| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 1 | 一种轻量低损耗碳化硅系耐火材料及其制备方法 | CN201710526759.7 | 2017-06-30 | CN107382364A | 2017-11-24 | 佘建锋 |
| 本发明涉及了一种轻量低损耗碳化硅系耐火材料及其制备方法，以碳化硅粉和造孔剂为原料成型生坯，高温生成碳化硅烧结体，并在碳化硅烧结体表面包裹了一层致密硅膜层。造孔剂保证了碳化硅系耐火材料的较高的气孔率，增加了材料的抗热震性，减轻了材料重量，节省了原料成本。硅膜层能够有效隔绝其内部材料与外界氧气接触，因此显著提高了碳化硅耐火材料的抗氧化性能，材料是否致密并不影响材料的稳定性和使用寿命。所用镀膜方法已经是工艺非常成熟的常用镀膜技术，工艺稳定，控制简单，调控镀膜的厚度、密度或者镀膜材料都非常方便，有利于工业生产应用。 | ||||||
| 2 | 一种抗氧化碳化硅系耐火材料及其制备方法 | CN201710528033.7 | 2017-06-30 | CN107311671A | 2017-11-03 | 佘建锋 |
| 本发明涉及了一种抗氧化碳化硅系耐火材料及其制备方法，以碳化硅粉为原料成型生坯，高温生成碳化硅烧结体，并在碳化硅烧结体表面包裹了一层致密硅膜层。该膜层能够有效隔绝其内部材料与外界氧气接触，因此显著提高了碳化硅耐火材料的抗氧化性能。同时，硅膜层的表面在高温下也会氧化成SiO2，会使材料的抗氧化性能更加优异，这个过程还会促进炼钢过程中的脱氧，加快炼钢速度，提高钢的质量。另外，由于材料内部气孔的存在，增加了碳化硅材料的抗热震性。所用镀膜方法已经是工艺非常成熟的常用镀膜技术，工艺稳定，控制简单，调控镀膜的厚度、密度或者镀膜材料都非常方便，有利于工业生产应用。 | ||||||
| 3 | 切削工具 | CN201480020510.3 | 2014-11-25 | CN105102164B | 2017-09-22 | 月原望; 濑户山诚; 冈村克己 |
| 根据本发明的切削工具包括基材和形成于该基材上的覆膜。所述基材为含有30体积％至80体积％的立方氮化硼、以及结合剂的烧结体。基材中与覆膜接触的表面具有多个由立方氮化硼形成的凸部和多个由结合剂形成的凹部。基材中与覆膜接触的表面的表面粗糙度(Rsub)为0.1μm至0.4μm。覆膜的最外表面的表面粗糙度(Rsurf)为0μm至0.15μm。覆膜的最外表面的表面粗糙度(Rasurf)为0μm至0.1μm。基材中与覆膜接触的表面的表面粗糙度(Rsub)大于覆膜的最外表面的表面粗糙度(Rsurf)。 | ||||||
| 4 | 高性能低成本C/C‑SiC复合材料制动盘及其制备方法与应用 | CN201611049125.9 | 2016-11-21 | CN106966751A | 2017-07-21 | 罗瑞盈; 罗浩 |
| 本发明涉及一种高性能低成本C/C‑SiC复合材料制动盘及其制备方法与应用，制备方法包括：将制动盘预制体碳化，采用化学气相渗积法将碳化后的制动盘预制体致密化得到C/C复合材料；然后在惰性气氛中进行热处理，以提高复合材料的石墨化度；再进行机械加工，得到C/C复合材料坯体；利用熔融渗硅法处理C/C复合材料坯体，得到C/C‑SiC复合材料制动盘；再利用化学气相渗积法或先驱体浸渍裂解法对C/C‑SiC复合材料制动盘进行处理；将得到的产品机械加工成最终的设计尺寸，即得复合材料制动盘成品。本发明提供的C/C‑SiC复合材料制动盘及其制备方法，可以降低制备成本，提高制动盘的力学性能、导热性能和摩擦磨损性能。 | ||||||
| 5 | 一种负温度系数陶瓷热敏电阻的制造方法 | CN201510931129.9 | 2015-12-11 | CN106866130A | 2017-06-20 | 李春花 |
| 本发明涉及一种负温度系数陶瓷热敏电阻的制造方法。在Mn3O4,Co3O4,Fe2O3中微量掺杂ZnO，混合均匀经过球磨、预烧、喷雾造粒后成型，置于热压炉，通过升温时升压、恒温、恒压1050-1150℃、10Mpa烧结、降温同时降压；再在瓷体表面用真空蒸发镀膜方式制备表面电极。本发明通过升温时升压、恒温时恒压、降温时降压的热压烧结工艺，烧结恒温温度1050-1200℃，低于1400℃，大大提高了材料的致密度、热传导系数；采用蒸发镀膜工艺制备陶瓷表面电极，表面金属电极与瓷体结合好，提高了热传导系数，进而提高了负温度系数热敏电阻的耗散系数、伏安特性值；提高了可耐受的最大直流电压，使其避免了在大的工作电压冲击下因为散热不良引起的自热现象，提高了热敏电阻温度测量和控制的准确性。 | ||||||
| 6 | 一种微波介质陶瓷表面金属化的方法 | CN201611072947.9 | 2016-11-29 | CN106747675A | 2017-05-31 | 郭江超; 金浩; 王德苗; 冯斌 |
| 本发明公开了一种微波介质陶瓷表面金属化的方法，包括以下步骤：(1)表面处理：将微波介质陶瓷进行表面精细打磨、超声清洗及真空等离子清洗；(2)采用磁控溅射法在低气压下沉积底层金属，所述低气压指：溅射气压为0.1～0.2Pa；(3)采用磁控溅射法在常规气压下沉积金属化膜系，所述常规气压指：溅射气压为0.3～0.7pa。与其他微波介质陶瓷表面金属化的方法相比，本发明通过两步气压溅射法沉积多层金属化膜系，可以有效提高微波介质陶瓷表面金属化膜层的附着力，且工艺设计合理简单，便于工业生产，制作过程环保无污染。 | ||||||
| 7 | 表面被覆氮化硼烧结体工具 | CN201480031258.6 | 2014-06-05 | CN105263657B | 2017-03-15 | 月原望; 冈村克己; 濑户山诚 |
| 一种表面被覆氮化硼烧结体工具，其中至少切削刃部分包括立方氮化硼烧结体以及形成在所述立方氮化硼烧结体的表面上的覆膜。所述覆层包括A层和B层，A层由粒径为10nm以上400nm以下的柱状晶体构成，B层由粒径为5nm以上70nm以下的柱状晶体构成。B层通过交替地层叠两种或多种具有不同组成的化合物层而形成，各化合物层的厚度为0.5nm以上300nm以下。 | ||||||
| 8 | 一种硅锰合金冲压件及表面处理工艺 | CN201610683296.0 | 2016-08-17 | CN106278380A | 2017-01-04 | 余昌国; 万忠心 |
| 本发明公开了一种硅锰合金冲压件及表面处理工艺。硅锰合金冲压件由以下物料组成：二硼化钛，氧化钛，三氧化铬，二氧化硅，氧化锌，氧化铝，三氧化二锰，氢氧化镍，氧化铁，氧化钴，氧化铜，氧化铍，五氧化二钒，氧化镁。硅锰合金冲压件表面处理工艺包括以下步骤：表面清洁，抛丸处理，喷釉固化，微加湿处理，PVD镀膜，涂覆润滑剂。本发明提供的钛合金冲压件，通过调整冲压件的组成配比，使得所形成的冲压件具有更好的匀、轻、强的特性，且冲压件表面处理工艺简单，生产成本低，对环境友好，适合在工业上大规模推广。 | ||||||
| 9 | 一种陶瓷基板烧制用陶瓷片及其处理方法 | CN201610593480.6 | 2016-07-26 | CN106220246A | 2016-12-14 | 秦先志; 罗小阳; 唐甲林 |
| 本发明公开一种陶瓷基板烧制用陶瓷片及其处理方法，方法包括步骤:将陶瓷片置于强酸性试剂中浸泡，取出后放入超声波清洗机中清洗，取出后使用蒸馏水漂洗，然后放入真空烘箱或者有惰性气体保护的环境下烘干待用；将陶瓷片置于铜蒸汽中熏蒸，冷却后存储待用。本发明采用多种清洗手段相结合的清洗方式，确保了陶瓷片表面的清洗效果。采用铜蒸汽熏蒸的方式，填补陶瓷片表面的微小空隙，活化陶瓷片表面，增加金属铜层在陶瓷片表面的润湿能力，提升铜层的附着力。另外，铜蒸汽对陶瓷片表面的填充，客观上取代了空隙中的气体，减少了铜层在附着过程中气泡的产生。 | ||||||
| 10 | 一种遮光陶瓷及其制备方法 | CN201610499221.7 | 2016-06-30 | CN106116703A | 2016-11-16 | 马艳红 |
| 本发明公开了一种遮光陶瓷及其制备方法，该遮光陶瓷由陶瓷层、至少一层高折射率薄膜反射层和至少一层低折射率薄膜反射层组层。其制备方法为将陶瓷粉、粘结剂、分散剂和溶剂混合球磨后成型，烧结抛光后得陶瓷层；在上述陶瓷层表面按需求依次镀制相应高、低折射率薄膜反射层，即可。本发明遮光陶瓷包含了特定的陶瓷层和薄膜反射层，所述陶瓷层漏过的光可被本发明薄膜反射层进行全反射，使遮光陶瓷达到完全的遮光效果，而且所述薄膜反射层不导电，克服了油墨遮光方式对指纹信号传输的干扰和削弱。本发明遮光陶瓷由特定的陶瓷层和特定的薄膜反射层组成，二者的结合力牢固，且表面硬度高，可显著提高指纹识别模组的装配合格率。 | ||||||
| 11 | 一种氮化铝陶瓷覆铜板及其制备方法 | CN201610136483.7 | 2016-03-10 | CN105777210A | 2016-07-20 | 陈波; 王德苗; 金浩 |
| 本发明公开了一种氮化铝陶瓷覆铜板，该覆铜板依次由氮化铝陶瓷基底、激光活化层、高能溅射铜层、低能铜层四层结构组成。本发明还公开了该种氮化铝陶瓷覆铜板的制备方法，步骤如下：A、对氮化铝陶瓷基底进行清洗；B、使用激光束扫射氮化铝陶瓷基底表面，制备激光活化层；C、在上述激光活化层上利用磁控溅射在低气压高电压条件下沉积高能溅射铜层；D、在高能溅射铜层上采用溅射镀铜法、化学镀铜法或蒸发镀铜法制备低能铜膜，得到氮化铝陶瓷覆铜板。本发明相比一般氮化铝陶瓷金属化的结构，具有制备过程无污染，膜层质量高，结合强度大，结构简单稳定，工艺兼容性强等优点。 | ||||||
| 12 | 表面被覆氮化硼烧结体工具 | CN201580001120.6 | 2015-03-20 | CN105339116A | 2016-02-17 | 松田裕介; 冈村克己; 佐野谦太; 月原望; 濑户山诚 |
| 在本发明的表面被覆氮化硼烧结工具中，至少切削刃部分包括复合烧结体和设置在复合烧结体的表面上的覆层。该复合烧结体包含立方氮化硼颗粒和结合剂颗粒。该复合烧结体包含45体积％以上80体积％以下的立方氮化硼颗粒。立方氮化硼颗粒的第一粒度分布曲线在0.1μm以上0.7μm以下的粒径范围内具有一个以上的峰。立方氮化硼颗粒的第二粒度分布曲线在2.0μm以上7.0μm以下的粒径范围内存在具有最大峰高的第一峰。在第二粒度分布曲线中，积分值比(Io/It×100)为1以上20以下，其中Io表示粒径为0.1μm以上0.7μm以下的范围内的积分值，并且It表示全部范围内的积分值。 | ||||||
| 13 | 表面被覆氮化硼烧结体工具 | CN201480031258.6 | 2014-06-05 | CN105263657A | 2016-01-20 | 月原望; 冈村克己; 濑户山诚 |
| 一种表面被覆氮化硼烧结体工具，其中至少切削刃部分包括立方氮化硼烧结体以及形成在所述立方氮化硼烧结体的表面上的覆膜。所述覆层包括A层和B层，A层由粒径为10nm以上400nm以下的柱状晶体构成，B层由粒径为5nm以上70nm以下的柱状晶体构成。B层通过交替地层叠两种或多种具有不同组成的化合物层而形成，各化合物层的厚度为0.5nm以上300nm以下。 | ||||||
| 14 | 表面被覆氮化硼烧结体工具 | CN201480019296.X | 2014-02-26 | CN105121076A | 2015-12-02 | 濑户山诚; 冈村克己; 月原望 |
| 本发明涉及一种表面被覆氮化硼烧结体工具，其中至少切削刃部分包括立方氮化硼烧结体和形成在所述立方氮化硼烧结体表面上的覆层(10)。覆层(10)中的B层(30)包括交替层叠的两种以上具有不同组成的化合物层的一层或多层。各化合物层(31,32)的厚度为0.5nm以上且小于30nm。 | ||||||
| 15 | 表面被覆氮化硼烧结体工具 | CN201480018940.1 | 2014-02-26 | CN105073312A | 2015-11-18 | 濑户山诚; 冈村克己; 月原望 |
| 本发明提供了一种表面被覆氮化硼烧结体工具，其中至少切削刃部分包括立方氮化硼烧结体和形成在所述立方氮化硼烧结体表面上的覆层(10)。覆层(10)的B层(30)包括交替层叠的至少两种类型的薄膜层(31,32)，其中该薄膜层(31,32)具有不同的组成。薄膜层中的一种类型的B1薄膜层(31)包括交替层叠的至少两种类型的具有不同组成的化合物层(31A,32B)。各化合物层(31A,32B)的厚度为至少0.5nm且小于30nm。薄膜层中不同于B1薄膜层(31)的B2薄膜层(32)的厚度为30nm以上且小于200nm。 | ||||||
| 16 | 碳化硅-碳化钽复合材料和基座 | CN201480007718.1 | 2014-01-28 | CN104968634A | 2015-10-07 | 篠原正人 |
| 本发明提供一种耐久性优异的碳化硅-碳化钽复合材料。碳化硅-碳化钽复合材料(1)具备：表层的至少一部分由第一碳化硅层(12)构成的主体(10)、碳化钽层(20)和第二碳化硅层(13)。碳化钽层(20)配置于第一碳化硅层(12)之上。第二碳化硅层(13)配置于碳化钽层(20)和第一碳化硅层(12)之间。第二碳化硅层(13)通过X射线光电子分光法测得的C/Si组成比为1.2以上。第二碳化硅层(13)通过拉曼分光法测得的碳的G带和D带的峰强度比G/D为1.0以上。 | ||||||
| 17 | 用于在高温下储存热能的复合材料 | CN201080027133.8 | 2010-06-15 | CN102803426B | 2015-08-12 | E·帕罗莫雷巴里诺; S·本黑密斯; D·莫兰德; F·诺埃尔; V·何康典; J-L·奥弗涅; Y·安古; C·普列托里奥斯; A·朱庇特略韦拉 |
| 本发明涉及一种用于在高温下储存热能的复合材料(225～488℃)，通过至少部分填充有LiOH/KOH的多孔碳结构体而形成，其中大量的热能会非常快速的储存或释放。该碳结构体的特征在于高的体积导热性、低密度、高的连通孔隙度、相对高的弹性模量。LiOH/KOH混合物的显著特性是：完全结晶/熔融中包含的大量的能量，熔融时相当低的相对体积膨胀，以及相当低的过冷度。所得复合材料的主要优点是：非常高的能量密度，相对低的体积膨胀，大幅增强的热传递，热适应性，稳定性以及可忽略的滞后现象。 | ||||||
| 18 | 由气相沉积涂覆法制备的憎水材料及其用途 | CN201410309141.1 | 2010-03-17 | CN104085141A | 2014-10-08 | 袁稽康; 董和 |
| 本发明提供了用气相沉积涂覆法制备憎水材料的方法，以及所制备的材料的用途。制备憎水材料的方法包括：提供一种天然矿物；提供一种硅酮基材料；加热所述硅酮基材料以释放所述硅酮基材料的蒸气分子；并使所述硅酮基材料的蒸气分子沉积以在所述天然矿物的表面形成硅酮基材料层。 | ||||||
| 19 | 纳米叠层涂覆的切削工具 | CN201080024204.9 | 2010-05-28 | CN102449195B | 2014-08-20 | 乔恩·安德森; 拉奇德·埃姆萨乌毕; 托米·拉尔森; 马茨·约翰松; 珀·阿尔姆 |
| 本发明涉及一种用于通过排屑加工的切削工具刀片，其包括或者作为固体刀片或者附着于支持体的多晶立方氮化硼压块(PCBN)的刀体，在其上沉积有硬质耐磨的物理气相沉积(PVD)涂层。所述涂层包括交替的A和B层的多晶纳米叠层结构，其中层A为(Ti、Al、Me1)N且Me1为元素周期表中的第3族、第4族、第5族或第6族金属元素的一种或多种，层B为(Ti、Si、Me2)N且Me2为包括Al的元素周期表中的第3族、第4族、第5族或第6族金属元素的一种或多种，并且厚度在0.5至10m之间。本发明的刀片尤其可用于产生高温的金属切削应用，例如钢、铸铁、超合金和硬化钢的高速加工。 | ||||||
| 20 | 光学构件及其制造方法 | CN201080015163.7 | 2010-03-23 | CN102378924B | 2014-08-20 | 桥口慎二; 平野一孝; 森彬 |
| 本发明提供一种能选择性地提高在各波长区域的透过性的由陶瓷形成的光学构件及其制造方法。本发明的光学构件，通过使至少含有氟原子的处理气体与由特定陶瓷形成的光学材料在对应于所述特定陶瓷的条件下接触，由此在所述光学材料的表面的至少一部分区域设置能提高特定波长区域的光的透射率的氟化膜。 | ||||||
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