在信息层中含有作为光吸收化合物的染料的光数据载体

                      技术领域

本发明涉及光数据载体，优选为一次性可写入光数据载体，所 述光数据载体的信息层中含有至少一种作为光吸收化合物的染料， 其中各覆盖层具有确定的厚度，可用设置在确定的数值孔径的聚焦 光学器件进行写入和读出。本发明还涉及所述光数据载体的制备方 法。

术语“一次性可写入(singly recordable)”的另一种表述方式为 “once recordable”。

使用特殊的光吸收物质或它们的混合物的一次性可写入光数据 载体特别适用于采用蓝激光二极管，尤其是GaN或SHG激光二极管 (360-460nm)进行工作的高密度可写入光数据载体中，和/或适用于采 用红色(635-660nm)或红外(760-830nm)激光二极管进行工作的DVD- R或CD-R碟中，以及可通过旋涂、蒸气沉积或溅射等方式往其中的 由例如聚碳酸酯、共聚碳酸酯、聚环烯烃、聚烯烃等制备的聚合物 基底上涂敷上述染料。

近年来一次性可写入激光磁盘(CD-R，780nm)已经历了规模上 的极大发展并成为技术上的既成体系。

最近，光数据存储器的新一代产品DVD已经登陆市场。通过使 用更短波长的激光射线(635-660nm)和更大的数值孔径NA，可提高存 储密度。这种情况的一次性可写入格式为DVD-R。

现在正在研制使用具有高激光功率的蓝激光二极管(以GaN为基 础，JP-A-08 191 171或Second Harmonic Generation SHG JP-A-09 050 629，360nm to 460nm)的光数据存储格式。因此在这代产品中同样 使用了可写入光数据存储器。可写入存储密度取决于激光点在信息 平面上的聚集情况。激光点的大小用激光波长λ/NA度量。NA为所用 透镜的数值孔径。为了获得尽可能高的存储密度，需要使用尽可能 短的波长λ。目前，使用半导体激光二极管可得到390nm的波长。

专利文献中描述了基于染料的可写入光数据存储器，同样适用 于CD-R和DVD-R体系(JP-A 11 043 481和JP-A 10 181 206)。在这 些专利文献中，为了获得读出信号的高反射率和高调幅，以及在写 入过程具有足够的灵敏度，CD-R使用波长780nm的IR是因为其位 于染料的吸收峰的长波侧的下部，而DVD-R使用635nm或650nm 的红色波长同样是因为其位于染料的吸收峰的长波侧的下部。这种 概念延伸后还包括位于所述吸收峰的长波侧的450nm工作波长的区 域。

除了上述光学性能外，含光吸收有机物质的可写入信息层必须 具有尽可能为无定形的形态，以最大程度地减少在写入和读出时的 噪音信号。为此，在经溶液旋涂、溅射或蒸气沉积和/或升华进行光 吸收物质的涂敷后，特别优选在随后用金属或电介质层进行真空罩 面涂敷时阻止所述物质的结晶。

优选无定形的光吸收物质层具有高的耐热变形性，否则其它经 溅射或蒸气沉积涂敷到所述光吸收信息层上的有机或无机材料层会 由于扩散而产生不良的界面，从而反过来影响反射率。同时，在与 聚合物基底的界面处光吸收物质的耐热变形性若太低，则其将扩散 至聚合物基底中，又会影响反射率。

如果光吸收物质具有太高的蒸汽压，所述物质可在上述其它层 的溅射或蒸气沉积时，在高真空下升华，并由此降低了所需层的厚 度，这又导致对反射率的负面影响。

为了获得尽可能高的面密度而使用高NA透镜作为目镜时，透明 层(即是基底或覆盖层，读出光束穿过该层而在信息层上聚焦)的厚度 将限定其偏斜界限。由于CD和DVD目镜的NA分别为0.45和0.60， 它们的基底的厚度分别选择1.2mm和0.6mm以确保具有足够的偏斜 界限来适应批量生产的光驱。覆盖层的厚度在批量生产中特别重要， 由于生产工艺与常规载体的生产工艺完全不同，因而同样需要对载 体的写入/读出工作进行优化以适应这种新设计的载体。由于这种薄 的覆盖层容易弯曲，因而其不适合用来直接涂敷在信息层上。在将 覆盖层固定在基底上前，先在厚的基底上形成信息层和保护层。CD- R和DVD-R采用UV树脂硬涂层，即作为保护层和又以足够硬度覆 盖信息层，而改进其写入性能(JP-A 2834420)。

因此，本发明的目的是提供满足一次性可写入光数据载体的信 息层，特别是激光波长为360-460nm的高密度可写入光数据存储格 式的应用要求(如光稳定性、最好的信/噪比、涂敷在基底物质上不会 产生损害等)的合适化合物。

令人惊奇的是，已经发现结合特定厚度及NA的覆盖层，选自染 料，尤其是酞氰染料和部花青染料的光吸收化合物可很好地满足上 述要求。尤其是酞氰对激光器发出的重要的360-460nm范围的波长(即 是B或Soret带)具有强的吸收。部花青对420-550nm范围的波长具 有强的吸收，使得它们适用于激光器。

因此本发明涉及光数据载体，所述载体包括优选的任选已涂敷 有一层或多层阻挡层的透明基底，其表面上涂敷了可光写入的信息 层，任选经粘合层涂敷的一层或多层阻挡层和一层覆盖层，可使用 聚焦蓝光，优选激光、特别优选360-460nm、尤其是380-440nm、最 优选395-415nm的光经信息层上的覆盖层而对所述光数据载体进行 写入和读出，所述信息层含有光吸收化合物和任选的粘合剂，其特 征在于：使用至少一种染料作为光吸收化合物，其中在所述信息层 上的覆盖层(包括粘合层)的总厚度为10μm至177μm，聚焦目镜的数 值孔径设置为大于或等于0.8，优选0.80至0.95。

优选使用部花青、最优选具有下式的化合物作为光吸收化合物：

其中：

A表示下式的基团

X1表示CN、CO-R1、COO-R2、CONHR3或CONR3R4，

X2表示氢、C1-至C6-烷基、C6-至C10-芳基、五或六元杂环基团、 CN、CO-R1、COO-R2、CONHR3或CONR3R4，或

CX1X2表示下式的环

所述环可与苯或萘稠合和/或被非离子或离子性基团取代，其中星号(*) 表示双键键合的环原子，

X3表示N或CH、

X4表示O、S、N、N-R6或CH，其中X3和X4不同时为CH，

X5表示O、S或N-R6，

X6表示O、S、N、N-R6、CH或CH2，

式(II)的B环

与X4和X3以及它们所键合的碳原子，以及式(V)的C环

与X5和X6以及它们所键合的碳原子各自独立表示五-或六-元芳族或 准芳族杂环，所述杂环可含有1至4个杂原子和/或可与苯或萘稠合 和/或被非离子或离子基团取代，

Y1表示N或C-R7，

Y2表示N或C-R8，

R1至R6各自独立为氢、C1至C6-烷基、C3至C6-链烯基、C5至 C7-环烷基、C6-至C10-芳基或C7至C15-芳烷基，

R7至R8各自独立为氢、氰基或C1至C6-烷基，

R9至R10各自独立为C1至C6-烷基、C6至C10-芳基或C7至C15- 芳烷基或

NR9R10表示5-或6-元饱和杂环。

还优选其中R1至R10中至少一个基团或所述非离子基团中至少 一个表示桥基的低聚和聚合的式(I)的部花青染料。该桥基可连接两 个或多个部花青染料以形成低聚物或聚合物。但是其还可表示与聚 合物链连接的桥基。在这种情况下，所述部花青染料以梳状方式与 该链键合。

适合的桥基如式-(CH2)n-或-(CH2)m-Z-(CH2)p-，

其中

n和m各自独立表示1至20的整数，和

Z表示-O-或-C6H4-。

聚合物链的例子有聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚丙烯酰胺、 聚甲基丙稀酰胺、聚硅氧烷、聚-α-环氧乙烷、聚醚、聚酰胺、聚氨 酯、聚脲、聚酯、聚碳酸酯、聚苯乙烯或聚马来酸。

适合的非离子基团的例子有C1至C4-烷基、C1至C4-烷氧基、卤 素、氰基、硝基、C1至C4-烷氧基羰基、C1至C4-烷硫基、C1-至C4- 链烷酰基氨基、苯甲酰基氨基、单-或二-C1至C4-烷基氨基、吡咯烷- 1-基、哌啶子基、哌嗪-1-基或吗啉-4-基。

合适的离子基团的例子有铵基或COO-或SO3-基团，它们可通过 化学键(direct bond)或-(CH2)n-键合，其中n表示1至6的整数。

烷基、烷氧基、芳基和杂环基团可任选含有其它基团，如烷基、 卤素、硝基、氰基、CO-NH2、烷氧基、三烷基甲硅烷基、三烷基甲 硅烷氧基或苯基，所述烷基和烷氧基可为直链或支链，所述烷基可 被部分卤代或全卤代，所述烷基和烷氧基可被乙氧基化、丙氧基化 或甲硅烷基化，芳基或杂环基团上相邻的烷基和/或烷氧基可结合在 一起形成三或四元桥基，所述杂环基团可与苯稠合和/或被季铵化。

特别优选

式(II)的B环表示呋喃-2-基、噻吩-2-基、吡咯-2-基、苯并呋喃- 2-基、苯并噻吩-2-基、噻唑-5-基、咪唑-5-基、1，3，4-噻二唑-2-基、1，3，4- 三唑-2-基、2-或4-吡啶基、2-或4-喹啉基，其中所述单独的环可被 以下基团取代：C1至C6-烷基、C1至C6-烷氧基、氟、氯、溴、碘、 氰基、硝基、C1至C6-烷氧基羰基、C1-至C6-烷硫基、C1至C6-酰氨 基、C6至C10-芳基、C6至C10-芳氧基、C6至C10-芳基羰基氨基、单- 或二-C1至C6-烷基氨基、N-C1至C6-烷基-N-C6至C10-芳基氨基、吡 咯烷-1-基、吗啉-4-基或哌啶-1-基，和

式(V)的C环表示苯并噻唑-2-亚基、苯并噁唑-2-亚基、苯并咪 唑-2-亚基、噻唑-2-亚基、异噻唑-3-亚基、异噁唑-3-亚基、咪唑-2-亚 基、吡唑-5-亚基、1，3，4-噻二唑-2-亚基、1，3，4-噁二唑-2-亚基、1，2，4- 噻二唑-5-亚基、1，3，4-三唑-2-亚基、3H-吲哚-2-亚基、二氢吡啶-2-或- 4-亚基、或二氢喹啉-2-或-4-亚基，其中所述单独的环可被以下基团 取代：C1至C6-烷基、C1至C6-烷氧基、氟、氯、溴、碘、氰基、硝 基、C1至C6-烷氧基羰基、C1-至C6-烷硫基、C1至C6-酰氨基、C6至 C10-芳基、C6至C10-芳氧基、C6至C10-芳基羰基氨基、单-或二-C1至 C6-烷基氨基、N-C1至C6-烷基-N-C6至C10-芳基氨基、吡咯烷-1-基、 吗啉-4-基或哌啶-1-基。

特别优选所用的部花青为那些具有下式(VI)结构的化合物：

其中

X1表示CN、CO-R1或COO-R2，

X2表示氢、甲基、乙基、苯基、2-或4-吡啶基、噻唑-2-基、苯 并噻唑-2-基、苯并噁唑-2-基、CN、CO-R1或COO-R2，或

CX1X2表示下式的环

所述环最多可被3个选自以下的基团取代：甲基、乙基、甲氧基、 乙氧基、氟、氯、溴、氰基、硝基、甲氧基羰基、乙氧基羰基、苯 基、

SO3-M+和-CH2-SO3-M+，并且其中星号(*)表示双键键合的环原子，

An-表示阴离子，

M+表示阳离子，

X3表示CH，

X4表示O、S或N-R6，

式(II)的B环表示呋喃-2-基、噻吩-2-基、吡咯-2-基或噻唑-5-基， 其中上述环可各自被以下基团取代：甲基、乙基、丙基、丁基、甲 氧基、乙氧基、氟、氯、溴、氰基、硝基、甲氧基羰基、乙氧基羰 基、甲硫基、乙硫基、二甲氨基、二乙氨基、二丙氨基、二丁氨基、 N-甲基-N-苯基氨基、吡咯-1-基或吗啉-4-基，

Y1表示N或C-R7，

R1、R2、R5和R6各自独立表示氢、甲基、乙基、丙基、丁基、 戊基、己基、苯基或苄基，和

R5还表示-(CH2)3-N(CH3)2或-(CH2)3-N+(CH3)3An-和

R7表示氢或氰基。

所用部花青的另一种同样优选的形式为那些具有式(VII)结构的 化合物：

其中：

X1表示CN、CO-R1或COO-R2，

X2表示氢、甲基、乙基、苯基、2-或4-吡啶基、噻唑-2-基、苯 并噻唑-2-基、苯并噁唑-2-基、CN、CO-R1或COO-R2，或

CX1X2表示下式的环

所述环最多可被3个选自以下的基团取代：甲基、乙基、甲氧基、 乙氧基、氟、氯、溴、氰基、硝基、甲氧基羰基、乙氧基羰基、苯 基、

SO3-M+和-CH2-SO3-M+，并且其中星号(*)表示双键键合的环原子，

An-表示阴离子，

M+表示阳离子，

X5表示N-R6，

X6表示S、N-R6或CH2，

式(IV)的C环表示苯并噻唑-2-亚基、苯并咪唑-2-亚基、噻唑-2- 亚基、1，3，4-噻二唑-2-亚基、1，3，4-三唑-2-亚基、二氢吡啶-4-亚基、 二氢喹啉-4-亚基或3H-吲哚-2-亚基，其中上述环可被以下基团取代： 甲基、乙基、丙基、丁基、甲氧基、乙氧基、氟、氯、溴、氰基、 硝基、甲氧基羰基、乙氧基羰基、甲硫基、乙硫基、二甲氨基、二 乙氨基、二丙氨基、二丁氨基、N-甲基-N-苯基氨基、吡咯-1-基或吗 啉-4-基，

Y2-Y1表示N-N或(C-R8)-(C-R7)，

R1、R2、R5和R6各自独立为氢、甲基、乙基、丙基、丁基、戊 基、己基、苯基或苄基和

R5还表示-(CH2)3-N(CH3)2或-(CH2)3-N+(CH3)3An-和

R7和R8表示氢。

所用部花青的另一种同样优选的形式为那些具有式(VIII)结构的 化合物：

其中：

X1表示CN、CO-R1或COO-R2，

X2表示氢、甲基、乙基、苯基、2-或4-吡啶基、噻唑-2-基、苯 并噻唑-2-基、苯并噁唑-2-基、CN、CO-R1或COO-R2，或

CX1X2表示下式的环

所述环最多可被3个选自以下的基团取代：甲基、乙基、甲氧基、 乙氧基、氟、氯、溴、氰基、硝基、甲氧基羰基、乙氧基羰基、苯 基、

SO3-M+和-CH2-SO3-M+，并且其中星号(*)表示双键键合的环原子，

An-表示阴离子，

M+表示阳离子，

NR9R10表示二甲氨基、二乙氨基、二丙氨基、二丁氨基、N-甲 基-N-苯基氨基、吡咯-1-基或吗啉-4-基，

Y1表示N或(C-R7)，

R1、R2和R5各自独立为氢、甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、 己基、苯基或苄基和

R5还表示-(CH2)3-N(CH3)2或-(CH2)3-N+(CH3)3An-。

适合的阴离子An-均为单价阴离子或一当量的多价阴离子。优选 所述阴离子为无色的阴离子。适合的阴离子的例子有氯，溴，碘， 四氟硼酸根，高氯酸根，六氟硅酸根，六氟磷酸根，甲氧基硫酸根， 乙氧基硫酸根，C1至C10-烷烃磺酸根，C1至C10-全氟烷烃磺酸根，任 选被氯、羟基或C1至C4-烷氧基取代的C1至C10-链烷酸根，任选被 硝基、氰基、羟基、C1至C25-烷基、全氟-C1至C4-烷基、C1至C4-烷 氧基羰基或氯取代的苯磺酸根、萘磺酸根或联苯磺酸根，任选被硝 基、氰基、羟基、C1至C4-烷基、C1至C4-烷氧基、C1-至C4-烷氧基 羰基或氯取代的苯二磺酸根、萘二磺酸根或联苯二磺酸根，任选被 硝基、氰基、C1至C4-烷基、C1至C4-烷氧基、C1至C4-烷氧基羰基、 苯甲酰基、氯苯甲酰基或甲苯甲酰基取代的苯甲酸根，萘二甲酸的 阴离子，二苯醚二磺酸根，四苯基硼酸根，氰基三苯基硼酸根，四- C1至C20-烷氧基硼酸根，四苯氧基硼酸根，任选在B和/或C原子上 被一个或两个C1至C12-烷基或苯基取代的7，8-或7，9-二碳-开式-十一 硼酸根(1)或(2)，十二氢-二碳十二硼酸根(2)或B-C1至C12-烷基-C-苯 基-十二氢-二碳十二硼酸根(1)。

优选溴离子、碘离子、四氟硼酸根、高氯酸根、甲磺酸根、苯 磺酸根、甲苯磺酸根、十二烷基苯磺酸根和十四烷磺酸根。

适合的M+阳离子均为一价阳离子或一当量的多价阳离子。优选 所述阳离子为无色的阳离子。适合的阳离子的例子有如锂、钠、钾、 四甲基铵、四乙基铵、四丁基铵、三甲基苄基铵、三甲基辛基铵或 Fe(C5H5)2+(其中C5H5＝环戊二烯基。

优选四甲基铵、四乙基铵和四丁基铵。

对于本发明的通过蓝色激光进行写入和读出的(优选一次性可写 入)光数据载体来说，优选为部花青染料，其最大吸收波长λmax2为420 至550nm，其中优选波长λ1/2(在此波长处，最大吸收波长λmax2的短波 侧的消光系数是λmax2处消光系数的一半)和波长λ1/10(在此波长处，最 大吸收波长λmax2的短波侧的消光系数是λmax2处消光系数的十分之一) 间相差不大于50nm。优选这种部花青染料的最大短波波长λmax1不低 于350nm、特别优选不低于320nm，最优选不低于290nm。

优选的部花青染料的最大吸收波长λmax2为410至530nm。

特别优选的部花青染料的最大吸收波长λmax2为420至510nm。

最优选的部花青染料的最大吸收波长λmax2为430至500nm。

优选部花青染料的λ1/2和λ1/10(如上定义)间相差不大于40nm、特 别优选不大于30nm、最优选不大于20nm。

所述部花青染料在最大吸收波长λmax2处的摩尔消光系数ε＞40000 l/mol cm、优选＞60000l/mol cm、特别优选＞80000 l/mol cm，最优选 ＞100000 l/mol cm。

光吸收谱可例如在溶液中测定。

具有符合要求的光谱性质的合适的部花青具体如那些其中偶极 矩的变化Δμ＝_μg-μag_(即是处于基态的偶极矩和处于第一激发态的偶 极矩间的正差异)应尽可能小，优选＜5D，特别优选＜2D的化合物。 一种测量偶极矩变化Δμ的方法在如F.Würthner等人，Angew Chem 1997，109，2933及其中所引用的文献中有描述。低的溶剂化显色现象 (二噁烷/DMF)也是一种合适的选择标准。优选的部花青的溶剂化显 色现象Δλ＝_λDMF-λ二噁烷_(即是在二甲基甲酰胺和在二噁烷中的吸收波 长间的正差异)＜20nm，特别优选＜10nm且最优选＜5nm。

本发明最优选的部花青为具有下式结构的那些化合物：

其中

X101表示O或S，

X102表示N或CR104，

R101和R102各自独立表示甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、 环己基、苄基或苯基，和R101还表示氢或

NR101R102表示吡咯-1-基、哌啶子基或吗啉-4-基，

R103表示氢、甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、环己基、 苯基、甲苯基、甲氧基苯基、噻吩基、氯或NR101R102，和

R104表示氢、甲基、乙基、苯基、氯、氰基、甲酰基或下式的基 团

其中所述烷基如丙基、丁基等可为支化烷基。

桥基经R101连接形成低聚物或聚合物结构。

还特别优选的本发明的部花青为具有下式结构的那些化合物：

其中

X101表示O或S，

X102表示N或CR104，

R101和R102各自独立表示甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、 环己基、苄基或苯基，和R101还表示氢或

NR101R102表示吡咯-1-基、哌啶子基或吗啉-4-基，

R103表示氢、甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、环己基、 苯基、甲苯基、甲氧基苯基、噻吩基、氯或NR101R102，

R104表示氢、甲基、乙基、苯基、氯、氰基、甲酰基或下式的基 团

Y101表示N或CH，

CX103X104表示下式的环：

其中星号(*)表示双键键合的环原子，

R105表示氢、甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛 基、甲氧基乙基、甲氧基丙基、氰基乙基、羟乙基、乙酰氧基乙基、 氯乙基、环己基、苯基、甲苯基、甲氧基苯基或

下式的基团

在式(CX)中，两个R105基团可不相同，

R106表示氢、甲基、乙基、丙基、丁基或三氟甲基，

R107表示氰基、甲氧基羰基、乙氧基羰基、-CH2SO3-M+或下式的 基团

M+表示阳离子和

An-表示阴离子，

其中所述烷基如丙基，丁基等可为支化烷基。

桥基经R101或R105连接形成低聚物或聚合物结构。

本发明还特别优选的部花青为具有以下结构的那些化合物：

X101表示O或S，

X102表示N或CR104，

R101和R102各自独立表示甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、 环己基、苄基或苯基，和R101还表示氢或

NR101R102表示吡咯-1-基、哌啶子基或吗啉-4-基， R103表示氢、甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、环己基、 苯基、甲苯基、甲氧基苯基、噻吩基、氯或NR101R102，

R104表示氢、甲基、乙基、苯基、氯、氰基、甲酰基或下式的基 团

Y101表示N或CH，

X103表示氰基、乙酰基、甲氧基羰基或乙氧基羰基和

X104表示2-、3-或4-吡啶基、噻唑-2-基、苯并噻唑-2-基、噁唑- 2-基、苯并噁唑-2-基、苯并咪唑-2-基、N-甲基-或N-乙基-苯并咪唑- 2-基，

其中所述烷基如丙基、丁基等可为支化烷基。

桥基经R101或X103(当其为酯基时)连接形成低聚物或聚合物结 构。

优选在式(CI)和(CIII)的部花青中：

R103表示氢、甲基、异丙基、叔丁基或苯基和

R104表示氢或氰基

本发明还特别优选的部花青为具有下式结构的那些化合物：

其中

X105表示S或CR110R111，

R108表示甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、 甲氧基乙基、甲氧基丙基、氰基乙基、羟乙基、乙酰氧基乙基、氯 乙基、环己基、苄基或苯乙基，

R109表示氢、甲基、乙基、甲氧基、乙氧基、氰基、氯、三氟甲 基、三氟甲氧基、甲氧基羰基或乙氧基羰基，

R110和R111各自独立为甲基或乙基，或

CR110R111表示下式的二价基团：

其中经带星号(*)原子引出两个键。

其中所述烷基如丙基、丁基等可为支化烷基。

桥基经R108连接形成低聚物或聚合物结构。

本发明还特别优选的部花青为具有下式结构的那些化合物：

其中

X105表示S或CR110R111，

R108表示甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、 甲氧基乙基、甲氧基丙基、氰基乙基、羟乙基、乙酰氧基乙基、氯 乙基、环己基、苄基或苯乙基，

R109表示氢、甲基、乙基、甲氧基、乙氧基、氰基、氯、三氟甲 基、三氟甲氧基、甲氧基羰基或乙氧基羰基，

R110和R111各自独立为甲基或乙基，或

CR110R111表示下式的二价基团：

其中经带星号(*)原子引出两个键。

Y101表示N或CH，

CX103X1104表示下式的环：

其中星号(*)表示双键键合的环原子，

R105表示氢、甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛 基、甲氧基乙基、甲氧基丙基、氰基乙基、羟乙基、乙酰氧基乙基、 氯乙基、环己基、苯基、甲苯基、甲氧基苯基或

下式的基团：

R106表示氢、甲基、乙基、丙基、丁基或三氟甲基，

R107表示氰基、甲氧基羰基、乙氧基羰基、-CH2SO3-M+或下式的 基团：

M+表示阳离子和

An-表示阴离子，

其中所述烷基如丙基，丁基等可为支化烷基。

桥基经R108或R105连接形成低聚物或聚合物结构。

本发明还特别优选的部花青为具有下式结构的那些化合物：

其中

X105表示S或CR110R111，

R108表示甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、 甲氧基乙基、甲氧基丙基、氰基乙基、羟乙基、乙酰氧基乙基、氯 乙基、环己基、苄基或苯乙基，

R109表示氢、甲基、乙基、甲氧基、乙氧基、氰基、氯、三氟甲 基、三氟甲氧基、甲氧基羰基或乙氧基羰基，

R110和R111各自独立为甲基或乙基，或

CR110R111表示下式的二价基团：

其中经带星号(*)原子引出两个键，

Y101表示N或CH，

X103表示氰基、乙酰基、甲氧基羰基或乙氧基羰基，

X104表示2-、3-或4-吡啶基、噻唑-2-基、苯并噻唑-2-基、噁唑- 2-基、苯并噁唑-2-基、苯并咪唑-2-基、N-甲基-或N-乙基-苯并咪唑- 2-基，

其中所述烷基如丙基、丁基等可为支化烷基。

桥基经R108或X103(当其为酯基时)连接形成低聚物或聚合物结 构。

本发明还特别优选的部花青为具有下式结构的那些化合物：

其中

R112表示甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、 甲氧基-乙基、甲氧基丙基、氰基乙基、羟乙基、乙酰氧基乙基、氯 乙基、环己基、苄基或苯乙基，

R113和R114表示氢或一起表示-CH＝CH-CH＝CH-桥，

其中所述烷基如丙基、丁基等可为支化烷基。

桥基经R112连接形成低聚物或聚合物结构。

本发明还特别优选的部花青为具有下式结构的那些化合物：

其中

R112表示甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、 甲氧基乙基、甲氧基丙基、氰基乙基、羟乙基、乙酰氧基乙基、氯 乙基、环己基、苄基或苯乙基，

R113和R114表示氢或一起表示-CH＝CH-CH＝CH-桥，

Y101表示N或CH，

CX103X104表示下式的环

其中星号(*)表示双键键合的环原子，

R105表示氢、甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛 基、甲氧基乙基、甲氧基丙基、氰基乙基、羟乙基、乙酰氧基乙基、 氯乙基、环己基、苯基、甲苯基、甲氧基苯基或

下式的基团

R106表示氢、甲基、乙基、丙基、丁基或三氟甲基，

R107表示氰基、甲氧基羰基、乙氧基羰基、-CH2SO3-M+或下式的 基团

M+表示阳离子和

An-表示阴离子，

其中所述烷基如丙基，丁基等可为支化烷基。

桥基经R112或R105连接形成低聚物或聚合物结构。

本发明还特别优选的部花青为具有下式结构的那些化合物：

其中

R112表示甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、 甲氧基乙基、甲氧基丙基、氰基乙基、羟乙基、乙酰氧基乙基、氯 乙基、环己基、苄基或苯乙基，

R113和R114表示氢或一起表示-CH＝CH-CH＝CH-桥，

Y101表示N或CH，

X103表示氰基、乙酰基、甲氧基羰基或乙氧基羰基，

X104表示2-、3-或4-吡啶基、噻唑-2-基、苯并噻唑-2-基、噁唑- 2-基、苯并噁唑-2-基、苯并咪唑-2-基、N-甲基-或N-乙基-苯并咪唑- 2-基，

其中所述烷基如丙基、丁基等可为支化烷基。

桥基经R112或X103(当其为酯基时)连接形成低聚物或聚合物结 构。

本发明还特别优选的部花青为具有下式结构的那些化合物：

其中

R115和R116各自独立表示甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、 庚基、辛基、苯基、苄基或苯乙基或

NR115R116表示吡咯-1-基、哌啶子基或吗啉-4-基，

CX103X104表示下式的环

其中星号(*)表示双键键合的环原子，

R105表示氢、甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛 基、甲氧基乙基、甲氧基丙基、氰基乙基、羟乙基、乙酰氧基乙基、 氯乙基、环己基、苯基、甲苯基、甲氧基苯基或

下式的基团

R106表示氢、甲基、乙基、丙基、丁基或三氟甲基，

R107表示氰基、甲氧基羰基、乙氧基羰基、-CH2SO3-M+或下式的 基团

M+表示阳离子和

An-表示阴离子，

其中所述烷基如丙基，丁基等可为支化烷基。

桥基经R115或R105连接形成低聚物或聚合物结构。

本发明还特别优选的部花青为具有下式结构的那些化合物：

其中

R115和R116各自独立表示甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、 庚基、辛基、苯基、苄基或苯乙基或

NR115R116表示吡咯-1-基、哌啶子基或吗啉-4-基，

X103表示氰基、乙酰基、甲氧基羰基或乙氧基羰基，

X104表示2-、3-或4-吡啶基、噻唑-2-基、苯并噻唑-2-基、噁唑- 2-基、苯并噁唑-2-基、苯并咪唑-2-基、N-甲基-或N-乙基-苯并咪唑- 2-基，优选2-吡啶基，

其中所述烷基如丙基、丁基等可为支化烷基。

桥基经R115或X103(当其为酯基时)连接形成低聚物或聚合物结 构。

在式(CIII)、(CXVI)和(CXVIII)中：

优选Y101表示CH和

在式(CIII)、(CXVI)、(CXVIII)和(CXIX)中

优选CX103X104表示式(CV)，(CVII）和(CIX)的环或下式的基团

其中双键经带星号(*)的碳原子引出。

优选的桥基为-(CH2)2-、-(CH2)3-、-(CH2)4-、-(CH2)2-O-(CH2)2-和 -CH2-C6H4-CH2-。

聚丙烯酸酯和聚甲基丙烯酸酯及它们与丙烯酰胺的共聚物为优 选的聚合物链。这样上述基团R101、R105、R108、R112和R115表示如下 式的单体单元：

其中

R表示氢或甲基

与部花青染料的N原子连接的单键从带有波浪线(～)的原子引 出，带有星号(*)的原子表示链的连续。

式(I)的一些部花青是已知的，例如参见F Würthner，Synthesis 1999，2103；F Würthner，R Sens，K-H Etzbach，G Seybold，Angew Chem 1999，111，1753；DE-OS 43 44 116；DE-OS 44 40 066；WO 98/23688：JP 52 99 379；JP 53 14 734。

还优选采用酞菁作为光吸收化合物。

在一个优选的实施方案中，所用的酞菁为式(1)的化合物

            MPc[R3]w[R4]x[R5]y[R6]z(1)，

其中

Pc表示酞菁或萘酞菁(naphthocyanine)，在两种情况下所述芳环 同样可为杂环，例如四吡啶-1-基四氮卟吩，

M表示两个独立的氢原子，二价金属原子或式(1a)的三价轴向单 取代金属原子：

或表示式(1b)的四价轴向双取代金属原子：

或表示式(1c)的三价轴向单取代和轴向单配位的金属原子：

其中在X2或X1为带电配体的情况下，所带电荷可由相反离子 补偿，如阴离子An-或阳离子Kat+，

基团R3至R6相应于酞菁环的取代基，其中

X1和X2各自独立表示如F、Cl、Br、I的卤素、羟基、氧、氰 基、硫氰酸根、氰酸根、链烯基、链炔基、芳硫基、二烷基氨基、 烷基、烷氧基、酰氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、-O-SO2R8、-O-PR10R11、 -O-P(O)R12R13、-O-SiR14R15R16、NH2、烷基氨基和杂环胺的基团，

R3、R4、R5和R6各自独立表示如F、Cl、Br、I的卤素、氰基、 硝基、烷基、芳基、烷基氨基、二烷基氨基、烷氧基、烷硫基、芳 氧基、芳硫基、SO3H、SO2NR1R2、CO2R9、CONR1R2、NH-COR7或 式-(B)m-D的基团，其中

B表示选自以下的桥基：化学键、CH2、CO、CH(烷基)、C(烷 基)2、NH、S、O或-CH＝CH-，(B)m表示化学上合理的桥基成员B的 排列顺序，其中m为1至10，优选m为1、2、3或4，

D表示下式的氧化还原体系的单价基团：

或

或表示茂金属基团或茂金属羰基基团，钛、锰、铁、钌或锇均 为合适的金属中心，

Z1和Z2各自独立表示NR′R″、OR″或SR″，

Y1表示NR′、O或S，Y2表示NR′，

n表示1至10和

R′和R″各自独立表示氢、烷基、环烷基、芳基或杂芳基，或与 -(CH＝CH)n-或＝(CH-CH)n＝链中的一个碳原子形成化学键或桥基，

w，x，y和z各自独立表示0至4且w+x+y+z≤16，

R1和R2各自独立表示氢、烷基、羟烷基或芳基，或R1和R2与 它们键合的氮原子一起形成5-、6-或7-元杂环，任选还含有其它杂 原子，尤其是选自O、N和S的杂原子，NR1R2具体表示吡咯-1-基、 哌啶子基或吗啉-4-基，

R7至R16各自独立表示烷基、芳基、杂芳基或氢，特别是表示烷 基、芳基或杂芳基，

An-表示阴离子，具体表示卤素离子、C1-至C20-烷基COO-、甲 酸根、草酸根、乳酸根、羟乙酸根、柠檬酸根、CH3OSO3-、NH2SO3-、 CH3SO3-、1/2SO42-或1/3 PO43-。

其中M表示式(1c)的基团，尤其采用Co(III)作为金属原子，优 选的X1和X2杂环胺配体或取代基为吗啉、哌啶、哌嗪、吡啶、2，2- 联吡啶、4，4-联吡啶、哒嗪、嘧啶、吡嗪、咪唑、苯并咪唑、异噁唑、 苯并异噁唑、噁唑、苯并噁唑、噻唑、苯并噻唑、喹啉、吡咯、吲 哚和3，3-二甲基吲哚，各基团的氮原子被金属原子配位或取代。

所述烷基、烷氧基、芳基和杂环基团还可任选带有其它基团， 如烷基、卤素、羟基、羟烷基、氨基、烷基氨基、二烷基氨基、硝 基、氰基、CO-NH2、烷氧基、烷氧基羰基、吗啉-4-基、哌啶子基、 吡咯-1-基、吡咯烷-1-基、三烷基甲硅烷基、三烷基甲硅烷氧基或苯 基。所述烷基和烷氧基可为饱和、不饱和、直链或支链，所述烷基 可被部分卤化或全卤化，所述烷基和烷氧基可被乙氧基化、丙氧基 化或甲硅烷基化。芳基或杂环上相邻的烷基和/或烷氧基可结合在一 起形成三或四元桥基。

优选的式(1)化合物为那些其中R1至R16，R′和R″以及X1和X2 配体或取代基的定义如下的化合物：

″烷基″取代基优选表示C1-C16-烷基，尤其是C1-C6-烷基，任选 被卤素(如氯、溴或氟)、羟基、氰基和/或C1-C6-烷氧基取代；

″烷氧基″取代基优选表示C1-C16-烷氧基，尤其是C1-C6-烷氧基， 任选被卤素(如氯、溴或氟)、羟基、氰基和/或C1-C6-烷基取代；

″环烷基″取代基优选表示C4-C8-环烷基，尤其是C5-至C6-环烷基， 任选被卤素(如氯、溴或氟)、羟基、氰基和/或C1-C6-烷基取代；

″链烯基″取代基优选表示C6-C8-链烯基，任选被卤素(如氯、溴 或氟)、羟基、氰基和/或C1-C6-烷基取代，链烯基尤其表示烯丙基；

″杂芳基″取代基优选表示5-至7-元杂环基团，优选含有选自N、 S和/或O的杂原子，任选与芳环稠合，或任选还带有取代基，如卤 素、羟基、氰基和/或烷基，特别优选为以下的基团：吡啶基、呋喃 基、噻吩基、噁唑基、噻唑基、咪唑基、喹啉基、苯并噁唑基、苯 并噻唑基和苯并咪唑基，

″芳基″取代基优选为C6-C10-芳基，尤其是苯基或萘基，任选被 卤素(如F或Cl、羟基、C1-C6-烷基、C1-C6-烷氧基、NO2和/或CN取代。

R3、R4、R5和R5各自独立优选表示氯、氟、溴、碘、氰基、甲 基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、叔丁基、戊基、叔戊基、 羟乙基、3-二甲氨基丙基、3-二乙氨基丙基、苯基、对叔丁基苯基、 对甲氧基苯基、异丙基苯基、三氟甲基苯基、萘基、甲基氨基、乙 基氨基、丙基氨基、异丙基氨基、丁基氨基、异丁基氨基、叔丁基 氨基、戊基氨基、叔戊基氨基、苄基氨基、甲基苯基己基氨基、羟 乙基氨基、氨基丙基氨基、氨基乙基氨基、3-二甲氨基丙基氨基、3- 二乙氨基丙基氨基、二乙氨基乙基氨基、二丁基氨基丙基氨基、吗 啉-4-基丙基氨基、哌啶子基丙基氨基、吡咯-1-基丙基氨基、吡咯烷- 1-基丙基氨基、3-(甲基羟乙基氨基）丙基氨基、甲氧基乙基氨基、乙 氧基乙基氨基、甲氧基丙基氨基、乙氧基丙基氨基、甲氧基乙氧基 丙基氨基、3-(2-乙基己氧基)丙基氨基、异丙基氧基丙基氨基、二甲 氨基、二乙氨基、二乙醇氨基、二丙氨基、二异丙基氨基、二丁氨 基、二异丁基氨基、二-叔丁基氨基、二戊基氨基、二-叔戊基氨基、 双(2-乙基己基)氨基、双(氨基丙基)氨基、双(氨基乙基)氨基、双(3- 二甲氨基丙基)氨基、双(3-二乙氨基丙基)氨基、双(二乙基-氨基乙基) 氨基、双(二丁氨基丙基)氨基、二(吗啉-4-基丙基)氨基、二(哌啶子基 丙基)氨基、二(吡咯-1-基丙基)氨基、二(吡咯烷酮基(pyrrolidono)丙基) 氨基、双(3-(甲基-羟乙基氨基)丙基)氨基、二甲氧基乙基氨基、二乙 氧基乙基氨基、二甲氧基丙基氨基、二乙氧基丙基氨基、二(甲氧基 乙氧基乙基)氨基、二(甲氧基乙氧基丙基)氨基、双(3-(2-乙基己基氧 基)丙基)氨基、二(异丙基氧基异丙基)氨基、甲氧基，乙氧基、丙氧基、 异丙氧基、丁氧基、异丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、叔戊氧基、甲 氧基乙氧基、乙氧基乙氧基、甲氧基丙氧基、乙氧基丙氧基、甲氧 基乙氧基丙氧基、3-(2-乙基己氧基)丙氧基、甲硫基、乙硫基、丙硫 基、异丙硫基、丁硫基、异丁硫基、叔丁硫基、戊硫基、叔戊硫基、 苯基、甲氧基苯基、三氟甲基苯基、萘基、CO2R7、CONR1R2、 NH-COR7、SO3H、SO2NR1R2或优选表示下式的基团

或

其中

(B)m表示

或

其中星号(*)表示与5元环相连，

M1表示Mn或Fe阳离子，

W、x、y和z各自独立表示0至4和w+x+y+z≤12，

NR1R2优选表示氨基、甲基氨基、乙基氨基、丙基氨基、异丙基 氨基、丁基氨基、异丁基氨基、叔丁基氨基、戊基氨基、叔戊基氨 基、苄基氨基、甲基苯基己基氨基、2-乙基-1-己基-氨基、羟乙基氨 基、氨基丙基氨基、氨基乙基氨基、3-二-甲基氨基丙基氨基、3-二 乙氨基丙基氨基、吗啉-4-基丙基-氨基、哌啶子基丙基氨基、吡咯-1- 基丙基氨基、吡咯烷-1-基-丙基氨基、3-(甲基-羟乙基氨基)丙基氨基、 甲氧基乙基-氨基、乙氧基乙基氨基、甲氧基丙基氨基、乙氧基丙基 氨基、甲氧基乙氧基丙基氨基、3-(2-乙基己基氧基)丙基氨基、异丙 氧基异丙基氨基、二甲氨基、二乙氨基、二丙氨基、二异丙氨基、 二丁氨基、二异丁基氨基、二-叔丁基氨基、二戊基氨基、二-叔戊基 氨基、双(2-乙基己基)氨基、二羟乙基氨基、双(氨基-丙基)氨基、双(氨 基乙基)氨基、双(3-二甲氨基丙基)氨基、双-(3-二乙氨基丙基)氨基、 二(吗啉-4-基丙基)氨基、二(哌啶子基丙基)氨基、二(吡咯-1-基丙基) 氨基、二(吡咯烷-1-基丙基)氨基、双(3-(甲基-羟乙基氨基)丙基)氨基、 二甲氧基乙基氨基、二乙氧基-乙基氨基、二甲氧基丙基氨基、二乙 氧基丙基氨基、二(甲氧基-乙氧基丙基)氨基、双(3-(2-乙基己基氧基) 丙基)氨基、二(异丙基氧基-异丙基)氨基、苯氨基、对甲苯氨基、对 叔丁基苯氨基、对甲氧基苯氨基、异丙基苯氨基或萘氨基，或NR1R2优选表示吡咯-1-基、哌啶子基、哌嗪-1-基或吗啉-4-基，

R7和R16各自独立优选表示氢、甲基、乙基、丙基、异丙基、丁 基、异丁基、叔丁基、戊基、叔戊基、苯基、对叔丁基苯基、对甲 氧基苯基、异丙基苯基、对三氟甲基苯基、氰基苯基、萘基、4-吡啶 基、2-吡啶基、2-喹啉基、2-吡咯基或2-吲哚基，

所述烷基、烷氧基、芳基和杂环基团可任选带有其它基团，如 烷基、卤素、羟基、羟烷基、氨基、烷基氨基、二烷基氨基、硝基、 氰基、CO-NH2、烷氧基、烷氧基羰基、吗啉-4-基、哌啶子基、吡咯 -1-基、吡咯烷-1-基、三烷基甲硅烷基、三烷基甲硅烷基氧基或苯基， 所述烷基和/或烷氧基可为饱和、不饱和、直链或支链，所述烷基可 被部分卤化或全卤化，所述烷基和/或烷氧基可被乙氧基化、丙氧基 化或甲硅氧基化，芳基或杂环基上相邻的烷基和/或烷氧基可结合在 一起形成3-或4-元桥基。

在本申请书中，氧化还原体系应理解为如在Angew.Chem.，1978， 927页和在Topics of Current Chemistry，92卷，1页(1980)中具体所述 的含义。

优选对苯二胺、吩噻嗪、二氢吩嗪、联吡啶二鎓盐(紫罗碱)和奎 喏二甲烷。

在优选的实施方案中，使用了式(1)的酞菁，

其中

M表示两个独立的氢原子或表示选自以下的二价金属原子Me： Cu、Ni、Zn、Pd、Pt、Fe、Mn、Mg、Co、Ru、Ti、Be、Ca、Ba、 Cd、Hg、Pb和Sn

或

M表示式(1a)的三价轴向单取代的金属原子，其中所述金属原子 Me选自Al、Ga、Ti、In、Fe和Mn，或

M表示式(1b)的四价轴向二取代的金属原子，其中所述金属原子 Me选自Si、Ge、Sn、Zr、Cr、Ti、Co和V。

X1和X2特别优选为卤素(尤其是氯)、芳氧基(尤其是苯氧基)或 烷氧基(尤其是甲氧基)。

R3-R6具体表示卤素、C1-C6-烷基或C1-C8-烷氧基。

特别优选其中M表示式(1a)或(1b)的基团的式I的酞菁。特别优 选w、x、y和z各自表示0。特别优选在式(1a)或(1b)中，X1和/或X2 各自表示卤素。

按照本发明使用的酞菁可按照已知方法制备，这些方法如：

-在相应的金属、金属卤化物或金属氧化物存在下，由相应取 代的邻苯二甲腈(phthalodinitrile)合成酞菁核，

-对酞菁进行化学改性，例如通过对酞菁进行磺化-氯化或氯化， 接着进行进一步的反应，如对所得产物进行缩合或取代，

-通过交换，由相应的卤化物制得轴向的取代基X1和X2。

优选所述光吸收化合物可热改性。热改性优选在＜700℃的温度 下进行。这种改性可例如使所述光吸收化合物的发色中心发生分解、 形态改变或化学改性。

所描述的光吸收物质保证光数据载体在未写入状态下具有足够 高的反射率，和具有足够高的吸收率以在聚焦蓝光、尤其是激光(优 选具有360至460nm光波长的光)照射过程中使信息层发生热降解。 数据载体上写入和未写入部分间的对照可通过写入后信息层的光性 质的改变所带来的反射率幅度的改变和入射光相的改变来了解。尤 其是所述光吸收物质通过写入标记的反射率的下降保证了具有良好 的读出信号。

换句话说，可优选使用360-460nm波长的激光对所述光数据载 体进行写入和读出。

优选酞菁的涂敷通过旋涂、溅射或真空蒸气沉积来实施。通过 真空蒸气沉积或溅射可具体使用不溶于有机介质或水介质的酞菁， 优选那些各部分定义如下的式(1)的化合物，其中w、x、y和z各自 表示0，M表示

或表示

其中X1和X2具有上述含义。

具体地讲，所述可溶于有机或水介质的酞菁还适合通过旋涂涂 敷。可将所述酞菁彼此混合或与其它具有类似光学性质的染料一起 混合。信息层可含有添加剂，如粘合剂、润湿剂、稳定剂、稀释剂 和光敏剂以及除酞菁外的其它组分。

优选通过旋涂或真空蒸发将所述部花青染料涂敷至所述光数据 载体上。可将部花青彼此混合或与其它具有类似光学性质的染料一 起混合。除了所述部花青外，所述信息层还可含有添加剂，如粘合 剂、润湿剂、稳定剂、稀释剂和光敏剂以及其它组分。

除信息层外，所述光数据载体还可含有其它层，如金属层、介 电层、阻挡层和保护层。所述金属层、介电层和/或阻挡层特别可用 于调节反射率和热平衡。取决于激光波长，金属可为金、银、铝、 合金等。介电层为如硅和氮化硅。阻挡层可包括介电层或金属层。 保护层为如可光固化涂层、金属粘合剂层、压敏粘合剂层和保护涂 膜。

压敏粘合剂层优选由丙烯酸类粘合剂构成，例如在JP-A 11- 273147中描述的Nitto Denko DA-8320或DA-83 10适用于该用途。

如图1所示，优选所述光数据存储器包括基底(1)、任选的阻挡 层(2)、信息层(3)、任选另一层阻挡层(4)、任选的粘合剂层(5)和覆盖 层(6)。

优选所述光数据载体的结构可：

·包括优选的透明基底(1)，在其表面上涂敷了至少一层信息层 (3)(可使用光写入)，任选的阻挡层(4)和任选的粘合剂层(5)和覆盖层 (6)；

·包括优选的透明基底(1)，在其表面上涂敷了任选的阻挡层(2)， 至少一层信息层(3)(可使用光写入)，任选的粘合剂层(5)和透明覆盖 层(6)；

·包括优选的透明基底(1)，在其表面上涂敷了任选的阻挡层(2)， 至少一层信息层(3)(可使用光写入)，任选的阻挡层(4)和任选的粘合 剂层(5)和透明覆盖层(6)；

·包括优选的透明基底(1)，在其表面上涂敷了至少一层信息层 (3)(可使用光写入)，任选的粘合剂层(5)和透明覆盖层(6)。

本发明还涉及本发明的可使用蓝光，尤其是激光，特别优选波 长360-460nm的激光进行写入的光数据载体。

以下实施例举例说明了本发明的主题。

实施例

实施例1

使用染料一氯-铝-酞菁(AlClPc)作为信息层。所用碟的结构如图 2a所示。

通过注塑方法将聚碳酸酯基底模塑成为宽0.64μm和深40nm的 沟槽结构。采用真空蒸气沉积方法直接在沟槽表面顶部涂敷40nm的 信息层。为了阻止信息层扩散到粘合剂层中，通过RF活性溅射方法 (reactive sputtering method)在所述信息层上覆盖一层厚25nm的二氧 化硅缓冲层。随后涂敷压敏粘合剂层作为粘合剂层，以及在载体的 入射光束侧涂敷一层另外的覆盖层(聚碳酸酯)。粘合剂层和覆盖层的 总厚度为100μm。

将读出/写入参数设置如下：

激光波长＝405nm

目镜的数值孔径＝0.85，双透镜

读出激光器功率＝0.30mW

写入激光器功率＝6.0mW

碟旋转的线速度＝5.72m/s

写入标记和间距＝0.69μm，周期性的

脉冲设置＝一次标记中7次脉冲，50％的占空率，

结果，在沟槽磁道上进行写入后，得到了如图2所示的矩形波。 此处R表示载体的反射率，RInit表示起始的反射率。在图中清楚可见， 所写入的区域显示出所需的均匀、低的反射率。在30kHz的分辨带 宽(RBW)，载波噪音比(C/N)为48.4dB。虽然信息层仅仅覆盖了薄的

SiO2缓冲层和软的PSA层，其读出稳定性确实意外地好，几乎达到 CD-R或DVD-R载体(包括UV树脂硬覆盖层)的水平。在所述沟槽结 构的平坦表面进行写入得到同样的结果。

实施例2

使用染料二氯-硅-酞菁(SiCl2Pc)作为信息层。除SiO2的厚度改为 40nm外，所用的碟结构与实施例1的相同。写入条件也与实施例1的 相同。

结果显示写入在该载体上的矩形波具有非常低的噪音和非常高 的调制比(图3)。在30kHz RBW的载波噪音比为55dB。读出标记 的畸变非常小，可见该染料和层结构的结合与这种载体格式和光学 拾波器参数匹配。同时，还显示非常高的读出稳定性。读出功率最 高达0.7mW时，仍保持在这样高的C/N水平。

根据其高的写入和读出稳定性，该载体显示出高密度写入的极 高潜力。进行(1，7)RLL调制的无规图案写入，最小的标记长度为 0.173μm。当同时在凸面和沟槽上写入时，单面、12cm直径碟上的 数据容量可达21GB。如图4所示，在凸面上得到了清楚的眼图，其 抖动水平为10％。在沟槽处得到相似的结果，因此它的单面碟可具 有超过21GB的容量。

实施例3

将上述染料用于信息层。碟结构和写入参数与实施例2的相同。 与实施例1和2类似，显示出具有高读出稳定性的矩形波(图5)。在 30kHz的分辨带宽下C/N水平为45dB。

实施例3-23的染料可按照类似的方法使用。

实施例3-23

(MeX1X2)PcR3R4R5R6    Nr.  Me    X1      X2     R3     R4     R5     R6    4  Al   O-C6H5  -     -     -      -     -    5  Zn   -  -     -     -      -     -    6  V   ＝O  -     -     -      -     -    7  Ga   Cl  -     -     -      -     -    8  In   Cl  -     -     -      -     -    9  Ge   Cl  Cl     -     -      -     -   10  Si   OCH2CH3  OCH2CH3     -     -      -     -   11  Si   CH3  Cl     -     -      -     -   12  Si   Phenyl  Cl     -     -      -     -   13  Si   CH3  OCH2CH3     -     -      -     -   14  Si   OSi(CH3)3  OSi(CH3)3     -     -      -     -   15  Si   Cl  Cl  C(CH3)3  C(CH3)3      -     -   16  Si   Cl  Cl  C(CH3)3  C(CH3)3  C(CH3)3  C(CH3)3   17  Al   Cl  -  C(CH3)3  C(CH3)3  C(CH3)3  C(CH3)3   18  Al   OH  -     -     -      -     -   19  Al   Cl  -  Si(CH3)3  Si(CH3)3  Si(CH3)3  Si(CH3)3   20  Ti   OSi(CH3)3  OSi(CH3)3     -     -      -     -   21  Sn   OSi(CH3)3  OSi(CH3)3     -     -      -     -   22  Zr   OSi(CH3)3  OSi(CH3)3     -     -      -     -   23  Ru   OCH2CH3  OCH2CH3     -     -      -     -

实施例24

在90℃下，在2小时内将2.1g 1-丁基-3-氰基-4-甲基-6-羟基-2- 吡啶酮和2.0g 1，3，3-三甲基吲哚-2-亚甲基-ω-醛在搅拌下加入至5ml 乙酸酐中。冷却后，将所述混合液倒入100ml冰水中，抽吸过滤， 滤渣用水洗涤。随后在搅拌下加入至20ml水/甲醇(3∶1)中，抽吸过 滤并干燥。得到3.3g(理论值的85％)下式物质的红色粉末：

M.p.＝249-251℃

UV(二噁烷)：λmax＝520nm

UV(DMF)：λmax＝522nm

ε＝113100l/mol cm

Δλ＝2nm

λ1/2-λ1/10(长波侧)＝12nm

溶解度：在TFP(2，2，3，3-四氟丙醇)中＞2％。

实施例25

按照相同的方法，使用1.7g1-丙基-3-氰基-4-甲基-6-羟基-2-吡 啶酮和1.7gN-甲基-N-(4-甲氧基苯基)-丙烯醛得到26g(理论值的 79％)下式物质的红色粉末：

M.p.＝206-216℃

UV(二噁烷)：λmax＝482nm

UV(DMF)：λmax＝477nm

ε＝73013l/molcm

Δλ＝5nm

λ1/2-λ1/10(短波侧)＝33nm

溶解度：在TFP中＞2％

实施例26

在90℃下，将2.03g氯化3-吡啶-1-基-4-甲基-6-羟基-吡啶酮和2.0 g 1，3，3-三甲基吲哚-2-亚甲基-ω-醛在搅拌下加入至10ml乙酸酐中2 小时。冷却后，将所述混合液倒入200ml冰水中，往所得橙色溶液 中加入2.8g四氟硼酸钠。搅拌所述混合液过夜，抽吸过滤，滤渣用 20ml水洗涤并干燥。得到3.3g(理论值的74％)下式物质的红色粉末：

M.p.＞300℃

UV(甲醇)：λmax＝513nm

ε＝86510l/molcm

λ1/2-λ1/10(短波侧)＝38nm

溶解度：在TFP中＞2％

实施例27

在90℃下将0.7g 5-二甲氨基呋喃-2-甲醛和1.5gN-甲基-N′-十 二烷基-巴比土酸在搅拌下加入15ml乙酸酐中30分钟。冷却后，将 所述混合液倒入100ml冰水中，抽吸过滤，滤渣用水洗涤。得到1.7g (理论值的79％)下式物质的橙色粉末：

M.p.118-120℃

UV(二噁烷)：λmax＝483nm

ε＝53360l/mol cm

λ1/2-λ1/10(短波侧)＝32nm

溶解度：在苄醇中＞1％。

本发明的其它实施例总结在下表中：

表1(式(VI))

1)在二噁烷中，另有声明除外，

2)＝_λDMF-λ二噁烷_

3)在短波侧

4)在长波侧

表2(式(VII))

1)在二噁烷中，另有声明除外，

2)＝_λDMF-λ二噁烷_

3)在短波侧

4)在长波侧

表3(式(VIII))

1)在二噁烷中，另有声明除外，

2)＝_λDMF-λ二噁烷_

3)在短波侧

4)在长波侧

实施例87

将上述实施例76所示的、具有下式的染料：

用作信息层。所用的碟结构示于图2a中。

通过注塑方法将聚碳酸酯基底模塑成为宽0.64μm和深40nm的 沟槽结构。采用旋涂方法直接在沟槽表面顶部涂敷信息层。旋涂操 作的参数如下：

溶剂：四氟丙醇(TFP)

溶液：1.0％重量

涂敷溶剂的碟旋转速度：220rpm，12秒

甩出和干燥的碟旋转速度：1200rpm，30秒    

沟槽和凸面的染料层的厚度分别为80nm和60nm。为了阻止信 息层扩散到粘合剂层中，通过RF活性溅射方法在所述信息层上覆盖 一层厚40nm的SiN缓冲层。随后涂敷压敏粘合剂层(PSA；Nitto Denko DA/8320)作为粘合剂层，以及在载体的入射光束侧涂敷一层另外的 覆盖层(聚碳酸酯)。粘合剂层和覆盖层的总厚度为100μm。

将读出/写入参数设置如下：

激光波长＝404nm

目镜的数值孔径＝0.85，双透镜

读出激光器功率＝0.30mW

写入激光器功率＝6.0mW

碟旋转的线速度＝5.72m/s

写入标记和间距＝0.69μm，周期性

脉冲设置＝一次标记中7次脉冲，50％的占空率，

结果，在沟槽磁道上进行写入后，得到了分别如图6a和6b所 示的沟槽和凸面区域的清楚矩形波。此处R表示载体的反射率，RInit 表示起始的反射率。在图中清楚可见，所写入的区域显示出所需的 均匀、低的反射率。采用Takeda Riken TR4171的方法，在30kHz 的分辨带宽(RBW)下，沟槽和凸面的载波噪音比(C/N)分别为57.4db 和53.0db。这种高C/N证明其具有用于高密度写入的高性能，由于 该载体可在凸面/沟槽处进行写入，使得其实际上具有双磁道间距 (pitch)，即是0.32μm。还值得一提的是调制比(标记/RInit的反射率)几 乎达到80％。具有如此巨大的调制比，使得该载体具有理想的信号 质量和最大的容量。

另外，采用以下参数进行小的标记写入。    

写入标记和间距＝0.17μm，周期性

脉冲设置＝一次标记中1次脉冲

其它条件与0.69μm的标记写入相同。

结果观察到如图7所示的清楚的波形。调制幅度小于图6a或6b， 但是对于这种接近读出光的截止频率的小标记来说，其已经接近理 论值了。对于这种读出信号，C/N值为40.0dB。使用0.17μm的标记 长度作为(1，7)RLL调制的最小标记，12cm直径的单面碟的容量达到 21GB。可见这种染料可用于这种高密度的写入。