| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 1 | 一种BN‑SiC复合颗粒及其制备方法 | CN201611007390.0 | 2016-11-16 | CN106631165A | 2017-05-10 | 郭巧琴; 李建平; 郭永春; 杨忠 |
| 本发明提供了一种BN‑SiC复合颗粒及其制备方法，本发明提供的BN‑SiC复合颗粒包括SiC颗粒和包覆在所述SiC颗粒外的BN镀层，其中BN镀层的厚度为0.5～20μm；本发明采用磁控溅射的方法在SiC表面沉积BN镀层，得到的BN镀层均匀，极大的提高了SiC颗粒与铝基体的润湿性。实验结果表明，BN包覆后的SiC颗粒与Al液的润湿角由未包覆前的105°减小到25～70°，润湿性大大提高。 | ||||||
| 2 | 一种通过化学气相渗透提高整体式氧化铝基陶瓷铸型高温强度的方法 | CN201610416722.4 | 2016-06-14 | CN106083205A | 2016-11-09 | 鲁中良; 陈义; 李涤尘; 苗恺 |
| 本发明公开了一种提高整体式氧化铝基陶瓷铸型高温强度的方法，属于基于光固化成型技术快速铸造领域。包括：1)用光固化快速成型技术制造树脂模具；2)通过凝胶注模法向涡轮叶片的树脂模具原型中浇注陶瓷浆料得到铸型坯体；3)真空冷冻干燥和脱脂处理后得到多孔的氧化铝基陶瓷铸型；4)将氧化铝基陶瓷铸型进行化学气相渗透，硅源前驱体热解反应后生成的SiO2与基体氧化铝发生化学反应生成高温强化相莫来石，热解反应生成的SiC对铸型孔隙结构填充，形成从铸型表层到芯部孔隙率逐渐升高的梯度功能材料，降低铸型的孔隙率从而提高铸型的高温强度。本发明设计合理，操作简便，经本发明处理的氧化铝基陶瓷铸型高温强度显著增强。 | ||||||
| 3 | 处理由氧化铝组成的装置的表面层的方法及相应的装置，特别是X射线管组件 | CN201380036645.4 | 2013-07-01 | CN104428272A | 2015-03-18 | C·里宾; C·马蒂尼 |
| 提出一种处理由氧化铝组成的装置(1)的表面层(3)的方法及其相应装置(1)。所述方法包括向所述装置(1)提供要进行暴露处理的表面层(3)，和在贫氧气氛中，将所述装置(1)的表面层(3)加热至高于1000℃、优选高于1700℃的温度持续优选大于2小时的持续时间，所述贫氧气氛包含例如惰性气体、氮气、氢气、氩气和它们的组合中的一种。由于上述处理，所述表面层(3)中包含的表层区域(7)可获得显著降低的电阻率，其被认为是化学还原该表层区域(7)的结果。上述降低的表面电阻率可有利地例如在电子束装置的组件如X射线管组件中用于防止任何电荷积累。 | ||||||
| 4 | 多孔质碳化硅基材的致密化方法 | CN201080045161.2 | 2010-10-07 | CN102686538A | 2012-09-19 | 青木; 良隆 |
| 提供一种机械强度优异的致密化碳化硅体。其是通过多孔质碳化硅基材的致密化方法而得，该方法包括：使含碳化硅粉末的硬化性硅酮组成物含浸于多孔质碳化硅基材，进行硬化后，在非氧化性气体环境下进行加热分解。可以简便地使多孔质碳化硅基材致密化并改质。 | ||||||
| 5 | 高热导率氮化硅电路衬底和使用它的半导体器件 | CN96121115.6 | 1996-09-27 | CN1149667C | 2004-05-12 | 角野裕康; 堀口昭宏; 加曾利光男; 上野文雄 |
| 本发明公开了一种高热导率氮化硅电路衬底，它包括25℃时热导率为60W/m.K以上的氮化硅陶瓷板，和通过中间层与氮化硅陶瓷板连接的金属电路板。中间层包含氧和选自由Ti、Zr、Hf、Nb和Al组成的组中的至少一种元素。及用该衬底的半导体器件。 | ||||||
| 6 | 碳化硅质材料热处理用夹具 | CN02108008.9 | 2002-03-22 | CN1376647A | 2002-10-30 | 木下寿治 |
| 本发明提供了一种热处理用夹具,可以控制夹具自体随时间变形及因弯曲使热处理中的玻璃基板的变形,在具有稳定性和适宜的刚性的同时,具有可在比较短时间内高效率地进行玻璃基板的均匀热处理的优良热传导性,改善了更大型玻璃基板的载置或卸出时的操作性。玻璃基板在进行热处理时,为载置该玻璃基板而使用的板状热处理用夹具。该夹具的主相由碳化硅构成,在其表面设置有凹凸形状,表面的算术平均粗糙度Ra为0.01－200m,凹凸的平均间隔Sm与Ra的比(Sm/Ra)为500以下。 | ||||||
| 7 | 采用阻挡层制备金属基底复合体的方法及其产品 | CN88108244 | 1988-12-02 | CN1030698C | 1996-01-17 | 迈克尔·凯弗克·阿格海杰宁; 特里·丹尼斯·克莱尔 |
| 一网状陶瓷增强的铝基底复合体制法如下，先做出一块可渗性陶瓷块材料，其确定的表面临界层具有阻挡层，再在含10%至100%左右氮气体积、其余为非氧化气体即氩气或氢气的气体中，将熔融铝镁合金与该可渗性陶瓷块材料接触。在常压下，熔融合金自发渗入陶瓷块直至达到阻挡层为止。合金固体可置于具有阻挡层的可渗性陶瓷材料基床附近，并加热至熔融态，最好是至少700℃左右，以便用自发渗透法形成网状铝基底复合体。除镁之外，辅助合金元素可与铝同用。生成的复合体可在铝基底中包含不连续的氮化铝相。 | ||||||
| 8 | 高性能低成本C/C‑SiC复合材料制动盘及其制备方法与应用 | CN201611049125.9 | 2016-11-21 | CN106966751A | 2017-07-21 | 罗瑞盈; 罗浩 |
| 本发明涉及一种高性能低成本C/C‑SiC复合材料制动盘及其制备方法与应用，制备方法包括：将制动盘预制体碳化，采用化学气相渗积法将碳化后的制动盘预制体致密化得到C/C复合材料；然后在惰性气氛中进行热处理，以提高复合材料的石墨化度；再进行机械加工，得到C/C复合材料坯体；利用熔融渗硅法处理C/C复合材料坯体，得到C/C‑SiC复合材料制动盘；再利用化学气相渗积法或先驱体浸渍裂解法对C/C‑SiC复合材料制动盘进行处理；将得到的产品机械加工成最终的设计尺寸，即得复合材料制动盘成品。本发明提供的C/C‑SiC复合材料制动盘及其制备方法，可以降低制备成本，提高制动盘的力学性能、导热性能和摩擦磨损性能。 | ||||||
| 9 | 碳材料、夹具及碳材料的制造方法 | CN201180051592.4 | 2011-07-15 | CN103180270B | 2015-11-25 | 濑谷薰; 松永纮明; 武田章义 |
| 本发明的目的在于提供能够抑制起尘、且提高在氮气氛下的温度耐性的碳材料、夹具及碳材料的制造方法。其是在碳基材表面形成有碳化金属层的碳材料，其中，上述碳化金属层含有碳化钼或碳化铁。其特征在于，将埋入于含有钼粒子或铁粒子、和热分解性卤化氢发生剂的表面改性剂中的碳基材，与该碳基材以外的碳构件一起进行加热处理。 | ||||||
| 10 | 碳材料的制造方法和碳材料 | CN200980145499.2 | 2009-12-02 | CN102216241B | 2014-09-10 | 武田章义 |
| 本发明提供一种表面改性的碳材料的制造方法和表面改性的碳材料，该方法能够简便且密合性良好地在表面形成金属等的层。该方法的特征在于，将埋入表面改性剂中的碳基材与除该碳基材以外的碳构件一起进行加热处理，所述表面改性剂含有包含过渡金属的金属颗粒和热分解性卤化氢产生剂。具体地说，在含有不锈钢等包含过渡金属的金属颗粒、和氯化铵等热分解性卤化氢产生剂的粉体(3)中埋入碳基材(2)，与石墨坩埚(6)那样的除该碳基材以外的碳构件一起进行加热处理。 | ||||||
| 11 | 碳化硅质材料热处理用夹具 | CN02108008.9 | 2002-03-22 | CN1189425C | 2005-02-16 | 木下寿治 |
| 本发明提供了一种热处理用夹具，可以控制夹具自体随时间变形及因弯曲使热处理中的玻璃基板的变形，在具有稳定性和适宜的刚性的同时，具有可在比较短时间内高效率地进行玻璃基板的均匀热处理的优良热传导性，改善了更大型玻璃基板的载置或卸出时的操作性。玻璃基板在进行热处理时，为载置该玻璃基板而使用的板状热处理用夹具。该夹具的主相由碳化硅构成，在其表面设置有凹凸形状，表面的算术平均粗糙度Ra为0.01-200m，凹凸的平均间隔Sm与Ra的比(Sm/Ra)为500以下。 | ||||||
| 12 | 高热导率氮化硅电路衬底和使用它的半导体器件 | CN96121115.6 | 1996-09-27 | CN1151612A | 1997-06-11 | 角野裕康; 堀口昭宏; 加曾利光男; 上野文雄 |
| 本发明公开了一种高热导率氮化硅电路衬底，它包括25℃时热导率为60W/m.K以上的氮化硅陶瓷板，和通过中间层与氮化硅陶瓷板连接的金属电路板。中间层包含氧和选自由Ti、Zr、Hf、Nb和Al组成的组中的至少一种元素，及用该衬底的半导体器件。 | ||||||
| 13 | 用可光聚合糊状物烧结陶瓷厚膜电路的方法及由此得到的产品 | CN91109870.4 | 1991-09-24 | CN1062445A | 1992-07-01 | S·S·坦汉卡; M·J·基施纳; M·马尔齐; R·J·沃尔夫 |
| 一种陶瓷制品的热处理方法，该制品上具有导电糊剂的导电金属图，该糊剂含有可光成象的粘结剂，该方法包括在促使初始粘结剂烧尽的条件下加热，然后烧结该导体组合物以生成最终的陶瓷制品。本发明特征在于至少在烧结步骤，最好同时在粘结剂烧尽步骤和烧结步骤的气体气氛中存在约0.25—2％(体积)含量的水分。还可选择性地含有至多约10ppm，最好约2—3ppmH2，在另一个实施方案中，主要气体为N2。用该气氛热处理的导电陶瓷制品同时具有多种改进的性能，包括合格的金属图粘结性及其与陶瓷衬底的粘结性，还具有改进的导电性和介电性能。 | ||||||
| 14 | 一种自由且非平面生长的陶瓷基二氧化钒纳米棒结构的制备方法 | CN201610557204.4 | 2016-07-15 | CN106187318A | 2016-12-07 | 梁继然; 李文姣; 刘俊锋; 杨然; 朱奎龙 |
| 本发明公开了一种自由且非平面生长的陶瓷基二氧化钒纳米棒结构的制备方法，包括以下步骤：陶瓷基片的清洗；称量V2O5粉末；单一气相传输沉积法制备陶瓷基二氧化钒纳米棒的步骤。本发明提供了一种操作简便，可低成本制备陶瓷基二氧化钒纳米棒的方法，单一气相传输法所需控制的工艺条件少，且对环境无污染。并且，所沉积的陶瓷基二氧化钒纳米棒结构具有较大比表面积和气体扩散通道，更有利于气体的吸附和扩散。结果表明，本发明所制备的陶瓷基二氧化钒纳米棒结构将在降低甲烷气敏传感器工作温度，提高甲烷气敏传感器灵敏度方面提供很大的研究空间。 | ||||||
| 15 | 一种炭/炭复合材料耐烧蚀涂层及其制备工艺 | CN201510793445.4 | 2015-11-18 | CN105461357A | 2016-04-06 | 周哲; 易茂中; 葛毅成; 汪沅; 龚洁明; 吴皇; 冉丽萍 |
| 本发明公开了一种炭/炭复合材料耐烧蚀涂层及其制备工艺，炭/炭复合材料耐烧蚀涂层包括SiC过渡层及钨喷涂层，SiC过渡涂层覆盖在基体的表层，钨喷涂层喷覆在SiC过渡涂层；其中，上述SiC过渡涂层包括以下质量比组成成分：70-80%Si粉、10-20%C粉、5-15%Al2O3粉；炭/炭复合材料耐烧蚀涂层的制备工艺，包括以下工艺步骤：基体表面处理；SiC过渡涂层的制备；钨粉料的筛选；钨涂层/SiC/炭/炭复合材料的制备；钨涂层/SiC/炭/炭复合材料涂层应力缓解；采用氧乙炔焰烧蚀仪进行涂层的烧蚀性能测试。本发明使炭/炭复合材料在2800℃左右氧乙炔焰烧蚀从10s提高到120s且涂层不脱落。 | ||||||
| 16 | 经碳化硅被覆的碳材料的制造方法 | CN201080045170.1 | 2010-10-07 | CN102574747B | 2014-10-15 | 青木良隆 |
| 提供一种经碳化硅被覆的碳材料的制造方法，其将通过对非熔融性固体状硅酮加热而得的非晶质无机陶瓷物质与碳基材在非氧化性气体环境下进行加热，从而在碳基材上形成碳化硅被膜。本发明可以获得耐热性优异、具有均匀的碳化硅被覆的经碳化硅被覆的碳材料。 | ||||||
| 17 | 碳材料、夹具及碳材料的制造方法 | CN201180051592.4 | 2011-07-15 | CN103180270A | 2013-06-26 | 濑谷薰; 松永纮明; 武田章义 |
| 本发明的目的在于提供能够抑制起尘、且提高在氮气氛下的温度耐性的碳材料、夹具及碳材料的制造方法。其是在碳基材表面形成有碳化金属层的碳材料，其中，上述碳化金属层含有碳化钼或碳化铁。其特征在于，将埋入于含有钼粒子或铁粒子、和热分解性卤化氢发生剂的表面改性剂中的碳基材，与该碳基材以外的碳构件一起进行加热处理。 | ||||||
| 18 | 经碳化硅被覆的碳材料的制造方法 | CN201080045170.1 | 2010-10-07 | CN102574747A | 2012-07-11 | 青木; 良隆 |
| 提供一种经碳化硅被覆的碳材料的制造方法，其将通过对非熔融性固体状硅酮加热而得的非晶质无机陶瓷物质与碳基材在非氧化性气体环境下进行加热，从而在碳基材上形成碳化硅被膜。本发明可以获得耐热性优异、具有均匀的碳化硅被覆的经碳化硅被覆的碳材料。 | ||||||
| 19 | 碳材料的制造方法和碳材料 | CN200980145499.2 | 2009-12-02 | CN102216241A | 2011-10-12 | 武田章义 |
| 本发明提供一种表面改性的碳材料的制造方法和表面改性的碳材料，该方法能够简便且密合性良好地在表面形成金属等的层。该方法的特征在于，将埋入表面改性剂中的碳基材与除该碳基材以外的碳构件一起进行加热处理，所述表面改性剂含有包含过渡金属的金属颗粒和热分解性卤化氢产生剂。具体地说，在含有不锈钢等包含过渡金属的金属颗粒、和氯化铵等热分解性卤化氢产生剂的粉体(3)中埋入碳基材(2)，与石墨坩埚(6)那样的除该碳基材以外的碳构件一起进行加热处理。 | ||||||
| 20 | 制备具有控制的孔隙度和分级性的自支撑体的方法及其制得的产品 | CN90100132.5 | 1990-01-11 | CN1044800A | 1990-08-22 | 苔利·戴尼斯·克拉尔; 威廉姆·拜亚德·乔森 |
| 公开了制备自支撑体的新方法及其制备的新产品。具体地说，公开了制备含一种或多种含硼化合物(如硼化物或硼化物和碳化物)的自支撑体的方法，在一个方案中，体母体金属粉熔融母体金属与含碳化硼材料的床层或含碳化硼体以及选择地一种或多种惰性填料反应，在另一方案中，母体金属粉和熔融母体金属体均与含硼化硼床层或含碳化硼体以及选择地一种或多种惰性填料反应。 | ||||||
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