在制造电子电路如集成电路和显示器时，材料如半导体材料、电介质 材料和导电材料被沉积在衬底5上并形成图案。这些材料中的一些材料通 过化学气相沉积(CVD)或物理气相沉积(PVD)过程沉积，而其它的可以 由衬底材料的氧化或氮化而形成。举例来说，在化学气相沉积过程中，沉 积气体被引入室20中并由热能和/或射频能激发(energized)，以在衬 底5上沉积成膜。在物理气相沉积中，溅射靶，以在衬底5上沉积一层靶 材料。在刻蚀过程中，通过平版印刷和后续刻蚀，在衬底表面15上形成 包含光刻胶或硬掩模材料的图案掩模，而衬底表面15暴露在掩模特征之 间的部分被激发气体如含卤或含氧气体刻蚀。这样的沉积和刻蚀过程，以 及附加的平面化过程被按顺序进行来处理衬底5，以制造集成电路和其它 电子器件。
如图1(现有技术)所示，在一类传统的处理室中，气体输送管10被 用于从气体输入源向室20中引入处理气体。气体输送管10一般包括一个 在室20中的气体出口25，将处理气体40(可以是一种气体或预先混合好 的多种气体的混合物)注射到室20的处理区中。气体输送管10穿过室20 的侧壁30，并从位于衬底5外围的气体出口25向室20横向地注射气体。 然而，如图所示，一部分所注射的气体40到达了室20的顶板35并在顶 板的表面形成了不希望有的沉积18。这些沉积18不得不通过使室20停产 并手工地将沉积物刮下或使用等离子气体清洁处理来进行清洁，这两者都 增加了室停产时间，这在电路制造中是不希望出现的。
横向注射的处理气体也可能不能以与到达衬底5边缘的处理气体的相 同浓度水平到达衬底5的中心部分。气体输送管10以通常不能充分均匀 地覆盖衬底表面15的角浓度分布(angular density distribution)来 喷射处理气体40。这可能导致在衬底表面15的中心很少有或没有沉积。 因此，有时候在衬底5的中心的上方提供有第二气体输送管45，以将处理 气体40导向衬底的中心部分。但是，因为为了气体输送管45穿过顶板 35，特别是当必须被钻通的顶板35是由陶瓷材料制成时，附加的气体输 送管45增加了室20的成本。此外，气体输送管10，45可能阻挡位于室 顶板35上方的干涉仪端点探测系统(interferometric endpoint detection systems)(没有示出)的视线。另外，上方的气体输送管45 可能影响可能从顶板35上方的感应天线50所施加的射频能的传输。
因此，人们希望有一种气体输送管，使室20的顶板表面上的沉积最 小化，在整个衬底表面15上提供具有良好均匀性的沉积，并且不过分地 提高制造室20的成本。

用于衬底制造装置的气体输送喷嘴包括气体输送管。气体输送管中包 含具有不对称锥形开口(asymmetrically tapered aperture)的气体通 道。不对称锥形开口由(i)向上突入气体通道中以部分地阻挡气体通道 的下盖以及(ii)向下突入气体通道并突出在下盖之上的上缘所限定。
衬底制造装置包括室，室具有衬底支架以支撑室中的衬底。气体配送 器将处理气体引入室中。气体配送器包括室中的气体输送喷嘴，气体输送 喷嘴包括气体输送管，气体输送管包含具有不对称锥形开口的气体通道。 不对称锥形开口由(i)向上突入气体通道中以部分地阻挡气体通道的下 盖以及(ii)向下突入气体通道并突出在下盖之上的上缘所限定。气体激 发器激发处理气体，以处理衬底。气体排出装置从室中排出处理气体。
附图说明
图1(现有技术)是处理室中的常规的气体输送管的局部剖视的侧视 图，示出了由气体输送管所提供的不理想的气流图；以及
图2是根据本发明的在衬底制造装置的处理室的实施例中的气体输送 管的局部剖视的侧视图，示出了由气体输送管所提供的理想的气流图。

衬底制造装置200的衬底处理室140包括改进的气体输送喷嘴110， 以均匀和高效地对整个衬底145配送处理气体102，同时使在室140的顶 板150上形成的过量残余沉积最少，如图2所示。在图中示出的衬底制造 装置200的典型实施例包括支撑室140中的衬底的衬底支架142。气体配 送器226包括处理气体输入源210，所提供的气体输入源210将用于处理 衬底145的处理气体102输入到室140中。气流阀220调节从气体输入源 210进入室140中的处理气体的气流。气体激发器228包括天线230或电 极，天线230或电极将振荡电磁场施加到处理气体102以激发处理气体并 由此处理衬底145。激发器输入电源240将交流电流输入到天线230或电 极以产生振荡电磁场，所提供的控制器250调节进入室140中的处理气体 的气流并控制处理气体102的激发。气体排出装置(没有示出)从室140 中排出处理气体。
可以使气体输送喷嘴110定位在衬底145的侧面，以对整个衬底145 的表面155引导处理气体气流。气体输送喷嘴110从侧壁180延伸出来， 将处理气体横向地导向衬底145。
气体输送喷嘴110包括气体输送管165，气体输送管165包含有通过 处理气体102的气体通道120。如图所示，气体通道120的终点为不对称 锥形开口130。气体输送管165具有中心轴125，而不对称锥形开口130 被提供在管165的末端，以限定一个偏离气体输送管165的中心轴125并 围绕此轴径向不对称的开口。不对称锥形开口130以喷射流型，远离室 140的顶板150而朝向衬底表面155不对称地喷射处理气体，此喷射流型 减少了在顶板上的沉积物或对顶板150的刻蚀，并且提高了衬底表面155 上的气体分布的均匀性。
不对称锥形开口130包括向上突入气体通道120中以部分地阻挡气体 通道120的下盖170。举例来说，下盖170可以包括一个从管壁延伸到气 体通道中的突起。该突起可以具有月牙形的形状，此月牙形形状限定了锥 形开口130的底边。下盖170向上引导气流的下层121，增加这些下层 121的速度并减小这些下层121的压力，以引导气流远离室顶板150，如 图所示。气体通道120中的气流的上层和下层122，121被强制地以大致 相同的压力和速度通过通道的主体部分。当下层121接近不对称锥形开口 130时，它们被下盖170阻挡并被下盖170向上引导。如图所示，下盖 170可以是均一地倾斜的突起，或者，突起可以是弯曲的，以更逐渐地改 变所阻挡的处理气体102的速度。
不对称锥形开口130还包括向下突入气体通道120并突出在下盖170 之上的上缘175。举例来说，在一个实施例中，上缘延伸超出下盖至少约 1mm。当上层和下层122，121接近喷射点时，下层121从下方以高速冲击 上层122，使得处理气体以高速向突出在下盖170之上的伸出的上缘175 改变方向。伸出的上缘175使得处理气体被向下、远离室顶板150并朝向 衬底表面155折回，因而减少了在室顶板150上的有问题的沉积，或室顶 板150的刻蚀。上缘也可以包括一个从管壁向下延伸到气体通道120中的 突起。此突起可以包括一个柔和的隆起，此隆起具有在中间突起的部分和 在侧边下陷的部分。这使得上层122被朝向衬底的外围向下引导。由于更 有效地覆盖衬底外围的上层122和更有效地覆盖衬底中心部分的下层相结 合，所以气体输送喷嘴110在整个衬底表面产生了更均匀的处理气体的分 布。
锥形出口130的不对称设计也允许锥形出口130将处理气体以理想的 角浓度分布大致向衬底表面155引导，以大致均匀地覆盖衬底表面155。 当处理气体离开不对称锥形开口130时，下盖170不对称地阻挡处理气体 的流动，向内改变处在气流外部区域的下层的方向，以增加气流中心的气 体浓度，如图2所示。不对称锥形开口130也给予气流浓度分布的不对称 性，这补偿了对衬底145一个侧边的气体输送喷嘴110的不对称定位。不 对称锥形开口130提高了喷向衬底表面155的中心的上方的中心区域185 的气体浓度，改善了衬底表面155的中心部分的暴露，并由此得到了大致 均匀的衬底145的涂层。在一个实施例中，成型不对称锥形开口130，以 在气体输送管165的中心轴125以下输送大部分的处理气体。相反，如图 1(现有技术)所示，常规的喷嘴使得处理气体向外急喷，并大致对称地 喷射，导致不充分暴露衬底表面155中心部分的气流的中心缺陷部分的产 生。  改进的气体输送喷嘴110以围绕气体输送喷嘴110的中心轴125径 向不对称的喷流型式，从喷嘴115向衬底145喷射处理气体，防止了处理 气体朝向处理室140的顶板150的有害和浪费的气流，并且提高了衬底表 面155的涂层的均匀性。
不对称锥形开口130的下盖170也可以具有倾斜的外表面135，如图 2所示。在处理气体102被从不对称锥形开口130喷出并随后减速以后， 在靠近下盖170的外倾斜表面135的处理气体中形成了高压区域。在此区 域的压缩气体施加一个力到下盖170，而下盖170在垂直并远离下盖170 的方向，施加一个大小相同而方向相反的力到高压区域的气体，将处理气 体以向下的角度向衬底145引导。在处理气体被从不对称锥形开口130的 开口190喷出以后，下盖170的外倾斜表面135起到了处理气体的跳板的 作用。举例来说，不对称锥形开口130的外倾斜表面135相对于中心轴 125的角度可以小于90°，以获得大流量(mass flow)的满意的角分布。 为了获得更理想的角分布，外倾斜表面135相对于中心轴125的角度甚至 可以至少为约5°。
改进气体输送喷嘴110，使其以喷流型式从不对称锥形开口130向衬 底145喷射处理气体，此喷射流型可防止处理气体朝向室140的顶板150 的有害和浪费的气流，并可提高衬底表面155的涂层的均匀性。此气体喷 嘴设计也显著地减少了室140的顶板150上的处理沉积的形成。所以，室 140可以不用频繁地清洁，在清洁周期之间可以运行更长的时间。