| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 61 | マルチバンドのための高直線性を有する低雑音増幅器 | JP2015209508 | 2015-10-26 | JP2017011669A | 2017-01-12 | ゴ ドンヒョン; ファン ミョンウン |
| 【課題】本発明は、マルチバンドのための高直線性の特性を有する低雑音増幅器を開示する。 【解決手段】本発明の実施例は低雑音増幅器(LNA)にバラン機能とミキサーの前置増幅器機能を具現して、低雑音増幅器(LNA)とミキサーの間の直線性を低下する要素を最小化させる低雑音増幅器(LNA)を提供する。 【選択図】図3d |
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| 62 | マルチ状態スイッチモード電力増幅器システムおよびそれらの動作方法 | JP2014234232 | 2014-11-19 | JP2015109646A | 2015-06-11 | ジョセフ シュタウディンガー; デイモン ジー ホームズ; ジャン−クリストフ ナナン; ユーグ ボラトン |
| 【課題】効率が相対的に高い増幅器は、線形性、歪み、帯域幅などに関して相対的に性能が劣る場合がある。効率および性能の両方を最適化した増幅器が必要とされる。 【解決手段】N個のSMPAブランチを備え、SMPAブランチは、駆動信号入力部と、SMPAブランチ出力部とを含み、駆動信号入力部において駆動信号を受信することに応答して、SMPAブランチは、SMPAブランチ出力部において、SMPAブランチ出力信号を生成するように構成されており、駆動信号入力部において駆動信号の異なる組合せを受信することに応答して、SMPAブランチは、SMPAブランチ出力部において、異なる電圧レベルのSMPAブランチ出力信号を生成するように構成されている増幅器、を提供する。 【選択図】図1 |
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| 63 | マルチ状態スイッチモード電力増幅器システムおよびその動作方法 | JP2014217007 | 2014-10-24 | JP2015109640A | 2015-06-11 | ジャン−クリストフ ナナン; ジャン−ジャック ブニー; セドリック カッサン; ジョセフ シュタウディンガー; ユーグ ボラトン |
| 【課題】効率および性能の両方を最適化した増幅器を提供する。 【解決手段】N個のブランチを備え、Nは1よりも大きく、各ブランチは、増幅器が合計2×N個の駆動信号入力部を有するための2つの駆動信号入力部と、増幅器が合計N個のブランチ出力部を有するための1つのブランチ出力部とを含み、2つの駆動信号入力部において受信される駆動信号の第1の組合せに応じて、各ブランチは出力部において、第1の電圧レベルのブランチ出力信号を生成するように構成されている。2つの駆動信号入力部において駆動信号の第1と異なる第2の組合せの受信に応じて、各ブランチは、出力部において、第1と異なる第2の電圧レベルのブランチ出力信号を生成するように構成されている。 【選択図】図1 |
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| 64 | 無線周波数信号を増幅する装置及び方法 | JP2014559321 | 2013-02-20 | JP2015509783A | 2015-04-02 | ゼン，ケチウ; リウ，ヨン; ワン，タオ |
| 本発明は、無線周波数信号を増幅する装置及び方法、並びに該装置を有するMRIシステムを提供する。本発明の一態様は、無線周波数(RF)信号を増幅する装置であって、不平衡形式の前記RF信号を平衡信号に変換する磁気不感入力バラン(10)と、各グループが少なくとも1つのMOSFET(30、40)を含み、それぞれ前記平衡信号をプッシュプル方式で増幅する少なくとも2つのMOSFETグループと、前記増幅された平衡信号を不平衡形式に変換する磁気不感出力バラン(60)と、前記少なくとも2つのMOSFETグループの入力インピーダンスを前記磁気不感入力バラン(10)の出力インピーダンスと整合する磁気不感入力整合ネットワーク(20、20’)と、前記少なくとも2つのMOSFETグループの出力インピーダンスを前記磁気不感出力バラン(60)の入力インピーダンスと整合する磁気不感出力整合ネットワーク(50、50’)と、前記少なくとも2つのMOSFETグループを駆動する直流(DC)を供給するDC電源を前記増幅された平衡信号から保護する磁気不感保護回路(70、70’)と、を有する装置を提案する。提案の装置は、高電力出力を有するだけでなく、磁気の影響を受けない。したがって、当該装置は、MRIスキャナ室のような強力な磁界の環境内でも動作できる。 | ||||||
| 65 | フィードフォワード増幅器、フィードバック増幅器および広帯域増幅器 | JP2013522351 | 2011-06-27 | JPWO2013001561A1 | 2015-02-23 | 山内 和久; 和久 山内; 一二三 能登; 正敏 中山; 晴康 千田; 浩行 圷; 政毅 半谷 |
| 主増幅器または誤差増幅器にプッシュプル増幅器を用いたフィードフォワード増幅器において、プッシュプル増幅器は、磁性体を有するバランを備えたものである。 | ||||||
| 66 | Feed-forward amplifier, feedback amplifier and a wideband amplifier | JP2013522351 | 2011-06-27 | JP5528626B2 | 2014-06-25 | 和久 山内; 一二三 能登; 正敏 中山; 晴康 千田; 浩行 圷; 政毅 半谷 |
| 67 | High-frequency power amplifier | JP2010549484 | 2010-02-03 | JP5516425B2 | 2014-06-11 | 彰男 分島 |
| 68 | 電子部品 | JP2012545747 | 2011-11-21 | JPWO2012070540A1 | 2014-05-19 | 裕崇 佐竹 |
| 導体パターンが形成された複数の絶縁体層を有する積層体と、前記積層体の上面の実装電極に搭載されに増幅器用半導体素子とを具備し、前記積層体の上面に近い絶縁体層に第一のグランド電極が形成されており、前記積層体の下面に近い絶縁体層に第二のグランド電極が形成されており、前記第一のグランド電極は前記実装電極に複数のビアホールで接続されており、前記第一のグランド電極と前記第二のグランド電極との間で前記増幅器用半導体素子の下方の領域に、第一の回路ブロックを構成する導体パターンが配置されており、前記第一の回路ブロックと前記増幅器用半導体素子との接続線路用の導体パターンの少なくとも一部が前記実装電極と前記第一のグランド電極とに挟まれた絶縁体層に配置されている電子部品。 | ||||||
| 69 | Impedance matching circuit for the multiple-output power-driven co2 gas discharge laser | JP2013532824 | 2011-09-22 | JP2013539330A | 2013-10-17 | フレデリック ダブリュー． ハウアー，; ジョエル フォンタネラ，; パトリック ティー． トレイシー， |
| Electrical apparatus for connecting a radio frequency power-supply having two outputs to a load includes two radio frequency transmission-lines, each one connected to a corresponding power-supply output. A transformer arrangement connects the two transmission-lines to the load. Each transmission-line includes a series-connected pair of twelfth-wave transmission-line sections. The series-connection between the twelfth wave transmission-line sections in one transmission line is connected to the series-connection between the twelfth-wave transmission-line sections in the other by a device having an adjustable impedance. | ||||||
| 70 | Low noise amplifier | JP2008219441 | 2008-08-28 | JP5109874B2 | 2012-12-26 | 耕一郎 山口 |
| 71 | 高調波注入プッシュプル増幅器 | JP2009516439 | 2008-09-16 | JPWO2010032283A1 | 2012-02-02 | 高木 直; 直 高木; 亀田 卓; 卓 亀田; 坪内 和夫; 和夫 坪内; 琢二 園田; 敏一 尾形 |
| 高調波注入プッシュプル増幅器に関し、平衡/不平衡変換回路3,4と、その平衡/不平衡変換回路3,4と接続され互いに逆相動作する2つの単位増幅器1,2とを有し、基本信号が入力されるプッシュプル増幅回路5において、2つの単位増幅器1,2のそれぞれに入力側から基本信号の奇数次高調波歪信号を含む高調波歪信号を入力する高調波歪信号発生回路を備え、基本信号と共に奇数次高調波歪信号を入力することにより低歪化を図るようにしたものである。 | ||||||
| 72 | High frequency power amplifier and high frequency power amplifier module | JP2005223902 | 2005-08-02 | JP2006129444A | 2006-05-18 | TAGAMI TOMONORI; ONISHI MASAMI; MATSUMOTO HIDETOSHI; KURIYAMA SATORU |
| PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a high frequency power amplifier with a low noise, highly stable and excellent control characteristic in comparison with those of conventional power amplifiers. SOLUTION: A differential amplifier comprising transistors Q1, Q2 is employed for the first stage of the power amplifier, a balanced-unbalanced conversion and inter-stage adjustment circuit comprising passive elements of capacitors Cp1, Cp2, Ct1, Ct2 and inductors Lp1, Lp2 are provided between the first stage and the second stage, and an unbalanced single end circuit is employed for the second stage. An emitter coupled type is adopted for the configuration of the differential amplifier and the output of the first stage amplifier is controlled by varying a current of a current source for determining its emitter current. COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI | ||||||
| 73 | Semiconductor integrated circuit device for communication and electronic component equipped with the same | JP2003421726 | 2003-12-19 | JP2005184409A | 2005-07-07 | MATSUI HIROAKI; YAMAWAKI DAIZO; ITO MASAHIRO; YOKOTA MASAKATSU |
| PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a downsized semiconductor integrated circuit device (high frequency IC) for communication with a function of applying differential-single conversion to a transmission signal while suppressing deterioration in harmonic suppression characteristics and outputting the result and to provide an electronic component (high frequency module) mounted with the semiconductor integrated circuit device. SOLUTION: In the semiconductor integrated circuit device (high frequency IC) provided with a limiter for amplifying the transmission signal subjected to modulation and up-conversion and supplying the amplified signal to a power amplifier, collectors or drains of differential transistors (Q1, Q2) configuring the limiter are connected to an output terminal and a means for reducing the impedance of the transistor continuously supplying a current to the output terminal or the transistor not conductive even when either of the transistors is brought into a non-conductive state in response to an input signal, for example, an unbalanced reduction means comprising differential MOS transistors (M1, M2) is provided in parallel with the transistors (Q1, Q2). COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI | ||||||
| 74 | 差動増幅器のための高周波変圧器 | JP2016089978 | 2016-04-28 | JP6407194B2 | 2018-10-17 | イ ミ リム; パク チャン クン |
| 75 | デュアルモード電力増幅器 | JP2017539401 | 2015-12-16 | JP6374118B2 | 2018-08-15 | リン、サイファ |
| 76 | 電界を用いたワイヤレス電力送信システムおよび電力送信方法 | JP2014528811 | 2012-09-07 | JP6219285B2 | 2017-10-25 | ポル、 ナゲシュ; アラム、 モハンメド ジャハンギル; イスラム、 シェイコー モミヌル; ソルタニ、 ニマ |
| 77 | 無線周波数信号を増幅する装置及び方法 | JP2014559321 | 2013-02-20 | JP6218755B2 | 2017-10-25 | ゼン,ケチウ; リウ,ヨン; ワン,タオ |
| 78 | 低雑音増幅器(LNA)の非線形2次生成物に関するひずみ消去 | JP2016538697 | 2014-12-17 | JP6208366B2 | 2017-10-04 | ジャナキルアム・ガネシュ・サンカラナラヤナン |
| 79 | マルチモード統合型電力増幅器 | JP2017505131 | 2015-07-09 | JP2017522827A | 2017-08-10 | リン、サイファ; チャン、アラン・ンガー・ローン |
| マルチモード電力増幅器(140)を通して通信信号を送信するための方法および装置が開示される。少なくともいくつかの実施形態について、通信信号は、所望された送信出力電力に基づいて選択されたマルチモード電力増幅器(140)の増幅器(210)によって増幅され得る。選択された増幅器(210)の出力は、構成可能な誘導性素子(315)を通してアンテナに結合され得る。誘導性素子(315)は、マルチモード電力増幅器の動作モードに基づいて、バランとしてまたは誘導性負荷素子として構成され得る。 | ||||||
| 80 | 差動増幅器のための高周波変圧器 | JP2016089978 | 2016-04-28 | JP2017135356A | 2017-08-03 | イ ミ リム; パク チャン クン |
| 【課題】差動増幅器のための高周波変圧器を提供する。 【解決手段】本発明によれば、CMOS工程を通じてICチップ内に集積されて形成され、ICチップに含まれたトランジスタの差動信号線に連結される第1金属線路と、MEMS工程を通じてMEMSチップ内に形成され、第1金属線路の上部に離隔した状態で第1金属線路と磁気的に結合される第2金属線路と、を含み、MEMSチップは、ICチップの上部に積層されている差動増幅器のための高周波変圧器を提供する。本発明は、差動構造の増幅器のための変圧器を形成するに当って、変圧器の1次側線路は、CMOS工程を通じる回路チップ内に増幅段と共に集積させて形成し、2次側線路は、MEMSまたはIPD工程を通じる回路チップ内に形成することによって、全体増幅器大きさの過度な増加なしでも、増幅器の電力変換効率及び出力電力を向上させることができる。 【選択図】図6 |
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