| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 41 | 一种柔性导体及其制备方法 | CN201610309287.5 | 2016-05-11 | CN105976896A | 2016-09-28 | 张国平; 黄汪平; 孙蓉 |
| 本发明提供了一种柔性导体及其制备方法。该柔性导体包括聚氨酯海绵层，聚氨酯海绵层上由内至外设有PEDOT层和铜纳米线层。本发明在聚氨酯海绵上设有PEDOT层能大大提高导电聚合物的导电性，铜纳米线层使柔性导体的导电性能进一步提高，本发明的柔性导体具有良好的导电和机械性能。 | ||||||
| 42 | 石墨烯导电薄膜的制备方法 | CN201610465355.7 | 2016-06-24 | CN105931758A | 2016-09-07 | 何娟 |
| 本发明公开了一种石墨烯导电薄膜的制备方法，属于导电薄膜生产技术领域。所述方法包括以下步骤A．沉积镍层：在玻璃基底上沉积1～3个镍原子厚的镍薄膜层；B．沉积石墨烯层：采用CVD法沉积石墨烯薄膜层，所述石墨烯薄膜层的厚度为50～100μm；C．清洗、干燥：将步骤B得到的半成品进行降温处理，待温度降至室温后，将石墨烯薄膜层进行清洗，去除表面镍薄膜层，然后进行干燥即可。本发明具有生产成本低，效率高的优点。 | ||||||
| 43 | 一种V-BY-ONE高速传输结构及连接装置 | CN201610373970.5 | 2016-05-30 | CN105895198A | 2016-08-24 | 伍润生; 周松华 |
| 本发明公开了一种V?BY?ONE高速传输结构，包括PET层、金属屏蔽层以及介质层，所述金属屏蔽层的上表面固定贴覆在PET层的下表面，所述介质层的上表面固定贴覆在金属屏蔽层的下表面，所述介质层的下表面固定贴覆有一PE双面胶。本发明还公开了一种连接装置，包括V?BY?ON高速传输结构、柔性扁平电缆以及两个连接端口，所述V?BY?ON高速传输结构通过所述PE双面胶贴覆在柔性扁平电缆的正面和/或反面上，柔性扁平电缆的两端分别对应加装一个连接端口。本发明的结构简单，其在不仅能够减少信号传输的时滞现象，还能提高信号传输速率，有效降低EMI干扰以及功率损耗。 | ||||||
| 44 | 一种石墨烯-金属纳米颗粒复合型透光导电薄膜的制备方法 | CN201610215165.X | 2016-04-08 | CN105869773A | 2016-08-17 | 梁铮; 李向东; 白杨; 丁荣; 倪振华; 梁贺君; 郭喜涛; 于远方; 严春伟; 罗云; 吕颖; 吴玉广; 赵宏亮 |
| 本发明提供了一种石墨烯?金属纳米颗粒复合型透光导电薄膜的制备方法，包括如下步骤：1）在透明基底表面沉积2?10纳米的金属薄膜，由于表面能的存在，金属会在基底表面自发团聚形成纳米颗粒；2）制备石墨烯，将石墨烯转移至纳米颗粒表面，即可获得具有高透光性和导电性的复合薄膜。该发明所设计石墨烯?金属纳米颗粒复合薄膜主要利用了金属纳米颗粒对石墨烯的掺杂效果来提升其导电性，同时金属纳米颗粒也可以作为导电桥梁连接石墨烯的晶界和破损区域，进一步提升其导电性。另外，由于金属纳米颗粒的尺寸较小，所以复合型导电薄膜的透光性不会受到较大影响。 | ||||||
| 45 | PET-石墨烯-银纳米线复合透明导电薄膜及其制备方法 | CN201610349164.4 | 2016-05-24 | CN105869719A | 2016-08-17 | 杜晓晴; 鲍俊; 童广; 崔少丽; 罗伟; 曾超; 李露 |
| 本发明提供一种PET?石墨烯?银纳米线复合透明导电薄膜制备方法，包括石墨烯基片剪裁与清洗、银纳米线溶液配制、真空抽滤银纳米线膜、压片、滤膜去除和氮气吹干步骤；本发明还提供一种由前述方法制成的PET?石墨烯?银纳米线复合透明导电薄膜。本发明提供的制备方法是将银纳米线与石墨烯分别独立成膜后再一起复合，其中银纳米线成膜采用真空抽滤成膜，石墨烯采用CVD生长，由此制备的复合薄膜同时具有银纳米线分散均匀、厚度可控、机械柔性好、方块电阻低、光学透过率高、表面粗糙度较低的优点，能够达到器件应用需求；且提供的复合透明薄膜，只需少量银纳米线的复合就可达到较低的方块电阻和较高的光透过率，比相同浓度下纯银纳米线薄膜的方块电阻低20％?40％。 | ||||||
| 46 | 一种透明金属导电膜及其制备方法 | CN201610013667.4 | 2016-01-08 | CN105788756A | 2016-07-20 | 汪雷; 王明昂; 唐勋; 张军娜; 刘友博; 杨德仁 |
| 本发明公开了一种透明金属导电膜及其制备方法，其制备方法包括以下步骤：步骤(1)：纳米金属颗粒的水溶液和非极性溶剂混合，再投加油性表面改性剂进行改性处理；改性处理后分液并向有机相中投加助剂制得纳米金属导电墨水；步骤(2)：向所述纳米金属导电墨水中加入水和乳液辅助剂，制得油包水型纳米金属乳液；步骤(3)：将所述油包水型纳米金属乳液印刷在衬底材料上，蒸发溶剂，形成自组装透明金属膜；步骤(4)：步骤(3)制得的自组装透明金属膜经烧结后得到所述透明金属导电膜。本方法操作工艺简单，反应条件温和、可控；金属网络线宽较窄、均匀性好，透明度高；制备成本低，反应时间短，易于实现工业化生产。 | ||||||
| 47 | 一种铜塑复合带及其制备方法 | CN201610132951.3 | 2016-03-09 | CN105788707A | 2016-07-20 | 虞家桢 |
| 本发明公开一种铜塑复合带，包括铜塑复合带本体，所述铜塑复合带本体由铜箔层及塑料薄膜层复合而成，所述铜塑复合带本体为对折结构，其由上部的第一对折段及下部的第二对折段构成，对折后，第一对折段的塑料薄膜层与第二对折段的塑料薄膜层粘合为一体。所述一种铜塑复合带通过采用对折结构，不仅提高了铜箔层的重合紧密度，且使得两面的铜箔层相导通，大大提高了屏蔽性能，此外，第一对折段的塑料薄膜层与第二对折段的塑料薄膜层粘合为一体后，其强度大大提高，结构简单、易于实现。 | ||||||
| 48 | 电导体和形成其的方法 | CN201480061227.5 | 2014-09-15 | CN105706179A | 2016-06-22 | M·H·塔尼连 |
| 提供一种电导体。该电导体包括石墨层间化合物和在石墨层间化合物的至少一部分上延伸的导电材料的至少一个层。石墨层间化合物包括碳基颗粒和插入碳基颗粒中的多个客体分子。 | ||||||
| 49 | 层叠体、其制造方法和电子设备 | CN201580002351.9 | 2015-06-17 | CN105684099A | 2016-06-15 | 伊东孝洋; 大津良太 |
| 本发明提供降低了金属特有的光泽所致的晃眼(反射率)的层叠体、其制造方法和电子设备。一种层叠体(1)，其由透明的基板、在基板上形成的金属层(20)、和在金属层(20)的至少一个面上以与面接触的方式形成的金属化合物层(30a、30b)构成。金属层(20)具备至少一层电阻率为1.0μΩ·cm～10μΩ·cm金属的层、或以金属作为主要成分的合金的层，且电阻率为10μΩ·cm以下，金属化合物层(30a、30b)由透明氧化物半导体物质、与至少一种以上的具有与锌(Zn)同等以上的氧化物生成自由能的金属的混合物构成。 | ||||||
| 50 | 一种用于调光薄膜的导电膜结构 | CN201510648120.7 | 2015-10-09 | CN105679416A | 2016-06-15 | 唐炎毅 |
| 本发明公开了一种用于调光薄膜的导电膜结构，其特征在于，包括基膜层、第一透光导电膜层以及第二透光导电膜层；所述第一透光导电膜层设置于基膜层上，用以降低电阻值，具有第一光线折射率；所述第二透光导电膜层设置于第一透光导电膜层上，具有第二光线折射率；其中，所述第一透光导电膜层介于基膜层以及第二透光导电膜层之间，所述第一光线折射率小于第二光线折射率。本发明提供的导电膜结构具有低表面电阻、高光线穿透性、低辐射(可见光高穿透以及红外线低穿透)以及节能功能，当其使用于调光薄膜时，将可大幅提升调光薄膜的整体价值及性能。 | ||||||
| 51 | 镀银材料及其制造方法 | CN201280048163.6 | 2012-09-20 | CN103917697B | 2016-06-08 | 篠原圭介; 尾形雅史; 宫泽宽; 菅原章 |
| 提供弯曲加工性良好且高温环境下使用也能够抑制接触电阻的上升的镀银材料及其制造方法。在铜或铜合金制原材料的表面或形成于原材料上的由铜或铜合金构成的衬底层的表面形成由银构成的表层的镀银材料中，{200}面的X射线衍射强度相对于表层的{111}面、{200}面、{220}面与{311}面的X射线衍射强度之和的比例为40%以上。 | ||||||
| 52 | 一种高频导体及其制造方法 | CN201510979024.0 | 2015-12-23 | CN105609169A | 2016-05-25 | 李志龙; 伍隽; 庞新锋; 苏柯铭; 武明阳 |
| 本发明公开了一种高频导体及其制造方法，该方法包括如下步骤：S1、用导电浆料在承载片上制作电极图形；S2、利用等离子体对所述电极图形进行清洗，以提高所述电极图形的导电率；S3、经过步骤S2后，对所述承载片上的电极图形进行等静压处理，以降低所述电极图形的趋肤效应电流的损耗。通过使用等离子体对电极图形进行清洗，提升了电极图形的有效电导率，对于因电导率低而导致的不良品的有显著的改善作用；另外，通过对电极图形进行等静压处理，降低了产品在高频下对趋肤效应的电流的输损耗。 | ||||||
| 53 | 一种可储存石墨烯膜及其制备方法 | CN201510983696.9 | 2015-12-24 | CN105563919A | 2016-05-11 | 王小蓓; 杨军; 王炜; 谭化兵 |
| 本发明公开一种可储存石墨烯膜，其具有如下层状结构：离型膜/石墨烯/半固化膜/离型膜。通过（1）采用压辊法，将生长在衬底上的石墨烯与半固化膜贴合；（2）贴合后，采用化学腐蚀法、机械剥离法或鼓泡法除去石墨烯上的生长衬底；（3）除去衬底后，粘贴离型膜，得到所述的可储存石墨烯膜。与以往的转移方法相比较，本发明方法可以获得能够长期储存的石墨烯膜，不受目标基底影响，不受使用时间限制，储存比较灵活方便。使用该膜的时候只要将该结构的半固化膜那一面离型膜撕掉直接贴合在目标基底上，经过UV光照射或者加热等措施使得半固化膜完全固化即可。 | ||||||
| 54 | 透明导电性薄膜及其制造方法 | CN201180063189.3 | 2011-12-16 | CN103314127B | 2016-03-16 | 山崎由佳; 村冈阳子; 待永广宣; 梨木智刚; 宫崎司 |
| 本发明的目的在于，提供重载荷下的打点特性和耐弯曲性优异的透明导电性薄膜。本发明的透明导电性薄膜中，在挠性透明基材1上形成由结晶性的铟·锡复合氧化物构成的透明导电层3，透明导电层的压缩残余应力为0.4～2GPa。透明导电层3可以通过对由非晶质的铟·锡复合氧化物构成的非晶质透明导电层加热来得到。优选加热时透明导电层被赋予压缩应力。另外，优选由加热引起的透明导电层的尺寸变化在至少面内的一个方向为-0.3%～-1.5%。 | ||||||
| 55 | 一种抗老化透明导电薄膜的制备方法 | CN201510221465.4 | 2015-05-05 | CN104882225A | 2015-09-02 | 金闯; 杨晓明 |
| 本案提出一种抗老化透明导电薄膜的制备方法，包括：步骤1)在PET表面涂布底涂液，烘干，形成底涂层；步骤2)在底涂层表面涂布导电液，烘干，形成导电层；步骤3)在导电层表面涂布保护液，烘干；其中，底涂液包括环氧树脂、聚氨酯树脂、对硝基苯甲酸乙酯、氧化钒、氧化硼和水；导电液包括纳米银线、苯乙烯-丙烯酸酯共聚物、氟化锂、琼脂和水；保护液包括：苯乙烯-乙炔共聚物、聚丙烯酸酯、聚氨酯树脂、二苯基硫醚、氧化钪和水。采用本案的制备方法制备出的透明导电薄膜具有高透光度、高耐候性、高结合强度、高导电性以及高使用寿命。 | ||||||
| 56 | 导电膏及使用该导电膏的陶瓷基板 | CN201380052100.2 | 2013-10-02 | CN104704932A | 2015-06-10 | 佐藤稔; 河田智明; 平野雅裕; 小野住重和 |
| 本发明提供一种耐镀敷性优良，镀敷处理后也具有对陶瓷基板和镀膜的良好的粘附性，且在共烧的情况下能够除去烧制后的约束层而不残留在表面导体上的约束烧制用的导电膏及使用该导电膏的陶瓷基板。一种导电膏，其含有在膏组合物中的含有率为60～95质量％的Ag粉末、相对于Ag粉末的质量为0.5～5质量％的硼硅酸类玻璃粉末、其余为铂族金属添加剂和有机载体，上述铂族金属添加剂至少含有Ru和Rh两种金属，该铂族金属添加剂的Ru和Rh的各自的含量相对于上述Ag粉末的质量以金属成分换算为0.05～5质量％的Ru和0.001～0.1质量％的Rh。 | ||||||
| 57 | 双层透明导电薄膜及其制备方法和电致发光器件 | CN201310633525.4 | 2013-11-29 | CN104674172A | 2015-06-03 | 周明杰; 陈吉星; 王平; 黄辉 |
| 本发明提出一种双层透明导电薄膜及其制备方法和电致发光器件，所述双层透明导电薄膜由高导电薄膜和沉积在所述高导电薄膜上的低功函薄膜组成；其中，所述高导电薄膜的化学通式为Zn1-xAlxO，x的取值范围为0.005~0.15；所述低功函薄膜的化学通式为MeO，Me为Ca、Sr或Ba。本发明的双层透明导电薄膜通过在所述高导电薄膜上沉积所述低功函薄膜而形成双层的薄膜结构，既能保持良好的导电性能，又使功函数得到显著的提高。使用所述双层透明导电薄膜作为电致发光器件的阴极，可使其发光效率得到明显的提高。 | ||||||
| 58 | 银油墨组合物、导电体以及通信设备 | CN201380050122.5 | 2013-09-27 | CN104662109A | 2015-05-27 | 关口卓也; 小俣景子 |
| 提供不进行高温下的加热处理而能够形成具有充分的导电性的金属银的银油墨组合物、以及使用该银油墨组合物而得到的导电体及通信设备。该银油墨组合物的特征在于，将下述成分混合而成：具有由式“-COOAg”表示的基团的羧酸银；一种以上的含氮化合物，其选自由碳原子数为25以下的胺化合物和季铵盐、氨以及所述胺化合物或氨与酸反应而成的铵盐组成的组；以及一种以上的还原性化合物，其选自由草酸、联氨以及由下述通式(5)表示的化合物(式中，R21是碳原子数为20以下的烷基、烷氧基或者N,N-二烷基氨基、羟基或氨基)组成的组：H-C(＝O)-R21……(5)。 | ||||||
| 59 | 溅镀靶、透明导电膜及其制造方法，以及触控面板 | CN201310571124.0 | 2013-11-13 | CN104630723A | 2015-05-20 | 戈卡尔普·贝拉默戈鲁; 朱浚斈; 杨贵宝; 王燕儒 |
| 本发明公开一种溅镀靶，其特征在于，为掺杂杂原子之氧化锌铝所成的溅镀靶，其中所述杂原子为第2族元素、第5族元素、第10族元素或上述之组合，且所述杂原子之掺杂比例为0.5重量%至20重量%。采用本发明之溅镀靶，具有成本低、电阻温度系数高的优点。本发明亦提供使用此溅镀靶在基板上沉积形成薄膜之方法及使用此溅镀靶所制得之触控面板。 | ||||||
| 60 | 透明导电体、输入装置和电子仪器 | CN201380044837.X | 2013-08-19 | CN104540678A | 2015-04-22 | 金子直人; 水野干久 |
| 本发明提供具有高对比度、且可以抑制薄层电阻增加的透明导电体，该透明导电体具备：基材、包含金属填料的透明导电层、以及包含光吸收材料的透光层。 | ||||||
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