈钢、因科镍合金、耐盐酸镍基合金材料)。比如，可以提及含镍42％、铁58％的低热膨胀合金等。还有，为了冷却受热的蒸镀掩模，也可以具备为蒸镀掩模提供冷却介质(冷却水、冷却气)循环的装置。

[0086] 而且，本实施方案可以与实施方案1-3中任何的一个自由组合。

[0087] 针对以上结构的本发明，利用以下所示的实施例对其进行更为详细的说明。

[0088] 实施例

[0089] 实施例1

[0090] 图5表示的是多室型制造装置的顶视图。图5所示的制造装置中设置了可提高功效的室。

[0091] 在图5所示的制造装置中，至少在运送室504a、504b、508、514中经常保持真空，而且成膜室506W1、506W2、506W3中也要经常真空保持。因此，就能够省略成膜室内的真空排气操作以及成膜室内的氮气充填操作，从而在短时间内就能够进行连续的成膜处理。

[0092] 在1个成膜室中，在由不同的材料层层合而成的EL层(含有空穴传输层、空穴注入层、发光层、电子传输层、电子注入层等)中，仅对1个层进行成膜。在各个成膜室中设置了可在成膜室内移动的蒸镀源托座。按照以下方式设置成膜室：提供多个该蒸镀源托座，适当地提供多个封入有EL材料的容器(坩埚)。以面朝下的方式设置基板，利用CCD等对蒸镀掩模的位置进行对准，通过电阻加热法进行蒸镀，由此就可以选择性地进行成膜。

[0093] 封入有EL材料的容器(坩埚)的安装以及蒸镀托座部件的交换等是在设置室526p、526q、526r、526s中进行的。在原材料制造商处将EL材料贮存在容器(典型地是坩埚)中。而且，在安装时优选不接触大气，从材料制造商处运送来的时候，坩埚是在第二容器中密封的情况下引入设置室内的。使设置室形成真空，在设置室内将坩埚从第二容器中取出来，将坩埚安装在蒸镀托座上。这样就能够防止坩埚和该坩埚贮存的EL材料受到污染。

[0094] 在本发明中，为了获得封入有由含有有机化合物的层而形成的3层结构的白色发光元件，在最低限度下采用3个室结构就可以形成含有机化合物的层。因为采用了3个室，所以能够缩短工艺时间，还能够降低制造装置的成本。还有，各层的厚度也可以很薄，为20nm～40nm，这对材料成本而言是有利的。

[0095] 比如，在形成白色发光元件时，适宜的是在成膜室506W1中使作为第一发光层的空穴传输层(HTL)成膜，在成膜室506W2中使第二发光层成膜，在成膜室506W3内使电子传输层(ETL)成膜，然后在成膜室510内形成阴极。就第一发光层的发光体而言，可以使用TPD、α-NPD等具有空穴传输性能的蓝色荧光材料。还有，就第二发光层的发光体而言，以铂为中心金属的金属有机络合物是有效的。具体而言，向主体材料中以高浓度(10重量％～40重量％，优选12.5重量％～20重量％)混入下述结构式(1)～(4)所示的物质的话，就能够产生磷光发光和激基复合物发光两种现象。但本发明并不限定于此，可以采用任何一种同时产生磷光发光和激基复合物发光两种现象的磷光材料。

[0096] 【化1】

[0097]

[0098] 【化2】

[0099]

[0100] 【化3】

[0101]

[0102] 【化4】

[0103]

[0104] 还有，就能够用于电子传输层(ETL)的电子传输材料而言，可以提及三(8-喹啉醇合)铝(简称：Alq3)、三(4-甲基-8-喹啉醇合)铝(简称：Almq3)、双(10-羟基苯并[h]-喹啉醇合)铍(简称：BeBq2)、双(2-甲基-8-喹啉醇合)-(4-羟基-联苯基)-铝(简称：BAlq)、双[2-(2-羟基苯基)苯并 唑合]锌(简称：Zn(BOX)2)、双[2-(2-羟基苯基)-苯并噻唑合]锌(简称：Zn(BTZ)2)等金属络合物。而且，除了金属络合物以外，可以采用2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4- 二唑(简称：PBD)、1，3-双[5-(对叔丁基苯基)-1，3，4- 二唑-2-基]苯(简称：OXD-7)等 二唑衍生物、3-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-5-(4-联苯基)-1，2，4-三唑(简称：TAZ)、3-(4-叔丁基苯基)-4-(4-乙基苯基)-5-(4-联苯基)-1，2，4-三唑(简称：p-EtTAZ)等三唑衍生物、2，2′，2″-(1，3，5-苯三基)三[1-苯基-1H-苯并咪唑](简称：TPBI)等咪唑衍生物、红菲绕啉(简称：BPhen)、浴铜灵(简称：BCP)等菲绕啉衍生物。

[0105] 特别地，通过共蒸镀能够向第二发光层中以高的浓度(10重量％～40重量％，优选12.5重量％～20重量％)混入一种金属络合物，所以浓度调节变得很容易，适合于大量生产。

[0106] 即，该蒸镀掩模可以使用简单型掩模，该掩模是在引出电极(取り出し電極)露出部位(随后与FPC贴合的部位)以外的区域内进行蒸镀的。

[0107] 还有，为了形成两面发光式面板，将阴极制成薄金属膜与透明导电膜的叠层。可以通过电阻加热法将薄金属膜(Ag或MgAg)制成1nm～10nm的膜厚，透明导电膜是通过溅镀法形成的，因此短时间内就可以形成阴极。

[0108] 这里表示的是白色发光面板的制造实例，但是制造其它单色发光(绿色、红色、蓝色等)面板也是可以的。

[0109] 以下对向图5所示的制造装置中运送预先设置了阳极(第一电极)和覆盖该阳极端部的绝缘物(隔片)的基板，以制造发光装置的步骤进行说明。而且，在制造有源矩阵型发光装置时，预先在基板上设置了与阳极相连的多个薄膜晶体管(电流调节用TFT)和多个其它薄膜晶体管(开关用TFT等)，还设置了具有薄膜晶体管的驱动电路。还有，在制造简单矩阵型发光装置时，也可以采用图5所示的制造装置进行制造。

[0110] 首先，将前述基板(600mm×720mm)固定在基板载入室520中。即使是基板尺 寸 为 320mm×400mm、370mm×470mm、550mm×650mm、600mm×720mm、680mm×880mm、1000mm×1200mm、1100mm×1250mm以及1150mm×1300mm的大面积基板，也能够应对。

[0111] 将设置在基板载入室520中的基板(设置了阳极和覆盖该阳极端部的绝缘物的基板)运送至保持大气压的运送室518中。而且，在运送室518中设置了用于运送或反转基板的运送装置(运送机械手等)。

[0112] 还有，在运送室508、514、502中分别设置了运送装置和真空排气装置。在运送室518中设置的机械手能够将基板的正反面反转，还能将其反转着运送到运送接收室505中。
运送接收室505与真空排气处理室相连，它能够通过真空排气而产生真空，还能够在真空排气之后，通过引入非活性气体而达到大气压。

[0113] 还有，就前述的真空排气处理室而言，具备磁悬浮型涡轮分子泵、低温泵或干泵。-5 -6
通过这些装置，能够使与各室相连的运送室的真空度达到10 ～10 Pa，而且可以控制从泵一侧和排气系统而来的杂质的反向扩散。为了防止向装置内部引入杂质，就引入气体而言，采用的是氮气和稀有气体等非活性气体。向装置内部引入的这些气体，使用的是在向装置中引入之前经过气体精制机高度提纯过的气体。因此，为了使气体在经过高度提纯之后才引入蒸镀装置之中，必须提供气体精制机。如此一来，就能够除去气体中所含的氧、水和其它杂质等，也能够防止向装置内部引入这些杂质。

[0114] 还有，在向基板装载室520中设置之前，为了减少点缺陷，采用含有表面活性剂(弱碱性)的多孔性海绵材料(典型的是PVA(聚乙烯醇)制、尼龙制海绵等)对第一电极(阳极)的表面进行清洁，优选除去表面碎屑。就清洁设备而言，可以使用具有围绕着与基板面平行的轴线旋转并与基板面接触的滚刷(PVA制)的洗净装置，也可以使用具有围绕与基板面垂直的轴线旋转同时与基板面接触的圆盘刷(PVA制)的洗净装置。

[0115] 然后，将基板由运送室518向运送接收室505中运送，而且，在不接触大气的情况下，将基板从运送接收室505运送至运送室502中。

[0116] 还有，为了消除收缩现象，在即将进行含有有机化合物的膜的蒸镀之前优选真空加热，将基板从运送室502向多级真空加热室521中运送，为了彻底地除去前述基板中所含-3 -4 -6的水分和其它气体等，在真空(5×10 Torr(0.665Pa)或以下，优选10 ～10 Pa)下缓慢冷却以实现脱气。多级真空加热室512中使用了平板加热器(典型地是夹套加热器)，将多个基板均匀地加热。通过提供多个这种平板加热器，用平板加热器将基板夹在中间，由此能够从两面进行加热，不用说，从单面加热也是可以的。特别地，采用有机树脂膜作为层间绝缘膜和隔片材料时，就有机树脂材料而言，它容易吸附水分，有可能会进一步产生脱气现象，所以在形成含有机化合物的层之前，在100℃～250℃，优选150℃～200℃下比如至少加热30分钟，然后自然冷却30分钟，由此进行真空加热以除去吸附的水分是很有效的。

[0117] 还有，除了前述真空加热以外，也可以在非活性气体气氛下在200～250℃下进行加热同时进行UV照射。还有，也可以不进行真空加热，而只是在非活性气体气氛下在200～250℃下进行加热同时进行UV照射处理。

[0118] 还有，根据需要，也可以在成膜室512中在大气压或减压下采用喷墨法、旋转涂布法和喷雾法等形成由高分子材料而来的空穴注入层。还有，通过喷墨法涂布之后，再采用旋转涂布法使膜厚度均一也是可以的。同样地，通过喷雾法涂布之后，再采用旋转涂布法使膜厚度均也是可以的。还有，将基板竖直放置，在真空中通过喷墨法成膜也是可以的。

[0119] 比如，也可以在成膜室512中在第一电极(阳极)整个表面上涂布起到空穴注入层(阳极缓冲层)作用的聚(亚乙基二氧噻吩)/聚(苯乙烯磺酸)的水溶液(PEDOT/PSS)、聚苯胺/樟脑磺酸水溶液(PANI/CSA)、PTPDES、Et-PTPDEK、或PPBA等，烧结也是可以的。烧结时，优选在多级加热室523a、523b中进行。

[0120] 使用旋转涂布法等涂布法形成由高分子材料而来的空穴注入层(HIL)时，能够获得平坦度提高、其上面所形成的膜的覆盖量和膜厚均一性均良好的膜。特别是由于发光层的膜厚均一，所以能够获得均匀的发光效果。此时，在通过涂布法形成空穴注入层之后，在即将通过蒸镀法成膜之前，在大气压下或真空下加热(100～200℃)是优选的。

[0121] 比如，也可以在以海绵清洁完第一电极(阳极)表面之后，将其运送入基板载入室520中，然后运送至成膜室512a中，采用旋转涂布法在其整个表面上涂布聚(亚乙基二氧噻吩)/聚(苯乙烯磺酸)水溶液(PEDOT/PSS)，使膜厚达到60nm，然后运送至多级加热室523a、523b中，80℃煅烧10分钟，然后200℃烧结1小时，进一步运送至多级真空加热室521中，在即将进行蒸镀之前真空加热(170℃，加热30分钟，冷却30分钟)，然后运送至成膜室506W1、506W2、506W3中，在不使其接触大气的情况下通过蒸镀法形成EL层。特别是，采用ITO膜作为阳极材料，当表面上存在着凹凸和微粒时，通过使PEDOT/PSS的膜厚至少为
30nm，就能够降低这些影响。还有，为了改善PEDOT/PSS的润湿性，在UV处理室531中进行紫外线照射是优选的。

[0122] 还有，通过旋转涂布法形成PEDOT/PSS的膜时，由于在整个表面上成膜，所以选择性地除去基板的端面和边缘部位、接线部位、阴极与下部配线的接线区域等是优选的，在预处理室503中使用掩模通过O2打磨等而选择性地除去之是优选的。预处理室503具有等离子体发生装置，通过激发选自Ar、H、F和O中的一种或多种气体而产生等离子体，由此进行干蚀刻。通过使用掩模，能够选择性地只将不需要的部分除去。

[0123] 而且，将蒸镀掩模贮存在掩模贮存室524a、524b中，适当的是，在进行蒸镀时将其运送到成膜室中。使用大型基板时，由于掩模的面积增大，所以就得扩大固定掩模用的框架，很难贮存数目很多的掩模，因此这里提供了2个掩模贮存室524a、524b。在掩模贮存室524a、524b中进行蒸镀掩模的清洁操作也是可以的。还有，由于蒸镀时掩模贮存室是空的，所以它也可以贮存经过成膜或经过处理的基板。

[0124] 然后，将基板从运送室502运送至运送接收室507中，进一步地，在不使其与大气接触的情况下将基板从运送接收室507运送至运送室508中。

[0125] 然后，适宜地将基板运送至与运送室508相连的成膜室506W1、506W2、506W3中，适宜地形成成为空穴传输层、发光层、电子传输层的、由低分子而来的有机化合物层。通过适当选择EL材料，就发光元件整体而言，能够形成显示出单色(具体而言是白色)发光现象的发光元件。而且，基板在各个运送室之间运送时不与大气接触，而是经由运送接收室540、541、511运送的。

[0126] 然后，通过运送室514内设置的运送设备将基板运送至成膜室510内，然后形成阴极。该阴极优选透明或半透明的，以利用了电阻加热的蒸镀法来形成金属膜(MgAg、MgIn、CaF2、LiF、CaN等合金，或元素周期表1族或2族元素与铝通过共蒸镀法形成膜，或这些材料的层合膜)的薄膜(1nm～10nm)，或者以前述金属膜的薄膜(1nm～10nm)与透明导电膜的层合膜作为阴极是优选的。还有，将基板从运送室508经由运送接收室511运送至运送室514之后，将其运送至成膜室509中，然后采用溅镀法形成透明导电膜。

[0127] 通过以上工序，可形成叠层结构的发光元件，在该结构中具有包含有机化合物的层。

[0128] 还有，将其运送至与运送室514相连的成膜室513中，然后形成由氮化硅膜、或氮氧化硅膜而来的保护膜而进行密封也是可以的。在这里，在成膜室513内提供了由硅构成的靶子、或者由氧化硅构成的靶子，或氮化硅构成的靶子。

[0129] 还有，对着固定着的基板而移动棒状靶子，由此形成保护膜也是可以的。还有，对着固定着的棒状靶子，通过移动基板的方式而形成保护膜也是可以的。

[0130] 比如，使用由硅构成的圆盘状靶子，通过成膜室内的气氛成为氮气气氛或含有氮和氩的气氛，就能够在阴极上形成氮化硅膜。还有，形成以碳为主要成分的薄膜(DLC膜、CN膜、非晶碳膜)，以此作为保护膜也是可以的，另外，提供可采用CVD法的成膜室也是可以的。采用等离子体CVD法(典型的是RF等离子体CVD法、微波CVD法、电子回旋共振(ECR)CVD法、热丝CVD法等)、燃烧火焰法、溅镀法、离子束蒸镀法、激光蒸镀法等能够形成类金刚石碳膜(称为DLC膜)。成膜时用的反应气体采用了氢气和烃系气体(比如CH4、C2H2、C6H6等)，通过辉光放电使其电离，离子朝着施加了负自偏压的阴极加速碰撞而成膜。还有，采用C2H4气体和N2作为反应气体来形成CN膜是可以的。而且，DLC膜和CN膜等是对可见光透明或半透明的绝缘膜。对可见光透明指的是可见光透过率为80-100％，对可见光半透明指的是可见光的透过率为50-80％。

[0131] 还有，代替前述保护层而在阴极上形成由第一无机绝缘膜、应力松弛膜和第二无机绝缘膜的叠层而来的保护层也是可以的。比如，在形成阴极之后，运送至成膜室513中，在此形成5nm～50nm的第一无机绝缘膜，再运送至成膜室506W1和506W2和506W3等中，通过蒸镀法形成10nm～100nm且具有吸湿性和透明性的应力松弛膜(无机层，或含有有机化合物的层等)，进一步地，运送至成膜室513中，形成5nm～50nm的第二无机绝缘膜。

[0132] 然后，将发光元件已形成的基板运送至密封室519中。

[0133] 密封基板是从外部向装载室517中设置并提供的。将密封基板从装载室517运送至运送室527中，根据需要，将其运送至旨在贴合干燥剂和滤光片(颜色滤光片、偏振片等)等的光学膜(光学フイルム)贴合室529中。还有，在装载室517中设置预先贴有光学膜(颜色滤光片、偏振片)的密封基板也是可以的。

[0134] 而且，为了除去密封基板中的水分等杂质，预先在多级加热室516中进行缓慢降温是优选的。然后，在密封基板上形成旨在与已设置了发光元件的基板贴合的密封材料时，在分配室515中形成密封材料，将已形成了密封材料的密封基板经由运送接收室542运送至运送室514中，进一步将其运送至密封基板贮存室530中。而且，这里表示的是在密封基板上形成密封材料的实例，但本发明并不具体限于此，在形成了发光元件的基板上形成密封材料也是可以的。还有，将蒸镀时使用的蒸镀掩模贮存在密封基板贮存室530中也是可以的。

[0135] 而且，由于本实施例针对的是两面发射型结构，所以可以将密封基板运送至光学膜贴合室529中，由此在密封基板的内侧贴合光学膜。或者，在将设置了发光元件的基板与密封基板贴合之后，将其运送至滤光片贴合室529中，就可以在该密封基板的外侧贴合光学膜(颜色滤光片、或偏振片)。

[0136] 然后，在密封室519中使基板和密封基板贴合，接着利用密封室519中设置的紫外线照射设备对贴合好的一对基板进行UV光照射，以使密封材料固化。从未设置TFT的密封基板一侧进行UV光照射是优选的，因为该TFT会遮挡光。而且，虽然这里以紫外线固化+热固化树脂作为密封材料，但就该粘合剂而言没有特别的限制，使用只通过紫外线固化的树脂等也是可以的。

[0137] 还有，密封的空间中不填充非活性气体，填充树脂也是可以的。就下面发射型的情况而言，当紫外线是从密封基板一侧照射时，由于阴极不透光，所以对填充树脂材料没有特别的限制，紫外线固化型树脂和不透明性树脂等均是可以采用的，但是两面发射型的情况下，当紫外线从密封基板一侧照射时，紫外线会通过阴极而使EL层遭受损坏，因此不使用紫外线固化性树脂是优选的。因此，在两面发射型的情况下，以热固化的透明性树脂作为填充树脂是优选的。

[0138] 然后，将贴合好的一对基板从密封室519运送至运送室514，然后经由运送接收室542从运送室527运送至取出室525中，最后取出。

[0139] 还有，从取出室525中取出之后，进行加热以使密封材料固化。就上面发射型而言，当填充的是热固化性树脂时，在对密封材料进行加热处理以使其固化的同时也能够使该树脂发生固化。

[0140] 如前所述，由于采用了图5所示的制造装置，将发光元件完全密封在密闭空间中而不使其不暴露在大气之下，就可以制造出可靠性高的发光装置。

[0141] 而且，虽然这里在图中没有表示，但是通过控制基板在各个处理室中的运送路线，可以设计出能实现全自动化操作的控制装置。

[0142] 实施例2

[0143] 图6表示的是蒸镀装置顶视图的一个实例。

[0144] 就图6而言，成膜室101具有基板支持装置(图中未表示)、设置了蒸镀开合门(图中未表示)的第一蒸镀源托座104a和第二蒸镀源托座104b、为了移动这些蒸镀源托座而设置的装置(图中未表示)、制造减压气氛的装置(真空排气装置)。利用该减压气氛制造-3 -4 -6装置，可将成膜室101真空排气至5×10 Torr(0.665Pa)或以下，优选10 ～10 Pa的真空度。

[0145] 还有，在成膜室中，将在蒸镀时用于引入数sccm之多的材料气的气体引入系统(图中未表示)与为使成膜室内部达到常压而设的非活性气体(Ar、N2等)引入系统(图中未表示)相连。进一步设置清洗气体(选自H2、F2、NF3或O2中的一种或多种气体)引入系统也是可以的。而且，所希望的是，不要使材料气从气体引入口以最短的距离流向气体排出口。

[0146] 还有，通过在成膜时有意地引入材料气，使材料气的成分包含在有机化合物膜中，可以形成高密度的膜，也能防止氧和水分等使性能变差的杂质侵入膜中并在其中扩散。具体而言，就材料气而言，可以采用选自硅烷系气体(甲硅烷、乙硅烷、丙硅烷等)、SiF4、GeH4、GeF4、SnH4、或烃系气体(CH4、C2H2、C2H4、C6H6等)中的一种或多种。而且，也可包含这些气体经氢和氩等稀释之后的混合气体。向装置中引入的这些气体，采用的是在向装置内部引入之前经过气体精制机高度提纯过的气体。因此，为了使气体在经过高度提纯之后在引入蒸镀装置中，必须提供气体精制机。如此一来，能够预先除去气体中所含的残留气体(氧、水分、其它杂质等)，因此就能够防止这些杂质被引入装置内部。

[0147] 比如，通过在蒸镀时引入甲硅烷气体，使膜中含有Si，在发光元件完成之后，当存在着针孔和短路等不良区域时，该不良区域会通过产生热量而使Si发生反应，由此形成SiOx、SiCx等绝缘性的绝缘物，进而降低针孔和短路区域中的漏泄电阻，从而使这些缺陷(黑点)不能继续发展，即也会获得所谓的自愈效果。

[0148] 而且，在引入前述材料气时，除了低温泵以外，组合设置涡轮分子泵和干泵是优选的。

[0149] 还有，在成膜室101中，蒸镀源托座104能够沿图6中点划线所示的移动路线往复多次移动。而且，图6中所示的移动路线只是一个实例，本发明并不限于此。为了使膜厚度均一，沿图6所示的移动路线缓慢挪移而使蒸镀源托座移动，由此进行蒸镀是优选的。还有，沿同一移动路线往复移动也是可以的。还有，通过在每个移动路线区间内适当地改变蒸镀托座的移动速度，预期能够获得膜厚均一化效果，而且也可以缩短成膜所消耗的时间。比如，可以使蒸镀源托座以30cm/分钟～300cm/分钟的速度沿X方向或Y方向移动。

[0150] 还有，在制造白色发光元件时，也可以进行如图9所示的局部蒸镀法。在构成面板的区域中，进行局部蒸镀时至少要包含构成显示区域的那些区域。通过进行局部蒸镀，可以防止在无需蒸镀的区域内发生蒸镀。为了进行局部蒸镀，采用了开合门(图中未表示)。通过适当的开合，蒸镀时不使用掩模。图9是制造多面板时的一个实例，900是大型基板、901是成膜室、904是可移动的蒸镀托座，906是坩埚。

[0151] 还有，在蒸镀源托座104a、104b上设置封入了蒸镀材料的容器(坩埚106)。这里表示的是在1个蒸镀源托座104a、104b上设置2个坩埚的实例。还有，为设置室103设置了膜厚计(图中未表示)，这是它的一个特征。在这里，膜厚计在蒸镀源移动的期间是不进行监测的，由此降低膜厚计的更换频率。

[0152] 而且，在1个蒸镀源托座上提供多个容器(贮存有机化合物的坩埚、蒸镀皿)时，为了使有机化合物彼此相互混合，就要使其蒸发方向(蒸发中心)在被蒸镀物位置处交叉，由此希望坩埚的安装角度是倾斜的。

[0153] 还有，蒸镀源托座在坩埚用设置室中随时待机，直至蒸镀速度稳定后才进行加热和保温操作。而且，在坩埚用设置室内设置了膜厚监测装置(图中未表示)。待蒸镀速度稳定后，将基板运送至成膜室102中，相对掩模(图中未表示)进行位置对准，然后打开开合门，使蒸镀托座移动。而且，使用CCD照相机(图中未表示)来确证蒸镀掩模和基板的对准情况。基板和蒸镀掩模上分别预先设置了对准标记，由此来进行位置控制是可以的。蒸镀结束后，蒸镀托座在坩埚用设置室中移动，关闭开合门。关闭开合门后，将基板运送至运送室102中。

[0154] 还有，在图6中，通过使多个蒸镀托座104a、104b在设置室103中待机，在1个蒸镀托座中的材料耗光后，再以1个蒸镀托座替换之，因此就能够进行顺序移动而实现连续成膜了。还有，当一个蒸镀托座在成膜室内移动时，也可以向空蒸镀托座上补充EL材料。通过使用多个蒸镀托座104，可以进行高效的成膜。

[0155] 还有，蒸镀托座104a、104b只可以设置2个坩埚，不过可以设置4个坩埚而只设置2个或1个坩埚进行蒸镀。

[0156] 根据本发明能够缩短成膜所需要的时间。在以前，补充EL材料时要使成膜室对大气开放，坩埚补充结束之后，还必须抽真空，因此补充所需的时间就会很长，这就是生产率之所以低的原因。

[0157] 还有，由于还能够减少成膜室内壁的粘附物，因此能够减少对成膜室内壁的清洁等维护操作的频率。

[0158] 还有，将坩埚106设置在蒸镀托座104a、104b上的操作，在设置室103b中也进行。图7(A)和图7(B)中表示了运送时的情况。而且，与图6相应的部分使用了相同的符号。
将坩埚106在由上部分721a和下部分721b构成的容器中在真空密封状态下由设置室103的门112运送进来。首先，将运送进来的容器承载在容器安装用旋转台109上，摘下固定件
702。(图7(A))内部是真空状态，所以在大气压下即使摘下固定件702也无法取下来。然后，在设置室103a内进行真空排气，由此使容器盖子(上部分721a)处于可以取下来的状态。

[0159] 针对容器在运送时的状况采用图7(A)进行具体的说明。第二容器被分为运送时使用的上部分(721a)和下部分(721b)，该容器具有设置在第二容器上部分的为了使第一容器(坩埚)固定而用的固定装置706、为该固定装置施加压力所用的弹簧705、设置在第二容器下部分上且构成了使第二容器减压保持的气体路线的气体引入口708、固定上部分容器721a和下部分容器721b用的O型圈以及固定件702。在该第二容器内，设置了封入有经过精制的蒸镀材料的第一容器106。而且，第二容器是由含有不锈钢的材料构成的，第一容器106可以由含有钛的材料形成。

[0160] 在材料制造商处将精制过的蒸镀材料封入第一容器106中。然后，通过O型圈将第二容器的上部分721a和下部分721b合在一起，通过固定件702将上部分容器721a和下部分721b固定，由此将第一容器106封闭在第二容器之中。然后，通过气体引入口708对第二容器减压，进一步地置换成氮气气氛，通过调节弹簧705利用固定装置706固定第一容器106。而且，在第二容器内设置干燥剂也是可以的。如此一来，使第二容器内保持真空、减压和氮气气氛，这样就连稍许的氧和水等吸附在蒸镀材料上都能够防止。

[0161] 然后，通过运送盖子用的机械手108将容器盖子向上拿起，将其移动至安装盖子用台107。而且，本发明的运送装置并不限于图7(B)所示从第一容器106上方夹持(抓住)该第一容器来进行运送的结构，夹持第一容器侧面进行运送的结构也是可以的。

[0162] 然后旋转容器安装用旋转台109，然后将容器下部分留在旋转台上，利用坩埚运送用机械手110只拿起坩埚。(图7(B))最后，将坩埚设置在在设置室103中待机的蒸镀托座104a、104b上。

[0163] 还有，在设置室103中设置了清洗气体(选自H2、F2、NF3、或O2中的一种或多种气体)引入系统，使用清洗气体来清洁蒸镀托座和开合门等部件也是可以的。还有，在设置室中设置等离子体发生装置，使其产生等离子体，或者向该设置室内引入通过等离子体电离的气体，对设置室内壁、蒸镀托座和开合门等部件进行清洁，通过真空排气装置进行排气也是可以的。清洁用的等离子体可以通过激发选自Ar、N2、H2、F2、NF3、或O2中的一种或多种气体而产生。

[0164] 照此方式使蒸镀托座104a、104b移动至设置室103中，在设置室中通过清洁操作就能够保持成膜室的清洁度。

[0165] 还有，本实施例能够和实施例1自由组合。在图5中所示的任意一个成膜室506W1、506W2、506W3中都可以设置图6所示的蒸镀装置，在图5中所示的设置室526a～526n中也可以设置图7所示的设置室。

[0166] 实施例3

[0167] 在这里，表示的是不对大气开放就可以进行成膜室内清洁和蒸镀掩模的清洁操作的成膜室的实例。图8是本实施例成膜装置的截面视图一个实例。

[0168] 如图8所示，它表示的是在通过高频电源1300a和电容1300b连接的蒸镀掩模1302a和电极1302b之间产生等离子体1301的实例。

[0169] 在图8中，将基板连接在设置部位(图中点线部位所示的部位)上，提供固定在托座上的蒸镀掩模1302a，进一步地在其下方设置了可加热至各自不同温度的蒸镀源托座1322。而且，蒸镀源托座1322可通过移动装置1328沿X方向、Y方向、Z方向或构成旋转方向的θ方向移动。

[0170] 通过针对蒸镀托座设置的加热装置(典型地是电阻加热法)将内部的有机化合物加热至升华温度，使其汽化而蒸镀在基板表面上。而且，在蒸镀时，将基板开合门1320移动至不妨碍蒸镀的位置处。还有，也设置了与蒸镀托座同时移动的开合门1321，需要蒸镀时将其移动至不妨碍蒸镀的位置上。

[0171] 还有，蒸镀时可设置气体引入系统，通过该系统可以通入微量的比有机化合物材料颗粒更小的颗粒，即由原子半径小的材料构成的气体，由此就能够使有机化合物膜中含有原子半径小的材料。具体而言，就前述的原子半径小的材料气而言，可以采用选自硅烷系气体(甲硅烷、乙硅烷、丙硅烷等)、SiF4、GeH4、GeF4、SnH4或烃系气体(CH4、C2H2、C2H4、C6H6等)中的一种或多种。而且，还包含这些气体经氢、氩等稀释之后而获得的混合气体。向装置内部引入的这些气体，采用的是在引入装置内部之前经过气体精制机高度提纯过的气体。因此，为了将气体经过高度提纯之后再引入蒸镀装置中，必须提供气体精制机。由此，就能够预先除去气体中所含的残留气体(氧、水分、其它杂质等)，所以就可以防止向装置内部引入这些杂质。

[0172] 比如，通过在蒸镀时引入甲硅烷气体，使膜中含有Si，在发光元件完成之后，当存在着针孔和短路等不良区域时，该不良区域会通过产生热量而使Si发生反应，由此形成SiOx、SiCx等绝缘性的绝缘物，进而降低针孔和短路区域中的漏泄电阻，从而使这些缺陷(黑点)不能继续发展，即也会获得所谓的自愈效果。

[0173] 还有，通过加热基板用加热器1304等加热装置来加热基板，由此使所引入的材料气成分高效地沉积在基板上也是可以的。

[0174] 还有，通过等离子体发生装置来产生自由基也是可以的。比如以甲硅烷为例，通过等离子体发生装置，能够生成SiHx、SiHxOy、SiOy等氧化硅前体，这些前体与来自蒸镀源的有机化合物材料一起沉积在基板上。甲硅烷很容易与氧和水分发生反应，因此也可以降低成膜室内的氧浓度和水分含量等。

[0175] 还有，为了能够引入各种气体，就真空排气处理室而言，提供了磁悬浮型涡轮分子-5 -6泵1326和低温泵1327。通过这些泵，可使成膜室最终达到10 ～10 Pa的真空度。而且，在通过低温泵1327真空排气之后，关闭低温泵1327，通过涡轮分子泵1326进行真空排气，同时一边通入数sccm之多的材料气一边进行蒸镀。还有，采用离子电镀法，使成膜室内的材料气电离，一边让其附着在蒸发的有机材料上一边进行蒸镀也是可以的。

[0176] 蒸镀结束之后，取出基板，然后进行清洁操作，以便在不对大气开放的情况下除去成膜装置内部设置的夹具和成膜装置内壁上附着的蒸镀材料。

[0177] 还有，在清洁时，将蒸镀托座1322移动至设置室(这里图中未表示)中，进行该操作是优选的。

[0178] 在进行清洁时，使线电极1302b向与蒸镀掩模1302a相对的位置上移动。进一步地，向成膜室1303中引入气体。就成膜室1303中引入的气体而言，可以采用选自Ar、H2、F2、NF3或O2中的一种或多种气体。然后，从高频电源1300a对蒸镀掩模1302a施加高频电场，激发气体(Ar、H、F、NF3、或O)而产生等离子体1301。由此在成膜室1303内产生等离子体1301，从而使在成膜室内壁、防粘屏蔽板1305或蒸镀掩模1302a上附着的蒸镀物发生汽化而排到成膜室之外。通过图4中所示的成膜装置，维护时不使成膜室内部或蒸镀掩模与大气接触就可以进行清洁操作。

[0179] 而且，这里表示的是在蒸镀掩模1302a和该掩模与前述蒸镀源托座1306之间设置的电极1302b之间产生等离子体的实例，但并不特别限于此，配备等离子体发生装置也是可以的。还有，电极1302b也可以与高频电源连接，线电极1302b也可以是板状和网状电极等，能以喷头方式引入气体的电极也是可以的。而且，就等离子体发生方法而言，可以适宜地采用ECR、ICP、螺旋波、磁控管、双频、三极管或LEP法等。

[0180] 还有，前述利用等离子体进行的清洁操作，每完成一次成膜操作就进行一次是可以的，完成几次成膜操作之后再进行也是可以的。

[0181] 还有，本实施例能够与实施方案1-4、实施例1、实施例2中的任意一个自由组合。

[0182] 实施例4

[0183] 在本实施例中，以图12表示制造在具有绝缘表面的基板上具有以有机化合物层作为发光层的发光元件的发光装置(两面发射结构)的实例。

[0184] 而且，图12(A)是表示发光装置的顶视图，图12(B)是图12(A)沿A-A′剖切得到的截面视图。点线所示的1101是源信号(ソ-ス信号)线驱动电路、1102是象素部分、1103是门信号(ゲ-ト信号)线驱动电路。还有，1104是透明的密封基板，1105是第一密封材料，在被第一密封材料1105包围的内侧以透明的第二密封材料1107填充。而且，在第一密封材料1105中含有保持基板间隔用的间隙材料。

[0185] 而且，1108是用来传输向源信号线驱动电路1101和门信号线驱动电路1103输入的信号的配线，并且接收从构成外部输入端子的FPC(软印刷电路)1109而来的视频信号和时钟信号等。而且，这里仅图示出FPC，但是在该FPC上安置印刷配线基底(PWB)也是可以的。

[0186] 然后，针对截面结构对图12(B)进行说明。在透明基板1110上形成驱动电路和象素部分，这里表示了作为驱动电路的源信号线驱动电路1101和象素部分1102。

[0187] 而且，该源信号线驱动电路1101形成了由n通道型TFT 1123和p通道型TFT 1124组合而来的CMOS电路。还有，也可以采用已知的CMOS电路、PMOS电路或NMOS电路来形成构成驱动电路的TFT。还有，本实施例中虽然表示的是在基板上形成的驱动集成化结构，但不一定非有这个必要，可以不在基板上而是在外部形成。还有，对以聚硅膜或无定形硅膜为活性层的TFT的结构没有特别的限制，顶门型(トツプゲ-ト型)TFT是可以的，底门型(ボトムゲ-ト型)TFT也是可以的。

[0188] 还有，象素部分1102是由多个象素形成的，该象素含有开关用TFT1111、电流控制用TFT 1112和与其漏极电连接的第一电极(阳极)1113。就电流控制用TFT 1112而言，可以是n通道型TFT，也可以是p通道型TFT，但是在与阳极接线时，优选p通道型TFT。还有，适当地设置保持电容(图中未表示)是优选的。而且，虽然这里仅表示了在所设置的无数个象素中一个象素的截面结构，而且表示的是对这一个象素采用2个TFT的实例，但是适当地采用3个或更多个TFT也是可以的。

[0189] 这里表示的是第一电极1113与TFT的漏极直接连接的结构，因此所希望的是，第一电极1113的下层是由硅形成的漏极和电阻接触器可以取下的材料层，与含有机化合物的层相连的最上层是功函大的材料层。比如可以采用透明导电膜(ITO(氧化铟氧化锡合金)、氧化铟氧化锌合金(In2O3-ZnO)、氧化锌(ZnO)等)。

[0190] 还有，在第一电极(阳极)1113的两端形成绝缘物(称为bank、隔片、阻挡层、屏障等)1114。绝缘体1114可以由有机树脂膜或含硅的绝缘膜形成。这里，采用正型感光性丙烯酸类树脂膜作为绝缘物1114，形成图12所示形状的绝缘物。

[0191] 为了获得良好的覆盖量，所以在绝缘物1114的上端部分或下端部分形成具有曲率的曲面。比如，在采用正型感光性丙烯酸类树脂作为绝缘物1114材料时，优选仅在绝缘物1114的上端部分形成具有曲率半径(0.2μm～3μm)的曲面。还有，作为绝缘物1114，可以使用因感光性光的作用而不溶于浸蚀剂的负型材料，或因光的作用而溶于浸蚀剂的正型材料，其中的任何一种均可以使用。

[0192] 还有，在绝缘体1114上覆盖以氮化铝膜、氮化氧化铝膜、碳为主要成分的膜，或由氮化硅膜构成的保护膜也是可以的。

[0193] 还有，在第一电极(阳极)1113上通过蒸镀法选择性地形成含有有机化合物的层1115。在本实施例中，采用实施方案2所示的制造装置对含有有机化合物的层1115进行成膜，由此获得均一的膜厚。进一步地，在含有有机化合物的层1115上形成第二电极(阴极)1116。就阴极而言，可以采用功函小的材料(Al、Ag、Li、Ca或这些金属的合金MgAg、MgIn、AlLi、CaF2或CaN)。在这里，为了使发射光能够透过，作为第二电极(阴极)1116，采用了膜厚较薄的金属薄膜(MgAg：膜厚10nm)、膜厚110nm的透明导电膜(ITO(氧化铟氧化锡合金)、氧化铟氧化锌合金(In2O3-ZnO)和氧化锌(ZnO)等)的叠层。然后，形成具有第一电极(阳极)1113、含有有机化合物的层1115、以及第二电极(阴极)1116的发光元件
1118。在本实施例中，依次层叠CuPc(膜厚20nm)、α-NPD(膜厚30nm)、含有以铂为中心金属的有机金属络合物(Pt(ppy)acac)的CBP(膜厚30nm)、BCP(膜厚20nm)和BCP：Li(膜厚40nm)，以此作为含有有机化合物的层1115，从而得到白色发光。在本实施例中，发光元件1118是以白色发光为例进行说明的，因此设置了具有着色层1131和遮光层(BM)1132的颜色滤光片(为了简化，这里罩涂层在图中没有表示)。

[0194] 还有，在这种两面发光显示装置中，设置了用于防止背景透底现象和防止外光反射的光学膜1140、1141。就光学膜1140、1141而言，可以适宜地组合偏振膜(高透过型偏振片、薄型偏振片、白偏振片、高性能染料系偏振片、AR偏振片等)、相位差膜(宽频带1/4λ片、温度补偿型相位差膜、扭转相位差膜、宽视角相位差膜、双轴取向型相位差膜等)和亮度增强膜等来使用。比如，采用偏振膜作为光学膜1140、1141，使光的偏振方向彼此垂直设置，由此能够获得防止背景透底的效果和防反射效果。此时，除了通过发光进行显示的部分以外，其余部分都变成黑色，无论从哪一侧来看该显示，都看不到背景透底现象。还有，从发光屏而来的发射光只通过1个偏振片，因此能够原样显示。

[0195] 而且，如果2个偏振片不正交而是彼此的光偏振方向呈±45度以内，优选±20度以内的话，也能够获得前述效果。

[0196] 有了光学膜1140、1141，观察者在从一侧观察时，就能够防止因看到背景透底现象而很难看清显示的问题。

[0197] 进一步地，再增加1片光学膜也是可以的。比如，虽然一个偏振膜吸收S波(或P波)，但在偏振膜与发光屏之间设置将S波(或P波)反射至发光元件一侧使其再生的亮度增强膜也是可以的。结果一来，通过偏振片的P波(或S波)就会增多，就能够获得累积光量增大的效果。在两面发光面板中，从发光元件所经过的层结构是不同的，因此发光状态(亮度、色度等)是不同的，光学膜对于调节两个发光面板的发光平衡而言是有用的。还有，在两面发光面板中，外界光的反射度也是不同的，因此从反射更多光波的角度而言，优选在偏振片和发光面板之间设置亮度增强膜。

[0198] 还有，为了密封发光元件1118，形成了透明的保护叠层1117。该透明的保护叠层1117是由第一无机绝缘膜、应力松弛膜、第二无机绝缘膜的叠层构成的。就第一无机绝缘膜和第二无机绝缘膜而言，可以采用通过溅镀法或CVD法获得的氮化硅膜、氧化硅膜、氧化氮化硅膜(SiNO膜(组成比N＞O)或SiON膜(组成比N＜O))、以碳为主要成分的薄膜(比如DLC膜、CN膜)。这些无机绝缘膜对水分具有高的阻挡效果，但如果膜厚过厚的话，膜应力会增大，容易产生剥离和膜剥落现象。但是，通过在第一无机绝缘膜和第二无机绝缘膜之间夹入应力松弛膜，就能够在松弛应力的同时吸收水分。还有，即使成膜时不管什么原因而在第一无机绝缘膜上形成了微小的孔隙(针孔等)，通过应力松弛膜可以填塞之，而且通过在其上设置第二无机绝缘膜，可产生对水分和氧极高的阻挡效果。还有，就应力松弛膜而言，优选与无机绝缘膜相比应力更小而且具有吸湿性的材料。而且，所希望的是具有透光性的材料。还有，就应力松弛膜而言，可以采用含有α-NPD(4，4′-双[N-(萘基)-N-苯基氨基]联苯)、BCP(浴铜灵)、MTDATA(4，4′，4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯基胺)、Alq3(三-8-喹啉醇合铵络合物)等有机化合物的材料膜，这些材料膜具有吸湿性，如果膜厚很薄的话，基本上是透明的。还有，MgO、SrO2、SrO具有吸湿性和透光性，而且能够通过蒸镀法获得薄膜，因此能够用作应力松弛膜。在本实施例中，将采用了硅靶而在含有的氮和氩气氛下成膜的膜，即，使用对水分和碱金属等杂质具有高阻挡效果的氮化硅膜作为第-无机绝缘膜或第二无机绝缘膜，采用通过蒸镀法获得Alq3薄膜作为应力松弛膜。还有，为了使发射光通过透明保护叠层，透明保护叠层的总膜厚尽可能薄是优选的。

[0199] 还有，为了密封发光元件1118，在非活性气体气氛下借助第一密封材料1105、第二密封材料1107贴合密封基板1104。而且，就第一密封材料1105而言，优选采用环氧系树脂。还有，就第二密封材料1107而言，只要是具有透光性的材料即可没有特别的限制，典型地优选采用紫外线固化或热固化的环氧树脂。在这里，采用了折射率为1.50、粘度500cps、15
肖氏D硬度90、拉伸强度3000psi、Tg为150℃、体积电阻为1×10 Ω·cm、耐压450V/mil的高耐热性UV环氧树脂(Electrolight公司制造：2500Clear)。还有，通过在一对基板之间填充第二密封材料1107，与一对基板之间形成空间(非活性气体)的情况相比，能够提高整体透过率。还有，所希望的是，第一密封材料1105、第二密封材料1107希望尽可能是不透过水分和氧的材料。

[0200] 还有，在本实施例中，作为构成密封基板1104的材料，除了玻璃基板和石英基板等以外，可以采用FRP(玻璃纤维增强塑料)、PVF(聚氟乙烯)、聚酯薄膜、聚酯或丙烯酸类树脂等构成的塑料基板。还有，在采用第一密封材料1105和第二密封材料1107粘结完密封基板1104之后，为了进一步覆盖侧面(暴露面)，也可以采用第三密封材料进行密封。

[0201] 如前所述，通过用第一密封材料1105、第二密封材料1107将发光元件密封，能够使发光元件与外部完全隔离，由此防止从外部而来的水分和氧等促使有机化合物层性能变差的物质侵入。因此，能够获得可靠性高的发光装置。

[0202] 还有，在制造上面发射型发光装置时，阳极优选是具有反射性的金属膜(铬、氮化钛等)。还有，在制造下面发射型发光装置时，阴极优选采用Al、Ag、Li、Ca或这些金属的合金MgAg、MgIn、AlLi构成的金属膜(膜厚50nm-200nm)。

[0203] 还有，本实施例可以与实施方案1-4、实施例1-3中的任意一个自由组合。

[0204] 实施例5

[0205] 在本实施例中，就装备了至少2个显示装置的电器的实例利用图12进行说明。利用本发明能够制造具备EL组件的电器。就这些电器而言，比如可以提及摄象机、数码照相机、ゴ-グル型显示器(头戴式显示器)、导航系统、放音装置(汽车音响、组合音响)、个人笔记本电脑、游戏机、便携式信息终端(掌上电脑、手提电话、掌上游戏机或电子图书等)、装备了记录介质的图象再现装置(具体而言，装备了数字通用光盘(DVD)等再现记录介质并显示图象的显示器的装置)等。

[0206] 图12(A)是个人笔记本电脑的斜视图，图12(B)是表示其折叠状态的斜视图。个人笔记本电脑包含本体2201、框体2202、显示部分2203a、2203b、键盘2204、外部接线插槽2205、点触式鼠标2206等。

[0207] 图12(A)和图12(B)所示的个人笔记本电脑装备了主要用以全彩色显示图象的高画质显示部分2203a和主要用以单色显示文字和符号等的显示部分2203b。

[0208] 还有，图12(℃)是掌上电脑的斜视图。图12(D)是表示其背侧的斜视图。掌上电脑包含本体2301、显示部分2302a、2302b、开关2303、操作键2304、红外线接口2305。它配备了主要用以全彩色显示图象的高画质显示部分2302a和主要用以单色显示文字和符号等的显示部分2302b。

[0209] 还有，图12(E)是数字照相机，它包含本体2601、显示部分2602、框体2603、外部接线插槽2604、遥控器信号接收部分2605、图象接收部分2606、电池2607、声音输入部分2608、操作键2609等。显示部分2602是两面发光面板，在其一面上是主要用以全彩色显示图象的高画质显示部分，而另一面上主要能够单色显示文字和信号等。而且，显示部分2602能在安装位置处旋转。本发明能够适用于显示部分2602。

[0210] 还有，图12(F)是手提电话的斜视图，图12(G)是表示其折叠状态的斜视图。手提电话包含本体2701、框体2702、显示部分2703a、2703b、声音输入部分2704、声音输出部分2705、操作键2706、外部接线插槽2707、天线2708。

[0211] 图12(F)和图12(G)所示的手提电话，配备了主要用以全彩色显示图象的高画质显示部分2703a和主要用以按区域彩色显示文字和符号等的显示部分2703b。此时，显示部分2703a中采用了颜色滤光片，显示部分2703b中使用了可产生区域彩色效果的光学膜。

[0212] 还有，本实施例可以与实施方案1-4、实施例1-4中的任意一个自由组合。

[0213] 实施例6

[0214] 图16表示采用了本发明显示装置的手提电话在充电时的情况的图。虽然在图16中，手提电话在打开状态时两侧发光，但是在关闭状态下也是可以的。一般地，在采用了发光元件的显示装置中，发光元件的性能会随着时间而变差，亮度会逐步下降。特别地，在发光元件是按逐个象素方式设置的显示装置中，根据部位的不同，象素的点亮频率是不同的，因此随着部位的不同，性能变差的程度是不同的。因此，点亮频率越高的象素其性能下降就越严重，表现为出现图象保留(烧きつき)现象，使画质下降。因此，通过在通常使用状态下不进行但在充电等时才予以显示，由此使使用频率低的象素点亮，就可以使图象保留现象变得不明显。就充电时的显示内容而言，可以是全点亮、标准图象(待机画面等)明暗反转的图象、为检测使用频率低的象素而显示的图象等。

[0215] 图14是与该图对应的方框图，CPU 2001获得了从充电器2017而来的充电状态检测信号，为了显示与前述相应的信号，向显示器控制器2004发出指令，使两面发光显示器发光。

[0216] 图15是制作使前述标准信号明暗反转的图象的方法的实例。将图象信号选择开关2106的输出向开关2107输入，开关2106的信号可以原样输入显示器2101，也可以反转输入，根据情况进行选择。在需要明暗反转效果时，可以进行反转输入。该选择是通过显示器控制器进行的。还有，在进行全点亮时，可以向显示器2101输入固定的电压。(图中未表示)

[0217] 这样，通过在充电过程中进行旨在降低图象保留现象的发光操作，就能够抑制显示画质变差的问题。

[0218] 还有，本实施例可以与实施方案1-4、实施例1-5中的任意一个自由组合。

[0219] 发明效果

[0220] 根据本发明，通过对大面积基板进行选择性的蒸镀，能够获得掩模精度高的大型掩模。还有，根据本发明，提供了蒸镀装置，利用该装置，即使是对于大面积基板，也能够在整个基板表面上获得均一的膜厚。