一种磷化铟多晶材料的清洗方法 |
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| 申请号 | CN201710497976.8 | 申请日 | 2017-06-27 | 公开(公告)号 | CN107338481A | 公开(公告)日 | 2017-11-10 |
| 申请人 | 台山市华兴光电科技有限公司; | 发明人 | 关活明; | ||||
| 摘要 | 本 发明 公开了一种磷化铟多晶材料的清洗方法，该方法包括以下步骤：1)先将磷化铟多晶晶锭放入 乙醇 中浸泡，然后放入 温度 为60℃丙 酮 中浸泡3-10分钟，用去离子 水 冲洗或者用小刷子刷洗去除表面黑胶；然后放入温度为70℃的 醋酸 中浸泡去除粘胶；接着用#100金 钢 沙纸去除所有痕迹，磨圆材料边，得到粗产品；2)将步骤1)得到的粗产品放入由 氨 水 、过 氧 化氢和去离子水组成的混合 溶剂 中浸泡2小时，取出后用去离子水冲洗， 超 声波 清洗20分钟，然后放入盛甲醇的敝口容器中清洗，取出晾放得到清洗后的磷化铟多晶材料。本发明能在15小时内去除掉磷化铟多晶材料表面杂质，如 铁 、镁、 钙 、 铜 、胶质、涂料等。本发明得到的产品纯度：对重金属清洗洁净度≤10PPM。 | ||||||
| 权利要求 | |||||||
| 说明书全文 | 一种磷化铟多晶材料的清洗方法技术领域： [0002] 磷化铟(InP)晶体是重要的化合物半导体材料，与砷化镓(GaAs)相比，其优越性主要在于高的饱和电场飘移速度、导热性好以及较强的抗辐射能力等，因此磷化铟晶片通常用于新型微电子、光电子元器件制造。在军事上应用于电子对抗、电子战、精确制导、预警探测、卫星通讯、雷达领域。在民事上应用于是无线通讯、光通讯、光信息处理、工业自动控制、医疗器械、激光技术、电子计算机、电子通信、电视广播、红外线科技以及更为先进的微波传导，激光开关，医疗诊断和治疗，及航天事业，生物及数据处理及许多其它领域。 [0003] 美国贝尔实验室的Monberg等人在1980年代中期首先将VGF-垂直温度梯度结晶生长法(温梯法)技术应用于III-V化合物半导体单晶的生长。该方法因为生长速度较慢，生长过程能保证InP单晶的化学配比，温度梯度很小，晶体所受应力较小，可以生长出位错密度非常低的单晶材料。 [0004] 采用多温场加热控温技术，使得加热炉形成适合晶体生长的温度梯度，从而使得熔化在竖立坩埚中磷化铟多晶材料由经置于坩埚底部籽晶，缓慢地由下向上结晶放大成所需要的晶体尺寸，因而过程中需要加入磷化铟多晶碎料。但在空气中，磷化铟(InP)材料表面容易被氧化、又有碳等的沾污，这些直接影响由它制作的器件的寿命和其他特性。发明内容： [0005] 本发明的目的是提供一种磷化铟多晶材料的清洗方法。 [0006] 本发明是通过以下技术方案予以实现的： [0007] 一种磷化铟多晶材料的清洗方法，该方法包括以下步骤： [0008] 1)先将磷化铟多晶晶锭放入乙醇中浸泡以清洗材料上的尘埃，然后放入温度为60℃丙酮中浸泡3-10分钟，用去离子水冲洗或者用小刷子刷洗去除表面黑胶；然后放入温度为70℃的醋酸中浸泡去除粘胶；接着用#100金钢沙纸去除所有痕迹，磨圆材料边得到粗产品； [0009] 2)将步骤1)得到的粗产品放入由氨水、过氧化氢和去离子水组成的混合溶剂中浸泡2小时，取出后用去离子水冲洗，超声波清洗20分钟，然后放入盛甲醇的敝口容器中清洗，取出晾放让甲醇蒸发得到清洗后的磷化铟多晶材料；所述混合溶剂中，氨水的质量分数为28％-35％，过氧化氢的质量分数为30-35％。 [0011] 以下是对本发明的进一步说明，而不是对本发明的限制。 [0012] 实施例1： [0013] 本实施例磷化铟多晶晶锭购自英国厂家IQE Europe晶片公司，其在北京的代理商为北京东方佳气科技有限公司。 [0014] 磷化铟多晶材料的清洗方法，包括以下步骤： [0015] 1)先将磷化铟多晶晶锭放入乙醇中浸泡以清洗材料上的尘埃，然后放入温度为60℃丙酮中浸泡3-10分钟，用去离子水冲洗或者用小刷子刷洗去除表面黑胶；然后放入温度为70℃的醋酸中浸泡去除粘胶；接着用#100金钢沙纸去除所有痕迹，磨圆材料边得到粗产品； [0016] 2)将步骤1)得到的粗产品放入由氨水、过氧化氢和去离子水组成的混合溶剂中浸泡2小时，取出后用去离子水冲洗，超声波清洗20分钟，然后放入盛甲醇的敝口容器中清洗，取出晾放让甲醇蒸发得到清洗后的磷化铟多晶材料；所述混合溶剂中，氨水的质量分数为28％-35％，过氧化氢的质量分数为30-35％。 [0017] 本发明能在15小时内去除掉磷化铟多晶材料表面杂质，如铁、镁、钙、铜、胶质、涂料等。本发明得到的产品纯度：对重金属清洗洁净度≤10PPM。 |
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