| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 1 | 一种菱形Fe2O3纳米材料及其制备方法 | CN201710549304.7 | 2017-07-07 | CN107265514A | 2017-10-20 | 李鹿; 王春刚; 苏忠民; 谢海明 |
| 本发明提供了一种菱形Fe2O3纳米材料及其制备方法，包括如下步骤：将无水三氯化铁80~100 mg和阳离子表面活性剂10~15 mg溶解于水10~15mL中，搅拌，使其充分溶解成透明溶液；转入15mL的反应釜中，在130~150℃的条件下反应18~24h，取出，自然冷却；洗涤，50~100℃烘箱干燥30~48 h，即得菱形Fe2O3纳米材料；使用该方法制备的菱形Fe2O3纳米材料具有分散性好、比容量大、循环性能好、使用寿命长等特点；采用一步法，以阳离子表面活性剂(CTAB)为模板，在水热条件下一步合成菱形Fe2O3纳米材料，得到的菱形Fe2O3纳米材料粒径均匀，分散性好，结构稳定。 | ||||||
| 2 | 单斜相钒酸铋形貌结构转变的调控方法 | CN201710609633.6 | 2017-07-25 | CN107215896A | 2017-09-29 | 王舰; 杨状; 高星星; 姜效军; 赵通林 |
| 本发明的目的是为了寻找简单的方法制备更高性能的钒酸铋光催化剂，提供了一种单斜相钒酸铋形貌结构转变的调控方法，属于光催化材料制备技术领域。该方法将硝酸铋的乙二醇溶液和偏钒酸钠水溶液混合，加入适量十二胺，搅拌后，用氨水调节溶液的pH，得到前驱体溶液；将前驱体溶液水热反应，得到产物钒酸铋；将反应产物钒酸铋清洗、干燥，即得到单斜相钒酸铋。本发明的方法采用简单的一步水热法，通过调控前驱体溶液的pH值，制备出多种具有不同形貌结构且不同光催化活性的钒酸铋。 | ||||||
| 3 | 一种水热制备金字塔形KNbO3纳米结构的方法 | CN201510961744.4 | 2015-12-20 | CN105502498A | 2016-04-20 | 刘立英; 张化振; 朱满康; 侯育冬; 王如志; 严辉; 隋曼龄 |
| 一种水热制备金字塔形KNbO3纳米结构的方法属于新型功能纳米材料的制备技术领域。本发明步骤：将五氧化二铌粉体在研钵里充分研磨成细的粉末，配置不同浓度的KOH溶液；将配好的氢氧化钾溶液加至反应釜中，在150-180℃温度下反应70h；反应结束后，以10℃/h的速率降至室温，使反应产物由于密度不同发生相分离；最终经过离心、洗涤，直到上层清液的pH值达到7；干燥，得到纯净、标准的“金字塔”结构的KNbO3纳米粉体，同时研究了其生长机制，并分析了其应用优势。本发明在低温非平衡条件下，采用廉价原料，以高纯水作溶剂，使用一步水热法通过对工艺参数的调控，首次制备了“金字塔”形的KNbO3纳米结构。 | ||||||
| 4 | 氧化铝颗粒以及包含该氧化铝颗粒的抛光组合物 | CN200980130486.8 | 2009-06-12 | CN102105266B | 2016-01-13 | 森永均; 田原宗明; 松波靖 |
| 本发明提供包含一次颗粒的氧化铝颗粒，其一次颗粒每个具有六面体形状及1至5的纵横比。所述氧化铝颗粒优选地具有0.01至0.6μm的平均一次粒径。所述氧化铝颗粒优选地具有5％至70％的α-转化率。此外，所述氧化铝颗粒优选地具有0.01至2μm的平均二次粒径，并且氧化铝颗粒的90％粒径除以氧化铝颗粒的10％粒径所得值优选等于或小于3。所述氧化铝颗粒可用作，例如，对半导体器件基板、硬盘基片、或显示器基板进行抛光的用途中的磨粒。 | ||||||
| 5 | 正极活性物质、正极材料、正极及非水电解质二次电池 | CN201480011226.X | 2014-02-27 | CN105009334A | 2015-10-28 | 平井珠生; 加世田学; 岛村修; 小原健児; 萩山康介; 川村文洋; 青柳成则 |
| [课题]提供一种在非水电解质二次电池中能够抑制长期使用时的容量下降、提高循环特性的手段。[解决手段]一种非水电解质二次电池用正极活性物质，其为锂-镍-锰-钴复合氧化物、真密度为4.40～4.80g/cm3。 | ||||||
| 6 | 一次粒子的对顶角大小被调整的锂锰复合氧化物及其制备方法 | CN201280072542.9 | 2012-11-28 | CN104285321A | 2015-01-14 | 闵盛焕; 李民英; 高炯信; 李宰安 |
| 本发明涉及一种一次粒子的面角大小被调整的锂锰复合氧化物及其制备方法。本发明的一次粒子的对顶角大小被调整的锂锰复合氧化物及其制备方法，圆滑地调整锂锰复合氧化物中构成凸多面体状一次粒子的多面体的对顶角大小，从而在电池制备时通过压延形成极板的过程中不会使极板表面产生凹凸，因此具有最终改善电池特性的效果。 | ||||||
| 7 | 勃姆石粒子的制造方法以及氧化铝粒子的制造方法 | CN200910168548.6 | 2009-08-18 | CN101654269B | 2014-04-16 | 森永均; 田原宗明; 芦高圭史 |
| 本发明提供适合制造氧化铝粒子的氧化铝粒子的制造方法，该氧化铝粒子可适合用作以下用途中的磨粒，即为了得到平滑度高且缺陷低的研磨面而对研磨对象物进行研磨的用途；本发明还提供适合制造勃姆石粒子的勃姆石粒子的制造方法，该勃姆石粒子可用作上述氧化铝粒子的原料。本发明的勃姆石粒子的制造方法中，通过将氢氧化铝粉末与成核剂一起供于水热反应，可以制造一次粒子形状为六面体、平均一次粒径为0.6μm以下的勃姆石粒子。本发明的氧化铝粒子的制造方法包括：对通过上述方法得到的勃姆石粒子进行干燥的工序；对干燥后的勃姆石粒子进行煅烧而得到氧化铝粒子的工序；对所得的氧化铝粒子进行粉碎的工序。 | ||||||
| 8 | 制造多边形薄片的衬底和方法 | CN201010528271.6 | 2010-11-02 | CN102051086A | 2011-05-11 | 阿尔博特·阿革帝亚; 凡拉帝米尔·P·瑞克沙; 科尼利斯·简·德尔斯特 |
| 本发明涉及一种形成颜料薄片的方法，所述方法包括：使用具有多个区域的沉积衬底；区域中的一些升起或降低，以便在每两个相邻的区域之间有水平差异。沉积在该衬底上的涂层在与衬底分离时沿着区域边界破裂。在一个实施例中，衬底包括第一和第二区域，其中第一区域中的每个与第二区域中的至少一个处于邻接关系。所有的第一区域在第一水平，而所有的第二区域在第二水平，且第一和第二水平之间的差异大于预定值。第一和第二区域优选地是用于制造几乎没有碎片的方形薄片的方形区域。 | ||||||
| 9 | 晶体氧化铈及其制备方法 | CN201180023381.X | 2011-03-09 | CN102884002B | 2015-05-06 | 崔相洵; 曹升范; 河贤哲; 郭益淳; 赵俊衍 |
| 本发明涉及以一种简单、经济、和有效率的方式制备的晶体氧化铈，其晶体结构、形状，和尺寸可以被轻松地调节且其展示出优异的抛光性能，以及涉及它的制备方法。该晶体氧化铈可以被制备为亚微米级晶体氧化铈，其具有在预定范围内的平均体积直径和直径标准偏差。 | ||||||
| 10 | 制造多边形薄片的衬底和方法 | CN201010528271.6 | 2010-11-02 | CN102051086B | 2014-12-31 | 阿尔博特·阿革帝亚; 凡拉帝米尔·P·瑞克沙; 科尼利斯·简·德尔斯特 |
| 本发明涉及一种形成颜料薄片的方法，所述方法包括：使用具有多个区域的沉积衬底；区域中的一些升起或降低，以便在每两个相邻的区域之间有水平差异。沉积在该衬底上的涂层在与衬底分离时沿着区域边界破裂。在一个实施例中，衬底包括第一和第二区域，其中第一区域中的每个与第二区域中的至少一个处于邻接关系。所有的第一区域在第一水平，而所有的第二区域在第二水平，且第一和第二水平之间的差异大于预定值。第一和第二区域优选地是用于制造几乎没有碎片的方形薄片的方形区域。 | ||||||
| 11 | 氧化铝颗粒以及包含该氧化铝颗粒的抛光组合物 | CN200980130486.8 | 2009-06-12 | CN102105266A | 2011-06-22 | 森永均; 田原宗明; 松波靖 |
| 本发明提供包含一次颗粒的氧化铝颗粒，其一次颗粒每个具有六面体形状及1至5的纵横比。所述氧化铝颗粒优选地具有0.01至0.6μm的平均一次粒径。所述氧化铝颗粒优选地具有5％至70％的α-转化率。此外，所述氧化铝颗粒优选地具有0.01至2μm的平均二次粒径，并且氧化铝颗粒的90％粒径除以氧化铝颗粒的10％粒径所得值优选等于或小于3。所述氧化铝颗粒可用作，例如，对半导体器件基板、硬盘基片、或显示器基板进行抛光的用途中的磨粒。 | ||||||
| 12 | 勃姆石粒子的制造方法以及氧化铝粒子的制造方法 | CN200910168548.6 | 2009-08-18 | CN101654269A | 2010-02-24 | 森永均; 田原宗明; 芦高圭史 |
| 本发明提供适合制造氧化铝粒子的氧化铝粒子的制造方法，该氧化铝粒子可适合用作以下用途中的磨粒，即为了得到平滑度高且缺陷低的研磨面而对研磨对象物进行研磨的用途；本发明还提供适合制造勃姆石粒子的勃姆石粒子的制造方法，该勃姆石粒子可用作上述氧化铝粒子的原料。本发明的勃姆石粒子的制造方法中，通过将氢氧化铝粉末与成核剂一起供于水热反应，可以制造一次粒子形状为六面体、平均一次粒径为0.6μm以下的勃姆石粒子。本发明的氧化铝粒子的制造方法包括：对通过上述方法得到的勃姆石粒子进行干燥的工序；对干燥后的勃姆石粒子进行煅烧而得到氧化铝粒子的工序；对所得的氧化铝粒子进行粉碎的工序。 | ||||||
| 13 | 表面有多层膜的粉末及其制备方法 | CN96193690.8 | 1996-03-13 | CN1102084C | 2003-02-26 | 新子贵史; 中冢胜人 |
| 获得一种表面上具有金属氧化物膜的粉末，其中该膜具有提高的折射率因此它呈现高反射率并具有亮色。所得粉末的表面上的金属氧化膜数目减少所以具有小粒径。在表面上具有多层膜的粉末包含在其表面上具有多层膜的基质颗粒。该膜包含至少一种由水解金属醇盐形成的金属氧化物膜，并且其中的多层膜经过热处理。生产任一上述粉末的方法包括把基质颗粒分散到金属醇盐的溶液中，水解所述金属醇盐以获得金属氧化物并在基质颗粒的表面上沉积金属氧化物膜，将前述步骤进行两次或更多次以形成多层膜，并在至少最终步骤中完成热处理。多层膜可经调节以便具有组成材料的适当组合和适当的膜厚度以改变多层膜的干扰色并由此使粉末具有亮色。 | ||||||
| 14 | 沉淀二氧化硅的新制备方法、新型含铝沉淀二氧化硅及其补强高弹体的用途 | CN96190426.7 | 1996-03-28 | CN1152295A | 1997-06-18 | Y·保马尔; Y·彻瓦利尔; P·库彻特 |
| 制备具有良好的分散性和非常令人满意的补强特性的沉淀二氧化硅的新方法。以粉末、实际上球形珠粒或颗粒形式存在的新型沉淀二氧化硅，其特征在于它具有：—CTAB比表面，140～200m2/g，—BFT比表面，140—200m2/g，—DOP油保留量低于300ml/100g，—超声崩解后的平均直径小于3μm，—超声崩解因子(FD)高于10ml，—铝含量至少为0.35％(重)，该二氧化硅作为高弹体补强填料的用途。 | ||||||
| 15 | 沉淀二氧化硅新制备方法，新沉淀二氧化硅及其在弹性体增强过程中的应用 | CN92105154.9 | 1992-06-26 | CN1069244A | 1993-02-24 | Y·谢弗利尔; M·拉伯瑞 |
| 本发明提出改进分散性和增强性的沉淀二氧化硅新制法，以及粒状，粉状或基本上球粒状二氧化硅，其特征是BET和CTAB比表面均为140—200m2/g，175—275A孔径孔体积占400A或以下孔体积的比例，粉和球粒情况下至少50％，颗粒情况下至少60％，另外颗粒磨损量低于20％，粉吸油能力DOP180—350ml/100g，球粒平均粒径至少80μm，还涉及该二氧化硅作弹性体增强调料的应用。 | ||||||
| 16 | 三氧化二锰纳米结构的调控方法及三氧化二锰粉体 | CN201610383986.4 | 2016-06-01 | CN105858732A | 2016-08-17 | 张祺; 敬东; 陈东; 范桂娟; 周小清; 徐容; 郝世龙; 杨宗伟; 李洪珍 |
| 本发明公开了一种三氧化二锰纳米结构的调控方法及三氧化二锰粉体，该方法包括以下步骤：将[Mn(BTO)(H2O)2]n粉末铺散在长方形氧化铝坩埚中，将坩埚推入管式炉内，在保护气体下持续吹扫10～25min；以5～30℃/min的升温速率升温至300～600℃并在该温度下保温1～5h，加热和保温过程中都在保护气体保护下进行；煅烧完成后，以5～30℃/min的降温速率冷却至室温，冷却过程中在保护气体保护下进行，即可获得不同纳米结构的三氧化二锰粉末。本方法通过气氛调控获得不同纳米结构的三氧化二锰粉末，制备方法简单，环保经济，有利于大规模制备三氧化二锰不同形貌颗粒。 | ||||||
| 17 | 一种大量制备分等级多孔钴酸镍纳米空心盒的方法 | CN201510828004.3 | 2015-11-24 | CN105460982A | 2016-04-06 | 林展; 刘培杨; 高学会; 李高然; 许阳阳; 李全国 |
| 本发明提供一种大量制备分等级多孔钴酸镍纳米空心盒的方法，步骤如下：(1)将硝酸镍和硝酸钴加入到聚乙二醇中充分溶解，向其中加入无水乙酸钠使之完全溶解；(2)将得到的混合溶液在反应釜中恒温反应一定时间，洗涤，烘干，得到钴酸镍纳米空心盒的前驱体；(3)将前驱体在空气中经350-400℃恒温热处理后，得到钴酸镍纳米空心盒。本发明的钴酸镍纳米空心盒是由多孔纳米线为基元组装而成，其长度约为15μm；在充放电测试中，比容量最大，在2400F/g左右，最小时仍大于1500F/g。当电流密度为5A/g时，经过4000次充放电测试后，比容量略有下降，稳定性能很好，可以用作超级电容器电极。 | ||||||
| 18 | 斜方三氧化二锑的制备方法 | CN201310444555.0 | 2013-09-27 | CN104512926A | 2015-04-15 | 李继升 |
| 本发明公开了一种斜方三氧化二锑的制备方法，包括以下步骤：一、按比例取三氯化锑、氢氧化钠溶液和三乙醇胺，三氯化锑溶于无水乙醇，备用；二、将氢氧化钠溶液和三乙醇胺加入乙醇液中，然后在搅拌下滴入三氯化锑的无水乙醇溶液；三、反应完成后，放置沉淀，倾出上层清液，即得氢氧化锑-三乙醇胺前驱体，然后将此前驱体在搅拌下滴入去离子水中；四、调温至60℃，陈化，离心分离，干燥，即得斜方三氧化二锑纳米晶粉体。本发明提供的斜方三氧化二锑的制备方法，原料便宜，杂质易除去，得到的产品粒子为球形，粒子分布均匀，晶化完整，更有利于在塑料、涂料中的分散和在纤维上的附着。 | ||||||
| 19 | 一种供连续钙离子提取和沉淀碳酸钙生产的回收方法 | CN201280065956.9 | 2012-12-21 | CN104114721A | 2014-10-22 | 弗兰克·A·卡巴茨 |
| 一种从工业废料中矿化钙的方法，包括：从富含钙的颗粒化粒子和硝酸铵水溶液组成的悬浮液中提取钙离子，形成富含钙的第一部分和沉重的第二部分。将所述沉重的第二部分与所述第一部分分离，然后富含钙的第一部分由含有二氧化碳的气体碳酸化，从而形成沉淀碳酸钙和硝酸铵水溶液的悬浮液。该沉淀通过离心装置从硝酸铵水溶液中分离出来，而分离出的沉重的第二部分含有高重量百分比的铁。 | ||||||
| 20 | 晶体氧化铈及其制备方法 | CN201180023381.X | 2011-03-09 | CN102884002A | 2013-01-16 | 崔相洵; 曹升范; 河贤哲; 郭益淳; 赵俊衍 |
| 本发明涉及以一种简单、经济、和有效率的方式制备的晶体氧化铈，其晶体结构、形状，和尺寸可以被轻松地调节且其展示出优异的抛光性能，以及涉及它的制备方法。该晶体氧化铈可以被制备为亚微米级晶体氧化铈，其具有在预定范围内的平均体积直径和直径标准偏差。 | ||||||
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