1.一种下式化合物：
其中R1和R2可以相同或不同且选自C1-C100烷基，-COOR103，被一个或多个卤原子、羟基、硝基、-CN或C6-C24芳基取代和/或被-O-、-COO-、-OCO-或-S-间隔的C1-C100烷基；可以被C1-C8烷基、C1-C8烷氧基、-CF3和/或F取代1-5次的C7-C100芳烷基，氨基甲酰基，可以被C1-C8烷基和/或C1-C8烷氧基取代1-3次的C5-C12环烷基，可以被C1-C8烷基、C1-C8硫代烷氧基和/或C1-C8烷氧基取代1-3次的C6-C24芳基，尤其是苯基或者1-或2-萘基，或五氟苯基，
a为1、2或3，并且e为1、2或3，
b、c、d、f、g和h相互独立地表示0、1、2或3，
1 5
Ar 和Ar 相互独立地为
3 3
R 和R’相互独立地为氢，卤素，卤代C1-C25烷基，尤其是CF3，CN，可以任选被一个或多个氧或硫原子间隔的C1-C25烷基，尤其是C3-C25烷基，C7-C25芳烷基或C1-C25烷氧基；
4 4 5 5 6 6
R、R’、R、R’、R 和R’相互独立地为氢，卤素，卤代C1-C25烷基，尤其是CF3，CN，可以任选被一个或多个氧或硫原子间隔的C1-C25烷基，尤其是C3-C25烷基；C7-C25芳烷基或C1-C25烷氧基；
114
R 为可以任选被一个或多个氧或硫原子间隔的C1-C25烷基，尤其是C3-C25烷基，
7 7 9 9
R、R’、R 和R’相互独立地为氢，可以任选被一个或多个氧或硫原子间隔的C1-C25烷基，尤其是C3-C25烷基，或C7-C25芳烷基，
11 11
R 和R ’相互独立地为C1-C25烷基，尤其是C1-C8烷基，C7-C25芳烷基，或可以被C1-C8烷基和/或C1-C8烷氧基取代1-3次的苯基；
12 12
R 和R ’相互独立地为氢，卤素，CN，可以任选被一个或多个氧或硫原子间隔的C1-C25
113
烷基，尤其是C3-C25烷基，C1-C25烷氧基、C7-C25芳烷基，或 其中R 为C1-C18烷基或三(C1-C8烷基)甲硅烷基；
2 3 4 6 7 8 1
Ar、Ar、Ar、Ar、Ar 和Ar 相互独立地具有Ar 的含义，或为式
的基团，
R104和R104’相互独立地为氢、CN、COOR103或C1-C25烷基，
R103和R103’相互独立地为C1-C100烷基，尤其是C3-C25烷基，被O间隔的C1-C25烷基，C7-C25芳烷基，可以任选被取代的C6-C24芳基或可以任选被取代的C2-C20杂芳基，R13和R14相互独立地为氢，CN，具有至多25个碳原子的脂族烃基，具有至多25个碳原子的烷氧基或链烯氧基，卤素，具有至多25个碳原子的脂环族、脂环族-脂族、芳族、芳族-脂族、杂芳族或杂芳族-脂族基团，被一个或多个卤原子取代的C1-C25烷基，尤其是CF3，或下式之一的基团：
其中
w为0或1，BU为桥接单元且A3和A3’相互独立地为可以任选被取代的C6-C24芳基或C2-C26杂芳基，
R8和R8’相互独立地为氢，C6-C18芳基，被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基，或者可以任选被一个或多个氧或硫原子间隔的C1-C25烷基，尤其是C3-C25烷基，或C7-C25芳烷基，
R22-R58相互独立地表示氢，CN，具有至多25个碳原子的脂族烃基，被一个或多个卤原子取代的C1-C25烷基，尤其是CF3，具有至多25个碳原子的烷氧基或链烯氧基，卤素，具有至多
25个碳原子的脂环族、脂环族-脂族、芳族、芳族-脂族、杂芳族或杂芳族-脂族基团，或者R27和R28或者R27和R58一起表示均可经由氧和/或硫与噻吩基残基连接且可以具有至多25个碳原子的亚烷基或亚链烯基；条件是基团Ar1、Ar2、Ar3、Ar4、Ar5、Ar6、Ar7和Ar8中至少一个被CN取代，和/或R13和R14表示CN或被CN取代的取代基。
2.根据权利要求1或2的化合物，其为下式化合物：
1 2 13 14 1 2 3 4 5 6 7 8
其中R、R、R 、R 、Ar、Ar、Ar、Ar、Ar、Ar、Ar 和Ar 如权利要求1中所定义。
1 5
3.根 据 权 利 要 求 1或 2 的 化 合 物，其 中 Ar 和 Ar 相 互 独 立 地 为其中
R3和R3’相互独立地为氢、卤素、CF3、CN、C1-C25烷基或C1-C25烷氧基并且R8为氢或C1-C25烷基，尤其是C3-C25烷基。
1 5
4.根据权利要求3的化合物，其中Ar 和Ar 相互独立地为 或
2 3 4 6 7 8
5.根据权利要求1-4中任一项的化合物，其中Ar、Ar、Ar、Ar、Ar 和Ar 相互独立地为 或 其中
R3和R3’相互独立地为氢、卤素、CF3、CN、C1-C25烷基或C1-C25烷氧基并且R8为氢或C1-C25烷基。
6.根据权利要求5的化合物，其中Ar2、Ar3、Ar4、Ar6、Ar7和Ar8相互独立地为或
1 2
7.根据权利要求1-6中任一项的化合物，其中R 和R 选自C1-C38烷基，被一个或多个卤原子取代的C1-C38烷基，尤其是含F的C2-C36烷基，非常尤其为CH2CnF2n+1(n=1-10)，可以被C1-C8烷基、C1-C8烷氧基和/或F取代1-5次的C7-C25芳烷基，尤其是 或
u为1或2，v为1-5；以及五氟苯基。
13 14
8.根据权利要求1-7中任一项的化合物，其中R 和R 为CN或
9.根据权利要求1的化合物，其为下式化合物：
1
其中R 为C1-C38烷基，尤其是C2-C12烷基，含F的C2-C36烷基，尤其是CH2CnF2n+1(n=1-10)，
8
或者 或 u为1或2，v为1-5，以及R 为氢或C1-C25
烷基。
10.根据权利要求1的式I化合物，其选自具有下式的化合物：
和
11.一种有机半导体材料、层或组件，包含根据权利要求1-10中任一项的化合物。
12.一种半导体器件，包含根据权利要求1-10中任一项的化合物或根据权利要求11的有机半导体材料、层或组件作为半导体有效装置。
13.根据权利要求12的半导体器件，其呈二极管、光电二极管、传感器、有机场效应晶体管、柔性显示器用晶体管、RFID或(异质结)太阳能电池形式。
14.根据权利要求1-10中任一项的化合物作为半导体的用途。
15.一种制备有机半导体器件的方法，其中通过将根据权利要求1-10中任一项的化合物在有机溶剂中的溶液和/或分散体施用于合适基材并除去所述溶剂而形成所述有机半导体层；或者通过真空汽相沉积根据权利要求1-10中任一项的化合物而形成所述有机半导体层。
16.一种制备下式化合物的方法：
该方法包括使下式化合物与氰化铜(I)反应：
或者一种制备下式化合物的方法：
该方法包括使下式化合物：
11 2 13
与等摩尔量的对应于式X -A-R 的二硼酸或二硼酸酯在溶剂中在催化剂存在下反应
11 2 13
或者与等摩尔量的对应于式X '-A-R 的有机锡化合物反应；或者一种制备下式化合物的方法：
该方法包括使下式化合物：
11 13
与等摩尔量的对应于式X -A-R 的二硼酸或二硼酸酯在溶剂中在催化剂存在下反应
11 13
或者与等摩尔量的对应于式X '-A-R 的有机锡化合物反应；或者一种制备下式化合物的方法：
该方法包括使下式化合物：
11 1 13
与等摩尔量的对应于式X -A-R 的二硼酸或二硼酸酯在溶剂中在催化剂存在下反应
11 1 13
或者与等摩尔量的对应于式X '-A-R 的有机锡化合物在溶剂中在催化剂存在下反应；其
11 1 1
中X 每次出现独立地为-B(OH)2、-B(OY)2、 或 其中Y 每次出现
2 3 4 5 6 7 8 9 1
独立地为C1-C18烷基且Y 每次出现独立地为C2-C10亚烷基，如-CYY-CYY-或-CYY-CYY
0 11 12 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
-CY Y -，其中Y、Y、Y、Y、Y、Y、Y、Y 、Y 和Y 相互独立地为氢或C1-C18烷基，尤其是
13 14
-C(CH3)2C(CH3)2-、-C(CH3)2CH2C(CH3)2-或-CH2C(CH3)2CH2-，并且Y 和Y 相互独立地为氢或C1-C18烷基；
11 207 208 209 207 208 209
X ’每次出现独立地为-SnR R R ，其中R 、R 和R 相同或不同且为H或C1-C6
207 208 209
烷基，或者基团R 、R 和R 中的两个形成环且这些基团任选为支化的，
13 14
R 和R 为CN，
A为式 的基团，
1
A 为式 的基团，
2
A 为式 的基团，
1 2 1 2 3 4 5 6 7 8
X为Cl、Br或I；a、b、c、d、e、f、g、h、R、R、Ar、Ar、Ar、Ar、Ar、Ar、Ar 和Ar 如权利要求1中所定义。