1.一种各向异性导电粘接剂，在绝缘性粘接剂树脂中含有光反射性的导电性粒子，所述光反射性的导电性粒子在成为核的树脂粒子的表面，形成由峰值波长460nm的反射率为60％以上的金属构成的光反射性金属层，进而，在该光反射性金属层的表面形成由银合金构成的覆盖层，
所述光反射性金属层，在其金属中含有银98重量％以上，
所述覆盖层，在其金属中含有银95重量％以上。
2.如权利要求1所述的各向异性导电粘接剂，
所述覆盖层，在所述银之外含有从由Bi、Ti、Zr、Hf、V、Nd、Ta、Cr、Mo、W、Fe、Ru、Co、Rh、Ir、Pd、Pt、Cu、Au、Zn、Al、Ga、In、Si、Ge、Sn构成的组中选择的1种或2种以上的金属。
3.如权利要求2所述的各向异性导电粘接剂，
所述覆盖层，以98.84～99.07：0.36～0.44：0.57～0.72重量％的范围而包含Ag：Nd：
Cu。
4.一种制造各向异性导电粘接剂的方法，
所述各向异性导电粘接剂，在绝缘性粘接剂树脂中含有光反射性的导电性粒子，所述光反射性的导电性粒子在成为核的树脂粒子的表面，形成由峰值波长460nm的反射率为
60％以上的金属构成的光反射性金属层，进而，在该光反射性金属层的表面形成由银合金构成的覆盖层，
具有通过镀敷法来形成所述光反射性金属层的工序，
所述光反射性金属层，在其金属中含有银98重量％以上，
所述覆盖层，在其金属中含有银95重量％以上。
5.如权利要求4所述的制造各向异性导电粘接剂的方法，
所述覆盖层，在所述银之外含有从由Bi、Ti、Zr、Hf、V、Nd、Ta、Cr、Mo、W、Fe、Ru、Co、Rh、Ir、Pd、Pt、Cu、Au、Zn、Al、Ga、In、Si、Ge、Sn构成的组中选择的1种或2种以上的金属。
6.如权利要求5所述的制造各向异性导电粘接剂的方法，
所述覆盖层，以98.84～99.07：0.36～0.44：0.57～0.72重量％的范围而包含Ag：Nd：
Cu。
7.一种发光装置，具备：
具有成对的连接电极的布线基板；以及
具有与所述布线基板的成对的连接电极分别对应的连接电极的发光元件，
通过各向异性导电粘接剂将所述发光元件粘接在所述布线基板上，其中所述各向异性导电粘接剂如下构成，即在绝缘性粘接剂树脂中含有光反射性的导电性粒子，所述光反射性的导电性粒子在成为核的树脂粒子的表面，形成由峰值波长460nm的反射率为60％以上的金属构成的光反射性金属层，进而，在该光反射性金属层的表面形成由银合金构成的覆盖层，并且，该发光元件的连接电极经由该各向异性导电粘接剂的导电性粒子而对于该布线基板的对应的连接电极分别电连接，
所述光反射性金属层，在其金属中含有银98重量％以上，
所述覆盖层，在其金属中含有银95重量％以上。
8.如权利要求7所述的发光装置，
所述覆盖层，在所述银之外含有从由Bi、Ti、Zr、Hf、V、Nd、Ta、Cr、Mo、W、Fe、Ru、Co、Rh、Ir、Pd、Pt、Cu、Au、Zn、Al、Ga、In、Si、Ge、Sn构成的组中选择的1种或2种以上的金属。
9.如权利要求8所述的发光装置，
所述覆盖层，以98.84～99.07：0.36～0.44：0.57～0.72重量％的范围而包含Ag：Nd：
Cu。
10.一种发光元件的制造方法，
准备具有成对的连接电极的布线基板和具有与所述布线基板的连接电极分别对应的连接电极的发光元件，
在将所述布线基板的连接电极与所述发光元件的连接电极配置为对置的方向的状态下，在该发光元件与所述布线基板之间配置各向异性导电粘接剂，所述各向异性导电粘接剂在绝缘性粘接剂树脂中含有光反射性的导电性粒子，所述光反射性的导电性粒子在成为核的树脂粒子的表面，形成由峰值波长460nm的反射率为60％以上的金属构成的光反射性金属层，进而，在该光反射性金属层的表面形成由银合金构成的覆盖层，
具有对于所述布线基板热压接所述发光元件的工序，
所述光反射性金属层，在其金属中含有银98重量％以上，
所述覆盖层，在其金属中含有银95重量％以上。
11.如权利要求10所述的发光元件的制造方法，
所述覆盖层，在所述银之外含有从由Bi、Ti、Zr、Hf、V、Nd、Ta、Cr、Mo、W、Fe、Ru、Co、Rh、Ir、Pd、Pt、Cu、Au、Zn、Al、Ga、In、Si、Ge、Sn构成的组中选择的1种或2种以上的金属。
12.如权利要求11所述的发光元件的制造方法，
所述覆盖层，以98.84～99.07：0.36～0.44：0.57～0.72重量％的范围而包含Ag：Nd：
Cu。