1.一种具有3.5或更小的介电常数的介电层，其包含可由至少一种双单体聚合得到的电介质，所述至少一种双单体包含：
a)包含金属或半金属的第一单体单元，以及
b)通过化学键连接至该第一单体单元的第二单体单元，
其中所述聚合包括通过使该化学键断裂并形成包含该第一单体单元的第一聚合物以及包含该第二单体单元的第二聚合物而使该双单体聚合，且其中该第一单体单元和该第二单体单元通过相同机理聚合。
2.如权利要求1所述的介电层，其中所述金属或半金属为Si、B、Ti、Zr或Hf，尤其为Si或Ti。
3.如前述权利要求中任一项所述的介电层，其中所述第一聚合物为基本上无机的，所述第二聚合物为基本上有机的。
4.如前述权利要求中任一项所述的介电层，其中所述第一单体单元和第二单体单元以阴离子方式、阳离子方式或自由基方式聚合。
5.如前述权利要求中任一项所述的介电层，其中介电常数为3.0或更小，尤其为2.5或更小。
6.如前述权利要求中任一项所述的介电层，其中所述第二聚合物通过热移除、氧化移除或热及氧化移除。
7.如前述权利要求中任一项所述的介电层，其中所述第二单体单元为以下基团：
其中A1、A2、A3各自独立地为氢、直链或支链脂族烃基、芳族烃基或芳族-脂族烃基。
8.如前述权利要求中任一项所述的介电层，其中所述第二单体单元为以下基团：
其中A1、A2、A3和A4各自独立地为氢或直链或支链脂族烃基、芳族烃基或芳族-脂族烃基，且R3、R4各自独立地为氢或具有1至6个碳原子的烷基，优选为甲基或H。
9.如权利要求7或8所述的介电层，其中A1、A2、A3以及如果存在的A4基团中的至少两个彼此结合，更特别地为稠合。
10.如权利要求7至9中任一项所述的介电层，其中A1、A2、A3以及如果存在的A4基团中一个或多个碳原子独立地被杂原子，更特别地被O、S和/或N置换。
11.如权利要求7至10中任一项所述的介电层，其中A1、A2、A3以及如果存在的A4各自独立地为一个或多个官能团，尤其为卤素如Br和Cl、以及CN和NR2，其中R尤其为H或脂族或芳族烃基，优选为H、甲基、乙基或苯基。
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12.如权利要求7至11中任一项所述的介电层，其中A 和A 各自为H，优选A、
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A、A 以及如果存在的A 各自为H。
13.如前述权利要求中任一项所述的介电层，其中所述电介质可由式(IIa)所示的至少一种有机硅化合物双聚合获得：
其中
M 为金属或半金属，优选为Si、Ti、Zr或Hf，更优选为Si或Ti，A1、A2、A3各自独立地为氢或直链或支链脂族烃基、芳族烃基或芳族-脂族烃基。
14.如前述权利要求中任一项所述的介电层，其中所述电介质可由式(IIb)所示的至少一种有机硅化合物双聚合获得：
其中
M 为金属或半金属，优选为Si、Ti、Zr或Hf，更优选为Si或Ti，
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A、A、A、A 各自独立地为氢或直链或支链脂族烃基、芳族烃基或芳族-脂族烃基，
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R、R 各自独立地为氢或具有1至6个碳原子的烷基，优选为甲基或H。
15.一种包含至少一种双单体的组合物在半导体基板上制造具有3.5的介电常数的介电层中的用途，所述至少一种双单体包含：
a)包含金属或半金属的第一单体单元，以及
b)通过化学键连接至该第一单体单元的第二单体单元，
该双单体可通过使该化学键断裂并形成包含该第一单体单元的第一聚合物以及包含该第二单体单元的第二聚合物而聚合，且其中该第一单体单元和该第二单体单元可通过相同机理聚合。
16.一种半导体组件，其包含如权利要求1至14中任一项所述的介电层。
17.一种制造包含至少一个具有小于3.5的介电常数的介电层的半导体组件的方法，其中：
a)将至少一种双单体涂覆到半导体基板上，所述至少一种双单体包含第一单体单元和第二单体单元，该第一单体单元包含金属或半金属，该第二单体单元通过化学键连接至该第一单体单元，以及
b)该至少一种有机金属化合物通过使该化学键断裂并形成包含该第一单体单元的第一聚合物以及包含该第二单体单元的第二聚合物而聚合，且其中该第一单体单元和该第二单体单元通过相同机理聚合。