子分类：
- G11B： 基于记录载体和换能器之间的相对运动的信息存储({用唱针放音的语音记录载体的生产入B29C39/00};以不需要通过换能器重现记录值的方式记录测量值的入G01D;感光材料或照像处理入G03C;电传真记录技术、电子照相技术、磁记录技术入G03G;利用有机械标记的带子,例如:穿孔纸带或利用单元记录卡,如穿孔卡片或具有磁性标记的卡片的记录或重现设备,入G06K;将数据从记录载体的一个带子转移到另一个带子上的入G06K1/18;打印来自记录载体上的数据的入G06K3/00;产生输出数据为永久可视图象的装置入G06K15/00;用静态方法控制指示设备显示可变信息的装置或电路入G09G;编码、译码或代码转换,一般入H03M;;将重放装置的输出耦合到无线电接收机上去的电路入H04B1/20;电路{或装置}尤其适合{图示的或}电视信号记录入{H04N1/21}, H04N5/76, H04N9/79;扬声器、话筒、唱机拾音器之类的声音机电传感器或为此所用的电路入H04R)
- G11C： G11C 静态存贮器(基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存贮入G11B;半导体存贮器件入H01L,例如H01L27/108至27/115;一般脉冲技术入H03K,例如:电子开关入 H03K17/00;用静态存储作为图片记录工具入H04N5/907)
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 361 | 一种智能故事机的音频解码方法及装置 | CN201710577443.0 | 2017-07-15 | CN107393566A | 2017-11-24 | 丘文杰 |
| 本发明提供了一种智能故事机的音频解码方法及装置，其中，该音频解码方法包括：当接收到音频播放指令时，获取所述音频播放指令对应的音频播放信息；设置与所述音频播放信息对应的音频文件的音频类型；根据所述音频文件的音频类型选择对应的解码器；分别创建填充音频数据流线程和解码播放线程；所述解码播放线程在所述填充音频数据流线程形成音频数据流时，开始播放解码后的音频数据。本发明采用了FFmpeg和MAD相结合的音频解码方法，根据音频文件的音频类型选择对应的解码器，可针对产品设计适应各种不同的音频场景，既能够支持在线播放和本地播放，又能够针对部分音频场景实现快速解码播放，提高用户体验，使产品交互体验上了一个台阶。 | ||||||
| 362 | 具有透明背面涂层的光学介质 | CN201710587979.0 | 2012-12-19 | CN107393563A | 2017-11-24 | E·K·金 |
| 本申请涉及具有透明背面涂层的光学介质。提供了一种诸如光带的光学介质，包括衬底、衬底上的在衬底一侧上的预格式化层以及背面涂层。背面涂层至少在紫外线范围内是光学透明的并且导电。预格式化层在背面涂层与衬底之间，背面涂层在衬底的同一侧上与预格式化层隔开放置。 | ||||||
| 363 | 氧化物溅射靶、其制造方法及光记录介质用保护膜 | CN201480009608.9 | 2014-04-03 | CN105074045B | 2017-11-24 | 斋藤淳; 森理惠 |
| 本发明的氧化物溅射靶为如下氧化物烧结体，即，相对于金属成分总量，含有Sn：7at％以上及In：0.1～35.0at％，余量由Zn及不可避免的杂质构成，Sn与Zn的含有原子比Sn/(Sn+Zn)为0.5以下，并具有以固溶有In的Zn2SnO4作为主相的组织。 | ||||||
| 364 | 存储器的测试电路及测试方法 | CN201510052256.1 | 2015-01-31 | CN104637544B | 2017-11-24 | 钱亮 |
| 本发明提出了一种存储器的测试电路及测试方法，在待测存储器内重新设计包括设有译码电路的存储器内建自测电路和包含编码电路、数字输入输出、高压模拟电压输入输出及电流输入输出多功能VPPIO输入输出接口的测试电路，复用芯片内部固有的振荡器模块提供测试时钟信号，VPPIO输入输出接口模块用于将来自单个测试通道的串行输入激励通过存储器内建自测电路转化为内部存储器可以识别的并行信号和模拟电压电流信号，从而对待测存储器进行相应的测试，实现了一个测试通道测试一个待测存储器完整功能的目的，提高了测试机台平行测试晶圆上待测存储器的个数，减少单片晶圆的测试时间，降低测试成本。 | ||||||
| 365 | 具有冗余读出放大器的存储器 | CN201380011619.6 | 2013-03-25 | CN104160453B | 2017-11-24 | M·R·赛宁根; M·E·鲁纳斯 |
| 本发明公开了可减小读取弱数据存储单元时的误读可能性的存储器的实施例。该存储器可包括多个数据存储单元、列复用器、第一读出放大器和第二读出放大器，以及输出电路。第一读出放大器的增益电平可高于第二读出放大器的增益电平。输出电路可包括复用器，该复用器可用于可控地选择第一读出放大器和第二读出放大器的输出之一并传递所选择的读出放大器的值。输出电路可包括耦合第一读出放大器和第二读出放大器的输出的节点，并且第一读出放大器和第二读出放大器的输出能够被设置为高阻抗状态。 | ||||||
| 366 | 利用加热和冷却制造磁阻结构的方法 | CN201310054860.9 | 2013-02-20 | CN103296199B | 2017-11-24 | C·凯泽; Q·冷; M·帕卡拉 |
| 本发明描述了新颖的隧道磁阻（TMR）沉积过程，该过程可增强TMR读取器的信噪比（SNR）。制造隧道磁阻传感器的方法包括：提供衬底；在衬底上形成磁性隧道结（MTJ）的第一部分；在衬底上形成MTJ的第二部分；在第一部分和第二部分之间形成MTJ结构的隧道势垒层；在形成隧道势垒层之前或者在形成隧道势垒层的至少一部分之后，加热MTJ结构的第一部分；以及冷却隧道势垒层。 | ||||||
| 367 | 三维存储器的互连 | CN201480009609.3 | 2014-02-18 | CN105074923B | 2017-11-21 | 丹沢彻 |
| 本发明提供用于三维存储器的互连的设备及方法。一种实例设备可包含材料堆叠，所述材料堆叠包含多个材料对，每一材料对包含形成于绝缘材料上方的导电线。所述材料堆叠具有形成于在第一方向上延伸的一个边缘处的阶梯结构。每一阶梯包含所述材料对中的一者。第一互连耦合到阶梯的所述导电线，所述第一互连在实质上垂直于所述阶梯的第一表面的第二方向上延伸。 | ||||||
| 368 | 双面光盘驱动器 | CN201510220679.X | 2015-05-04 | CN104934047B | 2017-11-21 | 朱明; 徐宏; 贾小龙 |
| 本发明公开了一种双面光盘驱动器，包括第一光学拾取单元、第二光学拾取单元、光盘驱动电机和控制器，第一光学拾取单元用于读写双面光盘下底面的数据，第二光学拾取单元用于读写双面光盘上顶面的数据；光盘驱动电机用于带动载入光盘托盘内的双面光盘实现正转或反转；控制器用于根据双面光盘的被读取面或被刻录面来控制光盘驱动电机的转动方向。本发明通过控制光盘驱动电机的转动方向实现配合第一光学拾取单元和第二光学拾取单元读写数据，可以在一次装载光盘后，分别读写双面光盘的两个数据面，从而可以直接省去翻盘器，节省空间的同时也提高了读取效率；此外，本发明的光驱结构简单，成本低，与普通光驱也有很好的兼容性。 | ||||||
| 369 | 编码和解码图像文件的装置和方法 | CN201310051338.5 | 2013-02-16 | CN103257996B | 2017-11-21 | 张原硕; 金徒显; 金桢林; 黄星泽 |
| 提供了一种用于编码图像文件的装置和方法。所述方法包括：根据用户输入产生至少一个动画对象；产生包括所述至少一个动画对象的动画数据；产生可独立于所述动画数据再现的图像数据；产生集成图像文件，其包括所述图像数据和所述动画数据，并且具有所述图像数据的扩展名；以及把所产生的集成图像文件存储在存储器中。 | ||||||
| 370 | 半导体存储装置及其分区编程控制电路和编程方法 | CN201210210321.5 | 2012-06-21 | CN103093817B | 2017-11-21 | 安龙福 |
| 本发明公开了一种半导体存储装置及其分区编程控制电路和编程方法。所述半导体存储装置包括：编程脉冲发生模块，所述编程脉冲发生模块被配置成产生写入控制信号和编程完成信号；分区编程控制电路，所述分区编程控制电路被配置成响应于所述编程完成信号而根据编程分区的预定次数来产生分区编程使能信号；以及控制器，所述控制器被配置成响应于所述分区编程使能信号而产生所述编程使能信号。 | ||||||
| 371 | 利用硬件安全模块的CCTV安全增强装置及其方法 | CN201710318174.6 | 2017-05-08 | CN107360393A | 2017-11-17 | 高钟锡; 尹钟旻; 李俊镐 |
| 本发明涉及一种在使用具备于IP摄像头的硬件安全模块压缩原始图像的过程或压缩后分封的过程中处理加密，用户通过周期性地生成和作废管理的密钥恢复并播放加密的影像数据，IP摄像头、用户终端以及NVR之间通过认证密钥形成安全的通信信道，使利用未认证的设备拍摄的影像数据无法被提供，从而防止非加密的影像数据泄露，即使拍摄的影像数据泄露，也因加密处理无法轻易恢复拍摄的影像数据的利用硬件安全模块的CCTV安全增强装置及其方法。 | ||||||
| 372 | 一种带自保护装置的硬盘 | CN201710625033.9 | 2017-07-27 | CN107358972A | 2017-11-17 | 赵杰 |
| 本发明涉及一种带自保护装置的硬盘，包括主体，所述主体的外层设有罩壳，所述罩壳内壁设有减震簧，所述减震簧一侧设有浮动支腿，所述浮动支腿连接有内壳，所述内壳内腔设有保护层，所述保护层之间设有硬盘，所述硬盘一侧设有连接孔，所述连接孔之间设有延时电容，所述连接孔电性连接延时电容，本发明通过双层罩壳三段减震设置大幅的增强了硬盘的自保能力，避免了震动造成的硬盘损害，导致硬盘内数据丢失，一切将会带来不必要的麻烦的问题，同时双罩壳的设置使得硬盘还具有防水功能，再次提高了硬盘的自保护能力，此外，延时电容的设置有效防止了突然断电或意外断开连接时带来的损坏，有效解决了背景中的问题。 | ||||||
| 373 | 具有使得能够实现多维中的不同访问模式的配线结构的存储器架构 | CN201480036153.X | 2014-01-23 | CN105359119B | 2017-11-17 | 阿尔泊·布约克托苏诺格鲁; 菲利普·G·埃玛; 艾伦·M·哈特斯坦; M·B·海利; K·K·凯拉斯 |
| 提供了多维存储器架构，所述多维存储器架构具有使得能够实现多维中的不同访问模式的访问配线结构。此外，提供了三维多处理器系统，所述三维多处理器系统包括多维缓存存储器架构，所述多维缓存存储器架构具有使得能够实现多维中的不同访问模式的访问配线结构。 | ||||||
| 374 | 包含电流合规电路的设备及方法 | CN201380029237.6 | 2013-05-14 | CN104380385B | 2017-11-17 | 马尔科-多梅尼科·蒂布尔齐; 朱利奥-朱塞佩·马罗塔 |
| 本发明描述包含可变状态材料数据存储装置的设备、装置、系统及方法。实例性装置包含经配置以在存储器操作期间动态地调整通过可变电阻材料的电流的电流合规电路。一些配置利用存储器单元阵列内的组件来形成电流合规电路。本发明描述额外设备、系统及方法。 | ||||||
| 375 | 被配置为减少程序故障的NOR型闪存装置 | CN201310683893.X | 2013-12-13 | CN104347119B | 2017-11-17 | 安承汉 |
| 被配置为减少程序故障的NOR型闪存装置。本发明的实施方式包括能够减少或消除程序故障的NOR型闪存装置。在一些实施方式中，所述NOR型闪存装置包括存储器阵列、行选择电路、列选择电路和程序驱动器电路。所述存储器阵列包括具有第一扇区位线和第二扇区位线的存储器扇区。所述存储器阵列还包括多个闪存单元，该多个闪存单元被设置在具有顺序地排列的多个单元位线和多个字线的矩阵结构上。所述单元位线按顺序交替地限定为第一单元位线和第二单元位线。所述第一单元位线响应于其列选择信号而连接至所述第一扇区位线，所述第二单元位线响应于其列选择信号而连接至所述第二扇区位线。 | ||||||
| 376 | 用于可编程器件阵列的基于自旋转移矩的存储器元件 | CN201280071955.5 | 2012-03-30 | CN104335282B | 2017-11-17 | A·雷什欧迪伊; J·J·查汉茨; V·德 |
| 本文公开了半导体器件阵列，例如，现场可编程门阵列(FPGA)和复杂可编程逻辑阵列(CPLA)，其使用了基于高密度自旋转移矩(STT)的存储器元件。基于STT的存储器元件可以是独立的FPGA/CPLA，或者可以被嵌入在微处理器和/或数字信号处理器(DSP)片上系统(SoC)中以提供灵活的设计，从而实现低功率、可升级、安全以及可重构的硬件构架。因为该配置被存储在FPGA/CPLA管芯本身上，所以当器件上电时，每次都从外部存储载入配置的需求被消除了。除了瞬间启动以外，消除配置I/O通信量实现了省电以及引脚数减少。通过消除在外部存储器中存储配置数据的需求来大大提升了安全性。 | ||||||
| 377 | 具有PCM存储器单元和纳米管的半导体器件及相关方法 | CN201310653727.5 | 2013-12-04 | CN104078481B | 2017-11-17 | J·H·张 |
| 本发明公开了一种半导体器件，可以包括衬底和在衬底上方的PCM存储器单元阵列。每个PCM存储器单元可以包括竖直对准的第一电极和第二电极、在第一电极与第二电极之间的第一电介质层、从第二电极并且朝着第一电极经过第一电介质层竖直延伸的碳纳米管以及在第一电极与至少一个碳纳米管之间的PCM本体。 | ||||||
| 378 | 移位寄存器及其驱动方法、栅极驱动电路、显示装置 | CN201510532565.9 | 2015-08-26 | CN105096803B | 2017-11-14 | 王继国 |
| 本发明公开了一种移位寄存器及其驱动方法、栅极驱动电路、显示装置，涉及显示技术领域，用于增强移位寄存器的抗噪声能力。该移位寄存器包括第一反馈模块和下拉模块；其中，所述第一反馈模块包括至少两个反馈单元，各个所述反馈单元的控制端分别连接不同的控制点，每个所述反馈单元的输入端均连接第一电平输入端，每个所述反馈单元的输出端均连接第一节点，所述第一节点连接所述下拉模块的控制端，所述下拉模块的输入端连接所述第一电平输入端，所述下拉模块的输出端连接所述移位寄存器的信号输出端。本发明用于为栅线提供驱动信号。 | ||||||
| 379 | 用于补偿单端感测放大器中PVT变化的参考电路 | CN201380053038.9 | 2013-10-10 | CN104718575B | 2017-11-14 | R·休斯 |
| 本发明涉及一种半导体存储器件，该半导体存储器件包括：‑用于读取从存储器阵列中选定的存储单元感测到的数据的单端感测放大器(SA)电路，该感测放大器具有用于馈入参考信号(REF)的第一节点(N1)、耦接到位线(BL)的第二节点(N2)以及负责在感测操作期间放大所选定的存储单元的内容的感测晶体管(T2、T3)；‑参考电路(R)，其具有感测晶体管(T2,T3)的复制晶体管(T’2,T’3)，并且还包括被设计为使得每个复制晶体管在稳定的操作点操作的调节网络(OP1、T’5；OP2)，并且其中，所述调节网络产生施加于感测放大器电路的控制电压。 | ||||||
| 380 | 用于测试存储器件的电路和方法 | CN201310108760.X | 2013-03-29 | CN104078082B | 2017-11-14 | 童明照 |
| 本申请涉及一种用于测试存储器件的电路和方法。存储器件具有可由多个地址线寻址并且可由多个数据线输入/输出数据的多个存储块。该电路包括：测试型态生成器，其耦接到多个地址线中的第一部分以接收测试数据，测试型态生成器用于存储测试数据，并基于测试数据生成写测试向量和读测试向量，其中写测试向量关联于读测试向量；多路选择器，其耦接到测试型态生成器，多路选择器用于可选择地将写测试向量传送到多个存储块中的一个受测存储块，以使得写测试向量能够被写入受测存储块；以及比较器，其耦接到测试型态生成器以及受测存储块，比较器用于比较读测试向量与由受测存储块生成且关联于写测试向量的读出信号，并生成指示比较结果的标识。 | ||||||
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