子分类：
- G11B： 基于记录载体和换能器之间的相对运动的信息存储({用唱针放音的语音记录载体的生产入B29C39/00};以不需要通过换能器重现记录值的方式记录测量值的入G01D;感光材料或照像处理入G03C;电传真记录技术、电子照相技术、磁记录技术入G03G;利用有机械标记的带子,例如:穿孔纸带或利用单元记录卡,如穿孔卡片或具有磁性标记的卡片的记录或重现设备,入G06K;将数据从记录载体的一个带子转移到另一个带子上的入G06K1/18;打印来自记录载体上的数据的入G06K3/00;产生输出数据为永久可视图象的装置入G06K15/00;用静态方法控制指示设备显示可变信息的装置或电路入G09G;编码、译码或代码转换,一般入H03M;;将重放装置的输出耦合到无线电接收机上去的电路入H04B1/20;电路{或装置}尤其适合{图示的或}电视信号记录入{H04N1/21}, H04N5/76, H04N9/79;扬声器、话筒、唱机拾音器之类的声音机电传感器或为此所用的电路入H04R)
- G11C： G11C 静态存贮器(基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存贮入G11B;半导体存贮器件入H01L,例如H01L27/108至27/115;一般脉冲技术入H03K,例如:电子开关入 H03K17/00;用静态存储作为图片记录工具入H04N5/907)
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 301 | 存储器读取电路及其读取方法 | CN201610479550.5 | 2016-06-22 | CN107527639A | 2017-12-29 | 王韬; 周耀 |
| 本发明提供一种存储器读取电路及其读取方法，读取电路包括：存储器，包括阵列分布的存储单元；依次与每一列的存储单元连接的多条位线；比较器，包括正输入端和负输入端，所述多条位线依次交替连接至所述正输入端和所述负输入端；地址译码器，所述地址译码器包括多个地址译码单元，每条位线上的所述存储单元通过一个所述地址译码单元与所述比较器连接，每两个相邻的地址译码单元连接相同的地址译码信号，且与所述两个相邻的地址译码单元连接的两个存储单元的逻辑状态相反。本发明中，比较器的正输入端和负输入端分别接逻辑状态相反的存储单元，使得正输入端和负输入端之间的电位差增大，从而可以缩短存储单元的读取时间，并提高读取的可靠性。 | ||||||
| 302 | 基于LTPS半导体薄膜晶体管的GOA电路 | CN201510954368.6 | 2015-12-17 | CN105469760B | 2017-12-29 | 李亚锋; 邬金芳 |
| 本发明提供一种基于LTPS半导体薄膜晶体管的GOA电路，增设了分别受第n‑1级GOA单元的输出端(G(n‑1))、和第n+1级GOA单元的输出端(G(n+1))控制的第十二、和第十三薄膜晶体管(T12、T13)，第十二薄膜晶体管(T12)的漏极通过第四节点(W1(n))与第一薄膜晶体管(T1)的源极电性连接，第十三薄膜晶体管(T13)的漏极通过第五节点(W2(n))与第三薄膜晶体管(T3)的源极电性连接，第一、和第三薄膜晶体管(T1、T3)分别受正向扫描直流控制信号(U2D)、与反向扫描直流控制信号(D2U)控制，在正向扫描时能够降低第十二薄膜晶体管(T12)的漏电流，在反向扫描时能够降低第十三薄膜晶体管(T13)的漏电流，从而降低了关键薄膜晶体管的漏电流，提升了GOA电路的稳定性。 | ||||||
| 303 | 移位寄存器单元、栅线驱动装置以及驱动方法 | CN201510647045.2 | 2015-10-08 | CN105185339B | 2017-12-29 | 王峥 |
| 一种移位寄存器单元、包括多级移位寄存器单元的栅线驱动装置以及用于该移位寄存器单元的驱动方法，其中该移位寄存器单元，包括：输入模块，连接在输入端和上拉节点之间，对上拉节点进行充电；输出模块，连接在上拉节点、第一时钟信号端和输出端之间，被配置将第一时钟信号端接入的第一时钟信号输出到输出端；上拉节点复位模块，连接在复位端、下拉节点和上拉节点之间，被配置为对上拉节点进行复位；输出复位模块，连接在第二时钟信号端、下拉节点和输出端之间，被配置为对输出端进行复位。根据本公开的移位寄存器单元、栅线驱动装置和用于该移位寄存器单元的驱动方法，可以减小GOA整体结构的尺寸，降低功耗，并且减少信号的延迟，改善信号波形，同时提高GOA电路整体的可靠性。 | ||||||
| 304 | 半导体装置和半导体存储装置 | CN201510088819.2 | 2015-02-26 | CN104952481B | 2017-12-29 | 森胁真一 |
| 提供了半导体装置和半导体存储装置。该半导体装置包括：能够在选择与未选择之间进行切换的电路块；以及布置在电路块与第一电源线之间的泄漏电流控制电路。泄漏电流控制电路包括：布置在电路块与第一电源线之间的第一晶体管；以及布置在电路块与第一电源线之间的电阻器装置。 | ||||||
| 305 | 低功耗存储器 | CN201410243163.2 | 2014-06-03 | CN104951411B | 2017-12-29 | 萧志成 |
| 一种低功耗存储器，包含多个存储器元件、一个读取位元线单元，及多个二态高阻抗缓冲器。该读取位元线单元包括多个第一读取位元线及一个第二读取位元线，每一个第一读取位元线电连接至少一个存储器元件。每一个二态高阻抗缓冲器的输入端及输出端分别电连接其中一个第一读取位元线及该第二读取位元线，且其输出为高阻抗状态及一种电平状态其中一个。通过设置该二态高阻抗缓冲器，并将所述存储器元件电连接所述第一读取位元线后经该缓冲单元输出至该第二读取位元线，不需感测放大器即能正常运作，且能大幅下降耗电量，并提高操作频率。 | ||||||
| 306 | 一种MRAM芯片及其自测试方法 | CN201610423370.5 | 2016-06-15 | CN107516545A | 2017-12-26 | 戴瑾; 叶力; 俞华樑 |
| 本发明提供一种MRAM芯片，包括一个或多个阵列，阵列包括由MRAM存储单元组成的存储行，每个阵列与控制电路连接，控制电路包括行地址解码器、列地址解码器、读写控制器与输入输出控制，控制电路还包括自测试控制器，每个阵列包括多个备用行，备用行用于替换具有损坏的MRAM存储单元的行。本发明还提供一种MRAM芯片的自测试方法。本发明提供的MRAM芯片及其自测试方法，通过自测试，将检测到的具有损坏的MRAM存储单元的存储行的数据存储到替换备用行中，提高了MRAM芯片的数据可靠性及使用寿命。 | ||||||
| 307 | 戒指录音器 | CN201610429159.4 | 2016-06-17 | CN107516537A | 2017-12-26 | 刘婷婷 |
| 本发明提供一种戒指录音器，所述的录音器的外形设成戒指，可以戴在手指上，使用时只需轻轻按压一下控制开关即可开始录音工作。这样不仅可以顺利取得证据，而且也不会引起对方怀疑。 | ||||||
| 308 | 操作存储单元的方法及整合电路 | CN201510332780.4 | 2015-06-16 | CN105225692B | 2017-12-26 | 柯文昇; 吴昭谊; 苏资翔; 李祥邦 |
| 本发明公开了一种操作包括相变材料的第一存储单元的方法，其中第一存储单元是可编程的，以存储多个数据值中的一个数据值，所述数据值以第一存储单元的多个不重叠范围电阻表示。该方法包括：施加至少一测试脉冲给第一存储单元，以在一中间范围电阻建立第一存储单元的一单元电阻，该中间范围电阻包括多个表示所述数据值的这些不重叠范围电阻的第一与第二相邻范围之间的多个电阻值；以及在施加至少一测试脉冲给第一存储单元之后，依据中间范围电阻的单元电阻与中间范围电阻的一参考电阻的多个相对值，判断是否施加至少一热脉冲给第一存储单元。 | ||||||
| 309 | 半导体存储器件 | CN201210417145.2 | 2012-10-26 | CN103117089B | 2017-12-26 | 金珉秀; 朴进寿 |
| 本发明提供一种半导体存储器件，包括：存储体，被配置为储存数据；缓冲单元，包括多个缓冲器，所述多个缓冲器被设置成沿存储体的X轴延伸以储存从存储体传送的数据；多个数据传输线，被配置为传送储存在多个缓冲器中的数据；以及路径多路复用单元，被配置为响应于地址而选择多个数据传输路径中的一个，并且经由选中的数据传输路径来传送数据。 | ||||||
| 310 | 一种录音区域的显示方法及其终端 | CN201710638534.0 | 2017-07-31 | CN107509026A | 2017-12-22 | 武超 |
| 本发明实施例公开了一种录音区域的显示方法及其终端，其中方法包括：若检测到终端处于录像模式，则获取被摄主体与终端之间的第一距离值；根据有效录音范围与第一距离值的预设对应关系，确定第一距离值对应的有效录音范围；在图像预览界面显示有效录音范围。本发明实施例中用户可以准确确定不同范围下对应的有效录音区域，即便该终端的麦克风的录音范围较小、定向性较强，用户也可以在图像预览界面中清晰确定其录音范围，继而调整拍摄的角度，解决了因录像时常常因为麦克风的指向偏离了有效录音范围，而导致无法收取声音的情况发生，提高了用户的录音准确率，并且降低了用户的录像操作难度。 | ||||||
| 311 | 固态存储装置及其读取电压设定方法 | CN201310542369.0 | 2013-11-05 | CN104616695B | 2017-12-22 | 曾士家; 傅仁杰; 吴郁姍; 张锡嘉 |
| 本发明公开了一种固态存储装置及其读取电压设定方法，所述读取电压设定方法包括下列步骤：调整存储单元的预设读取电压以获得多个检测读取电压。分别地施予预设读取电压以及这些检测读取电压至存储单元，以读取分别关联于预设读取电压以及这些检测读取电压的多个验证数据。根据关联于预设读取电压以及这些检测读取电压的验证数据，计算并记录相互相邻的预设读取电压以及这些检测读取电压之间的多个统计参量。根据这些统计参量来获取优化读取电压。 | ||||||
| 312 | 具有调谐的各向异性和磁矩的薄膜 | CN201310625298.0 | 2013-11-28 | CN103855298B | 2017-12-22 | V·R·印图瑞; 田伟; J·芒德纳 |
| 一种装置和方法一般被描述为表现出经调谐的各向异性和磁矩的薄膜。各实施例可形成一磁性层，该磁性层通过在被冷却至预定衬底温度的衬底上沉积材料而被调谐至预定的各向异性和磁矩。 | ||||||
| 313 | 基于虚拟视频技术的视频播放方法及装置 | CN201610407536.4 | 2016-06-12 | CN107493481A | 2017-12-19 | 鲍东山; 李晓洁 |
| 本发明公开了一种基于虚拟视频技术的视频播放方法及装置，该方法包括：接收到针对虚拟视频文件的视频播放请求，获取对应的虚拟视频文件；根据所述虚拟视频文件中包含的视频文件的存储位置信息，在视频库中查找到所需要播放的视频文件；根据所述虚拟视频文件中包含的视频文件的播放时间和视频文件的播放剪辑范围信息，播放各视频文件的相应视频片段。能够通过虚拟技术实现视频的制作播放，提高视频组合制作、播放的速度和效率，减少视频存储量，提高视频的可编辑性。 | ||||||
| 314 | 用于磁性介质图案化的抗蚀剂强化 | CN201710611689.5 | 2011-07-25 | CN107492386A | 2017-12-19 | 克里斯托弗·D·本彻; 罗曼·古科; 史蒂文·维哈维伯克; 夏立群; 李龙元; 马修·D·斯科特奈伊-卡斯特; 马丁·A·希尔金; 皮特·I·波尔什涅夫 |
| 提供一种用于形成磁性介质衬底的方法和设备。图案化抗蚀层形成在具有磁化层的衬底上。共形保护层形成在图案化抗蚀层上，以免图案于后续处理期间降解。衬底经能量处理，其中能量物种依据形成于图案化抗蚀剂中的图案，穿透部分图案化抗蚀层和共形保护层而撞击磁化层及改变磁化层磁性。接着移除图案化抗蚀层和共形保护层而留下磁性衬底，所述磁性衬底具有形貌实质不变的磁性图案。 | ||||||
| 315 | 搜索控制装置以及搜索操作系统 | CN201480010610.8 | 2014-02-04 | CN105009061B | 2017-12-19 | 久次信辅 |
| 本发明涉及搜索控制装置以及搜索操作系统，是被应用于搜索操作系统的控制装置(30)，该搜索操作系统构成为当按顺序从多个显示对象(G、H、I、J、K)中搜索所希望的显示对象时，用户操作旋钮(21)来指令其搜索方向以及搜索速度。该控制装置在旋钮被反转操作使得搜索方向反转、且该反转操作速度为规定速度以上的情况下判定为急反转操作。而且，在判定为急反转操作的情况下，以比未进行急反转操作的情况慢的搜索速度进行搜索。 | ||||||
| 316 | 三维导线的装置和方法 | CN201410033697.2 | 2014-01-23 | CN104637521B | 2017-12-19 | 林志宇; 林高正; 王俐文; 陈炎辉 |
| 本发明公开了三维导线的装置和方法，所述装置包括：第一层级中的第一存储列段，第二层级中的第二存储列段，以及将第一存储列段连接至第二存储列段的导线。在一些实施例中，导线在第一层级中设置在存储列的第一侧上和在第二层级中设置在存储列的第二侧上。 | ||||||
| 317 | 磁性存储装置及其形成方法 | CN201410291400.2 | 2014-06-25 | CN104282832B | 2017-12-19 | 李俊明; 李仑宰; 金佑填 |
| 提供了一种磁性存储装置及其形成方法。该磁性存储装置可以包括自由磁性结构，隧道势垒层和钉扎磁性结构，其中，隧道势垒层位于自由磁性结构和钉扎磁性结构之间。钉扎磁性结构可以包括第一钉扎层和第二钉扎层以及位于第一钉扎层和第二钉扎层之间的交换耦合层。第二钉扎层可以位于第一钉扎层和隧道势垒层之间，第二钉扎层可以包括结磁性层以及位于结磁性层和交换耦合层之间的缓冲层。缓冲层可以包括包含非磁性金属元素的材料的层。 | ||||||
| 318 | 数据输出电路和半导体存储器件 | CN201210342944.8 | 2012-09-14 | CN103426455B | 2017-12-19 | 黄美显 |
| 本发明公开了一种包括内部产生的控制信号的半导体存储器件，所述控制信号保证来自存储器单元的经缓冲和放大的数据不依赖内部产生的使能信号EN的使能时段，正确地呈现到全局线上。在根据本发明的一个实施例的半导体存储器件中，由于经由与多个存储体共同连接的全局线来输出数据，所以在各个存储体中设置预充电信号发生单元，以防止全局线上的竞争。 | ||||||
| 319 | 振荡器自动调节方法及使用该方法的半导体器件 | CN201210589922.1 | 2012-12-28 | CN103219038B | 2017-12-19 | 崔光浩 |
| 本发明提供了一种振荡器自动调节方法。该振荡器自动调节方法包括：通过减法器接收第一计数结果和第二计数结果，以输出第一计数结果和第二计数结果之间的偏差作为偏移频率，通过除法器接收偏移频率，以输出与通过将偏移频率除以从微控制单元输出的基准偏移频率所获得的结果相对应的除法结果信号，通过微控制单元接收除法结果信号并且确定是否改变振荡器频率。 | ||||||
| 320 | 用于存储器的整形码 | CN201380065908.4 | 2013-11-15 | CN104871142B | 2017-12-15 | 钱德拉·C·瓦拉纳西 |
| 本发明提供与用于存储器的整形码相关联的设备及方法。一种实例性设备包括：存储器单元阵列；及整形组件，其耦合到所述阵列且经配置以根据所接收数字样式到整形数字样式的映射来编码若干个所接收数字样式中的每一者。所接收数字样式到整形数字样式的所述映射遵守整形约束，所述整形约束将所述整形数字样式的经允许具有特定数字值的连续数字的量限制为最高量。 | ||||||
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