1.一种相移空白掩模，其中相移层设置在透明衬底上，其特征在于其中所述相移层包括由不同材料形成的至少两层，其中所述至少两层中的最上相移层包括至少金属、硅、氧和氮。
2.根据权利要求1所述的相移空白掩模，其特征在于其中包含所述至少两层的所述相移层形成为连续膜或多层膜。
3.根据权利要求1所述的相移空白掩模，其特征在于其中所述相移层中所包含的所述最上相移层由MoSiON形成，且具有以下组成比：钼的原子百分比含量为1％到30％，硅的原子百分比含量为30％到80％，氧的原子百分比含量为0.1％到20％，且氮的原子百分比含量为10％到50％。
4.根据权利要求1所述的相移空白掩模，其特征在于其中所述相移层中所包含的所述最上相移层的厚度为10埃到200埃。
5.根据权利要求1所述的相移空白掩模，其特征在于其中在所述相移层中，设置在所述最上相移层下方的另一相移层包括至少金属、硅和氮。
6.根据权利要求5所述的相移空白掩模，其特征在于其中在所述相移层中，设置在所述最上相移层下方的所述另一相移层由MoSiN形成，且具有以下组成比：钼的原子百分比含量为1％到30％，硅的原子百分比含量为30％到80％，且氮的原子百分比含量为10％到
50％。
7.根据权利要求5所述的相移空白掩模，其特征在于其中在所述相移层中，设置在所述最上相移层下方的所述另一相移层的厚度为300埃到1000埃。
8.根据权利要求1所述的相移空白掩模，其特征在于其中在所述相移层中，所述最上相移层的厚度与所述相移层的总厚度的比率为1％到40％。
9.根据权利要求1所述的相移空白掩模，其特征在于其中在所述相移层中，在所述最上相移层下方的另一相移层的厚度与所述最上相移层的厚度的比率为1∶5到1∶30。
10.根据权利要求1所述的相移空白掩模，其特征在于其中所述相移层中所含有的所述金属包括选自由以下各者组成的群组的至少一者：钛、钒、钴、镍、锆、铌、钯、锌、铬、铝、锰、镉、镁、锂、硒、铜、钼、铪、钽和钨。
11.根据权利要求1所述的相移空白掩模，其特征在于其中所述相移层的透射率为1％到30％且相移度为170°到190°。
12.根据权利要求1所述的相移空白掩模，其特征在于更包括设置在所述相移层上或下方的光屏蔽膜形成膜。
13.根据权利要求12所述的相移空白掩模，其特征在于其中所述光屏蔽膜形成膜包括光屏蔽膜以及抗反射层，且所述光屏蔽膜形成膜的厚度为200埃到800埃。
14.根据权利要求12所述的相移空白掩模，其特征在于其中所述光屏蔽膜形成膜包括选自由以下各者组成的群组的至少一金属材料：钛、钒、钴、镍、锆、铌、钯、锌、铬、铝、锰、镉、镁、锂、硒、铜、钼、铪、钽和钨，或除了所述金属材料以外，所述光屏蔽膜形成膜更包括硅、氧、氮和碳中的至少一者。
15.根据权利要求12所述的相移空白掩模，其特征在于其中所述光屏蔽膜形成膜包括光屏蔽膜以及抗反射膜，其中所述光屏蔽膜以及所述抗反射膜各自由CrO、CrN、CrC、CrON、CrCO、CrCN和CrCON中的铬化合物形成。
16.根据权利要求12所述的相移空白掩模，其特征在于其中所述光屏蔽膜形成膜以及所述相移层的堆叠结构形成为在ArF和KrF曝光波长下具有2.5或2.5以上的光密度。
17.一种制造相移空白掩模的方法，其特征在于其中相移层设置在透明衬底上，其中所述相移层形成为使用一个标靶根据溅射方法由不同材料形成的至少两层，且所述相移层中所包含的最上相移层包括至少金属、硅、氧和氮。
18.根据权利要求17所述的制造相移空白掩模的方法，其特征在于其中所述最上相移层通过以相对于全部气体的1％到60％的体积百分比比率注入含氧的气体而形成。
19.根据权利要求17所述的制造相移空白掩模的方法，其特征在于其中在形成所述相移层之后，在250℃到400℃的温度范围中执行热处理工艺持续10到60分钟。
20.根据权利要求17所述的制造相移空白掩模的方法，其特征在于其中所述标靶包括金属和硅，其中所述金属与所述硅之间的原子百分比比率为1％到40％∶99％到60％。