序号 专利名 申请号 申请日 公开(公告)号 公开(公告)日 发明人
21 유기 전계발광 장치 및 그에 사용되는 붕산 및 보린산유도체 KR1020077028263 2006-04-06 KR101289923B1 2013-07-25 슈퇴쎌필립; 브로이닝에스터; 뷔징아르네; 파르함아미르; 하일홀거; 베스트베버호르스트
본 발명은 유기 전자 장치, 특히 전계발광 장치에서 방향족 붕산 또는 보린산 유도체의 적용에 관한 것이다.
22 과아릴화 보란을 기재로 하는 인광성 고분자 유기 반도체이미터 재료, 그 제조 방법 및 용도 KR1020067015183 2004-12-29 KR101249413B1 2013-04-03 카닛츠,안드레아스; 로클러,볼프강; 로트,볼프강; 존아벤트,토마스; 뵈를레,야스민
본 발명은 반도체 특성을 갖는 발광성 화합물, 그 제조 방법 및 유기 발광 다이오드(OLEDS)에서의 상기 화합물의 용도에 관한 것이다. 상기 화합물은 주기율표의 8번째 하위족에 속하는 중심 원자를 갖는 금속 착물을 함유한 공중합체이다.
23 PI-CONJUGATED ORGANOBORON POLYMERS IN THIN-FILM ORGANIC ELECTRONIC DEVICES PCT/US2007064328 2007-03-19 WO2007109629A3 2008-09-25 LUEBBEN SILVIA DE VITO; SAPP SHAWN
This invention relates to pi-conjugated organoboron polymers and their use in thin film electronic devices. The invention further relates to methods for the fabrication of such devices as well as to methods of preparation of certain pi-conjugated organoboron polymers. Pi- conjugated organoboron polymers are of interest because of their opto-electronic properties and are useful in thin-film plastic electronic devices, such as organic thin film transistors (TFTs), organic light emitting diodes (OLEDs), printable circuits, organic supercapacitors and organic photovoltaic (OPV) devices.
24 白色発光ダイオード用のポリ(チエノチオフェニルボラン)類及びポリ(ジチエノチオフェニルボラン)類 JP2016539641 2013-09-05 JP6370909B2 2018-08-08 トゥラン オズターク; エミン テキン; サーヒン オナー; エミン ビラー セヴィニス; マーメット サイップ エログル; アーメット ケイハン ゴーレン; マーメット エミン シナール; ガルセン タルコグル
25 ニトロフェニルボロン酸組成物によって安定化したナノ粒子 JP2015560153 2013-03-01 JP6251295B2 2017-12-20 デイヴィス マーク イー.; ハン ハン
26 白色発光ダイオード用のポリ(チエノチオフェニルボラン)類及びポリ(ジチエノチオフェニルボラン)類 JP2016539641 2013-09-05 JP2016530383A 2016-09-29 オズターク トゥラン; テキン エミン; オナー サーヒン; ビラー セヴィニス エミン; サイップ エログル マーメット; ケイハン ゴーレン アーメット; エミン シナール マーメット; タルコグル ガルセン
本発明は、ジチエノチオフェン(DTT)誘導体、チエノチオフェン(TT)誘導体及びホウ素を含む、規定された構造を有する新規なポリマー類の合成を開示する。前記ポリマー類の発光デバイスは、可視光領域に幅広い蛍光スペクトルを有し、白色光を発することができる。
27 ポリエーテルイミドとその製造方法、および同材料からなる物品 JP2014539072 2012-10-26 JP2014532779A 2014-12-08 クールマン、マシュー; エム. ハラルール、グルリンガマーシー
ジヒドロキシ芳香族化合物のアルカリ金属塩と、ビス(ハロフタルイミド)組成物の質量に対して、少なくとも15質量%の下式の構造の3,3’−ビス(ハロフタルイミド)と、17質量%超〜85質量%未満の下式の構造の4,3’−ビス(ハロフタルイミド)と、0超〜27質量%未満の下式の構造の4,4’−ビス(ハロフタルイミド)と、を含むビス(ハロフタルイミド)組成物と、の反応により製造されたポリエーテルイミドを含むポリエーテルイミド組成物が開示される。【化1】【化2】【化3】【選択図】図1
28 Organic electroluminescence device JP2008509318 2006-04-06 JP5242380B2 2013-07-24 ストエッセル、フィリップ; ブロイニンク、エステル; ブエシンク、アルネ; パルハム、アミル; ハイル、ホルガー; フェストベーバー、ホルスト
The present invention relates to the use of aromatic boronic acid or borinic acid derivatives in organic electronic devices, in particular electroluminescent devices.
29 Perarylated borane non-conjugated polymers, their use as an organic semiconductor light-emitting material and / or transport material, its preparation and use thereof JP2006505399 2004-05-07 JP4741467B2 2011-08-03 カニッツ アンドレアス; ログラー ヴォルフガング; ヴェールレ ヤスミーン
30 Electrochemical device for boron-containing compounds, ion-conductive polymer and a polymer electrolyte JP2003389159 2003-11-19 JP4563668B2 2010-10-13 壮文 奥村; 紀雄 岩安; 晶一 横山; 健 矢部; 西村  伸
31 A-based over-arylation borane, polymer phosphorescent organic semiconductor emitter substances, their preparation and their use JP2006545917 2004-12-29 JP2007522271A 2007-08-09 カニッツ アンドレアス; ロート ヴォルフガング; ログラー ヴォルフガング; ゾンナーベント トーマス; ヴェルレ ヤスミン
過アリール化ボランをベースとする、ポリマーの燐光性有機半導体エミッター物質、その製法及びその使用。
本発明は、半導体特性を有する発光化合物及びその製造及び有機発光ダイオード(OLEDS)におけるその使用に関する。 周期律法の第8副族からの中心原子を有する金属錯体を包含するコポリマーが重要である。
32 Low dielectric constant insulating material and semiconductor device using the same JP2003315923 2003-09-08 JP2005085962A 2005-03-31 UCHIMARU YUKO; INOUE MASAMI
<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To solve the problem of a conventional semiconductor device using a low dielectric constant insulating film for an inter-layer insulating film of multi-layer wires that the effective specific dielectric constant of the insulating film becomes higher, even when the low dielectric constant inter-layer insulating film with a low specific dielectric constant is used because additional thin films called a hard mask, a Cu diffusion barrier layer, and an etching stopper are needed, and specific dielectric constants of materials for the above are high in the case that a conventional low dielectric constant inter-layer insulating film and Cu wires are used for the multi-layer wires for an LSI. <P>SOLUTION: The additional thin films are not needed by using a material with a borazine ring of a six membered ring structure comprising at least boron and nitrogen elements for materials of the hard mask, the Cu diffusion barrier layer, and the etching stopper as the low dielectric constant insulating film, or when the low dielectric constant inter-layer insulating film and the Cu wires are used for the multilayer wires. Consequently, parasitic capacitance among the multilayer wires can be suppressed and a high speed ULSI can be obtained. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI
33 Boron-containing compound for electrochemical device, ion-conducting polymer and polymer electrolyte JP2003389159 2003-11-19 JP2004182982A 2004-07-02 OKUMURA SOUBUN; NISHIMURA SHIN; IWAYASU NORIO; YOKOYAMA SHOICHI; YABE TAKESHI
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a boron-containing compound with which an ion-conducting polymer electrolyte having a high ion-conductivity can be prepared and to provide its polymer. SOLUTION: This boron-containing compound for an electrochemical device is shown in formula 1. The ion-conducting polymer electrolyte for the electrochemical device comprises a polymer obtained by polymerizing this boron-containing compound. The ion-conducting polymer electrolyte for the electrochemical device comprises a polymer obtained by polymerizing this boron-containing compound and an electrolyte salt. A polymerizable composition for the electrochemical device comprises a compound of formula 2 and a compound of formula 3. COPYRIGHT: (C)2004,JPO&NCIPI
34 Electrolytic salt for lithium battery JP2002503959 2001-06-18 JP2003536229A 2003-12-02 チャールズ エイ. アンゲル,; ウー スー,
(57)【要約】 リチウムバッテリにおける電解質としての使用のためのオルトボレート塩およびこの電解質塩を生成するための方法が提供される。 この電解塩は、式(I)の1つを有する。 この式において、アニオン性オルトボレート基は2個の二座キレート化基Y およびY でキャップされている。 特定の好ましいキレート化基は、二塩基性酸残基であり、最も好ましくは、オキサリル、マロニルおよびスクシニル、ジスルホン酸残基、スルホ酢酸残基およびハロ置換されたアルキレンである。 これらの塩は、非系溶媒およびポリマーゲル中に可溶であり、電気化学素子におけるリチウムバッテリの有用な成分である。
35 Method for producing boron nitride fiber and resultant fiber JP2003014003 2003-01-22 JP2003286616A 2003-10-10 MIELE PHILIPPE; TOURY BERANGERE; CORNU DAVID; BERNARD SAMUEL; BERTHET MARIE-PAULE; ROUSSEAU LOIC; BEAUHAIRE GUY
<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a continuous and weavable high-purity boron nitride fiber having a high level of performances maintainable even under natural aging and obtainable from a polyborylborazine type precursor polymer with a diameter suitable for use in composite materials, and to provide a method for producing the fiber. <P>SOLUTION: The boron nitride fiber is produced by using a borylborazine precursor represented by the formula [(NHR)<SB>2</SB>B(NR)]<SB>3</SB>B<SB>3</SB>N<SB>3</SB>H<SB>3</SB>[wherein, R denotes hydrogen atom or a 1-30C alkyl, a 1-30C cycloalkyl or a 1-30C aryl group]. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO
36 A method of generating a borazine modified hydridopolysilazane polymer JP27446093 1993-11-02 JP3288832B2 2002-06-04 スー カイ; アラン ザンク グレッグ; ジョージ スネッドン ラリー
37 C / n and b / c / n new carbodiimide polymer as a material for the precursor JP53528798 1998-02-04 JP2001511829A 2001-08-14 グライナー,アクセル; クロケ,エートビン; リーデル,ラルフ
(57)【要約】 本発明は、カルボジイミドR 3 E-NCN-ER 3 (R=アルキル、アリール;E=Si、Ge、Sn、とハロゲノトリアジンを反応させることにより得られる新規なC/N及びB/C/Nポリマー及びこれらをC/N及びB/C/N材料を製造するのに使用することに関する。
38 Method for producing a poly-amino Bora Jin JP25101693 1993-09-14 JP2707401B2 1998-01-28 クリストフ・リシャール; ジェラール・ミニャニ; ロジェ・トリション
39 Preparation of polyaminoborazine JP25101693 1993-09-14 JPH07292120A 1995-11-07 JIERAARU MINIYANI; KURISUTOFU RISHIYAARU; ROJIE TORISHIYON
PURPOSE: To obtain a polyaminoborazine in high conversion which is homogeneous, converted to a ceramic material in a high wt. yield upon heat decomposition, and useful in fibers, films and the like by heat polycondensation of a trifunctional aminoborazine in an equilibrium state. CONSTITUTION: A trifunctional aminoborazine pref. having a cyclic structure represented by formula (wherein R 1, R 2 and R 3 each represent H, an alkyl or an aryl, and, pref., R 1 and R 2 each represent a satd. 1-4C alkyl with R 3 representing H) is heat polycondensed in an equilibrium state pref. at 150 to 350°C, still pref. 200 to 250°C, to obtain the contemplated polyaminoborazine. In the polycondensation reaction, pref., the partial pressure of the resultant amine, e.g. when the partial pressure is enhanced, is regulated by raising the temp. to create equilibrium. COPYRIGHT: (C)1995,JPO
40 Boron-substituted polysilazane composition and its production JP26856492 1992-10-07 JPH07207033A 1995-08-08 ROJIYAA RII KEN MATSUMOTO; JIYOAN MARII SHIYUWAAKU
PURPOSE: To obtain a boron-substituted polysilazane composition useful in the preparation of silicon-carbide-containing ceramic articles by reacting a specified silicon halide compound with ammonia. CONSTITUTION: There is provided a boron-substituted polysilazane composition in which the boron is derived from a borane, and the boron is bonded to a polysilazane through a boron-carbon bond. This composition is obtained by reacting a silicon halide compound (with the proviso that at least one kind of which contains an alkenyl or alkynyl group) selected among RSiX 3, RR'SiX 2, RR'R"SiX, and SiX 4 (wherein X is Cl or Br, I, and R, R', and R" are each H, a 1-6C alkyl, an aryl, a 2-6C alkenyl, or an alkynyl) with ammonia to obtain an ammonolysis product of a silazane, and reacting this product with a borane containing at least one B-H group in the molecule. COPYRIGHT: (C)1995,JPO
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