子分类：
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 电荷传输性清漆 | CN201480054464.9 | 2014-09-26 | CN105612628B | 2017-10-27 | 大谷直树 |
| 电荷传输性清漆，其含有含氟原子的电荷传输性物质、不含氟原子的电荷传输性物质、包含杂多酸的掺杂剂物质、以及有机溶剂；其中，含氟原子的电荷传输性物质为由三芳基胺化合物、含氟原子的芳基醛化合物、具有羰基的芴衍生物、在N位上具有烷基或者含有醚结构的烷基的咔唑衍生物缩合而得到的、重均分子量1,000～200,000的聚合物；不含氟原子的电荷传输性物质为低聚苯胺化合物。由电荷传输性清漆制成的薄膜，即使在阳极与发光层之间以与它们相接触的状态作为单一层使用时，也能够实现具有优良的亮度特性和耐久性的有机EL元件。 | ||||||
| 2 | 形成膜的材料 | CN201510459653.0 | 2011-12-01 | CN105017952B | 2017-08-15 | 江原和也; 今村光; 坂本力丸 |
| 本发明的课题是提供可以有助于提高太阳能电池的最大输出的、用于太阳能电池的新的材料。作为解决本发明课题的手段涉及形成膜的材料以及将由该形成膜的材料制作的固化膜被覆在透明电极的表面上而成的太阳能电池，所述形成膜的材料是形成太阳能电池的透明电极上的聚光膜的材料，其在633nm的波长下具有1.5～2.0的折射率，且相对于400nm的波长的光具有95％以上的透射率，并包含具有芳香族基的有机系高分子化合物(A)。 | ||||||
| 3 | 电荷传输性清漆 | CN201480054464.9 | 2014-09-26 | CN105612628A | 2016-05-25 | 大谷直树 |
| 电荷传输性清漆，其含有含氟原子的电荷传输性物质、不含氟原子的电荷传输性物质、包含杂多酸的掺杂剂物质、以及有机溶剂；其中，含氟原子的电荷传输性物质为由三芳基胺化合物、含氟原子的芳基醛化合物、具有羰基的芴衍生物、在N位上具有烷基或者含有醚结构的烷基的咔唑衍生物缩合而得到的、重均分子量1,000～200,000的聚合物；不含氟原子的电荷传输性物质为低聚苯胺化合物。由电荷传输性清漆制成的薄膜，即使在阳极与发光层之间以与它们相接触的状态作为单一层使用时，也能够实现具有优良的亮度特性和耐久性的有机EL元件。 | ||||||
| 4 | 环脲与多官能醛的反应产物的制备方法 | CN201180047593.1 | 2011-09-23 | CN103154063B | 2015-09-09 | R·B·古普塔; L·A·弗勒德; U·Y·特雷苏雷尔; B·A·劳利斯; C·布罗根 |
| 本发明涉及至少一种多官能醛A与至少一种环脲U的反应产物UA的制备方法，所述方法通过如下步骤进行：在至少一种醇R1-OH的存在下，任选在至少一种不具有可与醛基、-CO-NH-基团或羟基发生反应的反应性基团的溶剂存在下，将至少一种多官能醛A与至少一种环脲U混合并进行加成反应以获得产物UA的溶液，其中R1选自具有1-12个碳原子的直链、支链或环状烷基。本发明还涉及通过所述方法得到的反应产物以及将所述反应产物作为交联剂用于涂料组合物的方法。 | ||||||
| 5 | 形成膜的材料 | CN201180066623.3 | 2011-12-01 | CN103339533A | 2013-10-02 | 江原和也; 今村光; 坂本力丸 |
| 本发明的课题是提供可以有助于提高太阳能电池的最大输出的、用于太阳能电池的新的材料。作为解决本发明课题的手段涉及形成膜的材料以及将由该形成膜的材料制作的固化膜被覆在透明电极的表面上而成的太阳能电池，所述形成膜的材料是形成太阳能电池的透明电极上的聚光膜的材料，其在633nm的波长下具有1.5～2.0的折射率，且相对于400nm的波长的光具有95%以上的透射率，并包含具有芳香族基的有机系高分子化合物(A)。 | ||||||
| 6 | 咔唑酚醛清漆树脂 | CN201080027274.X | 2010-06-16 | CN102803324A | 2012-11-28 | 齐藤大悟; 奥山博明; 武藏秀树; 新城彻也; 桥本圭祐 |
| 本发明的课题在于提供用于半导体器件的制造的光刻工序的具有耐热性的抗蚀剂下层膜和电子构件中使用的具有透明性的高折射率膜。本发明提供了一种聚合物，其含有下式(1)所示的结构单元，式(1)式(1)中，R1、R2、R3和R5分别表示氢原子，R4表示苯基或萘基。还提供含有上述聚合物的形成抗蚀剂下层膜的组合物，以及由其形成的抗蚀剂下层膜。还提供含有上述聚合物的形成高折射率膜的组合物和由其形成的高折射率膜。 | ||||||
| 7 | 含有含苯基吲哚的酚醛清漆树脂的抗蚀剂下层膜形成用组合物 | CN201380015579.2 | 2013-03-25 | CN104185816B | 2017-09-29 | 西卷裕和; 坂本力丸; 桥本圭祐; 新城彻也; 染谷安信; 柄泽凉 |
| 本发明的目的在于提供在半导体装置制造的光刻工艺中使用的具有耐热性的抗蚀剂下层膜形成用组合物。本发明提供了含有具有下述式(1)所表示的结构单元的聚合物抗蚀剂下层膜形成用组合物。环A和环B均是苯环，n1、n2、和n3是0，R4和R6是氢原子，R5是萘基。提供了一种半导体装置的制造方法，其包含以下工序：在半导体基板上通过所述抗蚀剂下层膜形成用组合物形成下层膜的工序，在其上形成硬掩模的工序、进而在其上形成抗蚀剂膜的工序，通过光或电子束的照射和显影形成抗蚀剂图案的工序，通过抗蚀剂图案对硬掩模进行蚀刻的工序，通过图案化的硬掩模对该下层膜进行蚀刻的工序，以及通过图案化的下层膜对半导体基板进行加工的工序。 | ||||||
| 8 | 包含吡咯酚醛清漆树脂的抗蚀剂下层膜形成用组合物 | CN201480035408.0 | 2014-06-23 | CN105324719A | 2016-02-10 | 新城彻也; 染谷安信; 柄泽凉; 西卷裕和; 远藤贵文; 桥本圭祐 |
| 本发明的课题是可以提供具有与抗蚀剂接近的干蚀刻速度的选择比、比抗蚀剂小的干蚀刻速度的选择比、比半导体基板小的干蚀刻速度的选择比的优异的抗蚀剂下层膜。作为解决本发明课题的方法为一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：包含下述式(1)的单元结构的聚合物，(式(1)中，R3为氢原子、或可以被卤基、硝基、氨基、羰基、碳原子数6～40的芳基或羟基取代的碳原子数6～40的芳基、或杂环基，R4为氢原子、或可以被卤基、硝基、氨基或羟基取代的碳原子数1～10的烷基、碳原子数6～40的芳基、或杂环基，R3和R4可以与它们所结合的碳原子一起形成环。n表示0～2的整数。)。式(1)的R3为苯环、萘环、蒽环或芘环，R4为氢原子。 | ||||||
| 9 | 形成膜的材料 | CN201180066623.3 | 2011-12-01 | CN103339533B | 2016-01-20 | 江原和也; 今村光; 坂本力丸 |
| 本发明的课题是提供可以有助于提高太阳能电池的最大输出的、用于太阳能电池的新的材料。作为解决本发明课题的手段涉及形成膜的材料以及将由该形成膜的材料制作的固化膜被覆在透明电极的表面上而成的太阳能电池，所述形成膜的材料是形成太阳能电池的透明电极上的聚光膜的材料，其在633nm的波长下具有1.5～2.0的折射率，且相对于400nm的波长的光具有95%以上的透射率，并包含具有芳香族基的有机系高分子化合物(A)。 | ||||||
| 10 | 形成膜的材料 | CN201510459653.0 | 2011-12-01 | CN105017952A | 2015-11-04 | 江原和也; 今村光; 坂本力丸 |
| 本发明的课题是提供可以有助于提高太阳能电池的最大输出的、用于太阳能电池的新的材料。作为解决本发明课题的手段涉及形成膜的材料以及将由该形成膜的材料制作的固化膜被覆在透明电极的表面上而成的太阳能电池，所述形成膜的材料是形成太阳能电池的透明电极上的聚光膜的材料，其在633nm的波长下具有1.5～2.0的折射率，且相对于400nm的波长的光具有95％以上的透射率，并包含具有芳香族基的有机系高分子化合物(A)。 | ||||||
| 11 | 环脲与多官能醛的反应产物的制备方法 | CN201180047593.1 | 2011-09-23 | CN103154063A | 2013-06-12 | R·B·古普塔; L·A·弗勒德; U·Y·特雷苏雷尔; B·A·劳利斯; C·布罗根 |
| 本发明涉及至少一种多官能醛A与至少一种环脲U的反应产物UA的制备方法，所述方法通过如下步骤进行：在至少一种醇R1-OH的存在下，任选在至少一种不具有可与醛基、-CO-NH-基团或羟基发生反应的反应性基团的溶剂存在下，将至少一种多官能醛A与至少一种环脲U混合并进行加成反应以获得产物UA的溶液，其中R1选自具有1-12个碳原子的直链、支链或环状烷基。本发明还涉及通过所述方法得到的反应产物以及将所述反应产物作为交联剂用于涂料组合物的方法。 | ||||||
| 12 | 固化氨基树脂粒子的制造方法 | CN201380025038.8 | 2013-05-17 | CN104284915B | 2017-05-17 | 川口正刚; 鹿内康史; 小山薰; 藤田贤志 |
| 本发明的课题是提供一种树脂粒子的制造方法，所述方法在蜜胺系固化树脂粒子的制造时，即使在提高反应体系中树脂粒子的原料浓度的情况下，也能够制造平均粒径小的树脂粒子。解决手段是，一种固化氨基树脂粒子的制造方法，其包括以下工序：在平均粒径5～70nm的胶体二氧化硅的水性悬浮下，使含有多官能性氨基化合物的至少一种氨基系单体化合物与醛化合物在碱性条件下反应，生成可溶于水的氨基系树脂的初期缩合物的水溶液的工序；以及在该水溶液中加入至少2种酸催化剂而使球状固化氨基树脂粒子析出的工序。 | ||||||
| 13 | 异己糖醇二氨基甲酸酯的合成及其衍生物 | CN201480029012.5 | 2014-05-07 | CN105263938A | 2016-01-20 | 肯尼斯·斯滕斯鲁德 |
| 描述了异己糖醇二氨基甲酸酯及其制备方法。该方法涉及使一种异己糖醇和氰酸盐在非水溶剂中的混合物与一种具有约3.7或更小的pKa的可混溶的酸反应。这些异己糖醇二氨基甲酸酯可以用作前体材料，从这些前体材料可以合成多种衍生化合物。 | ||||||
| 14 | 从2-羟甲基-5-糠醛（HMF）的还原产物合成二氨基甲酸酯及其衍生物 | CN201480028979.1 | 2014-05-07 | CN105228998A | 2016-01-06 | 肯尼斯·斯滕斯鲁德 |
| 描述了2-羟甲基-5-糠醛(HMF)的还原产物的二氨基甲酸酯及其制备方法。该方法涉及使一种异己糖醇和氰酸盐在非水溶剂中的混合物与一种具有约3.7或更小的pKa的可混溶的酸反应。HMF-还原产物的二氨基甲酸酯可以用作前体材料，从这些前体材料可以合成多种衍生化合物。 | ||||||
| 15 | 咔唑酚醛清漆树脂 | CN201080027274.X | 2010-06-16 | CN102803324B | 2015-09-16 | 齐藤大悟; 奥山博明; 武藏秀树; 新城彻也; 桥本圭祐 |
| 本发明的课题在于提供用于半导体器件的制造的光刻工序的具有耐热性的抗蚀剂下层膜和电子构件中使用的具有透明性的高折射率膜。本发明提供了一种聚合物，其含有下式(1)所示的结构单元，式(1)式(1)中，R1、R2、R3和R5分别表示氢原子，R4表示苯基或萘基。还提供含有上述聚合物的形成抗蚀剂下层膜的组合物，以及由其形成的抗蚀剂下层膜。还提供含有上述聚合物的形成高折射率膜的组合物和由其形成的高折射率膜。 | ||||||
| 16 | 固化氨基树脂粒子的制造方法 | CN201380025038.8 | 2013-05-17 | CN104284915A | 2015-01-14 | 川口正刚; 鹿内康史; 小山薰; 藤田贤志 |
| 本发明的课题是提供一种树脂粒子的制造方法，所述方法在蜜胺系固化树脂粒子的制造时，即使在提高反应体系中树脂粒子的原料浓度的情况下，也能够制造平均粒径小的树脂粒子。解决手段是，一种固化氨基树脂粒子的制造方法，其包括以下工序：在平均粒径5～70nm的胶体二氧化硅的水性悬浮下，使含有多官能性氨基化合物的至少一种氨基系单体化合物与醛化合物在碱性条件下反应，生成可溶于水的氨基系树脂的初期缩合物的水溶液的工序；以及在该水溶液中加入至少2种酸催化剂而使球状固化氨基树脂粒子析出的工序。 | ||||||
| 17 | 含有含苯基吲哚的酚醛清漆树脂的抗蚀剂下层膜形成用组合物 | CN201380015579.2 | 2013-03-25 | CN104185816A | 2014-12-03 | 西卷裕和; 坂本力丸; 桥本圭祐; 新城彻也; 染谷安信; 柄泽凉 |
| 本发明的目的在于提供在半导体装置制造的光刻工艺中使用的具有耐热性的抗蚀剂下层膜形成用组合物。本发明提供了含有具有下述式(1)所表示的结构单元的聚合物抗蚀剂下层膜形成用组合物。环A和环B均是苯环，n1、n2、和n3是0，R4和R6是氢原子，R5是萘基。提供了一种半导体装置的制造方法，其包含以下工序：在半导体基板上通过所述抗蚀剂下层膜形成用组合物形成下层膜的工序，在其上形成硬掩模的工序、进而在其上形成抗蚀剂膜的工序，通过光或电子束的照射和显影形成抗蚀剂图案的工序，通过抗蚀剂图案对硬掩模进行蚀刻的工序，通过图案化的硬掩模对该下层膜进行蚀刻的工序，以及通过图案化的下层膜对半导体基板进行加工的工序。 | ||||||
| 18 | 含有具有杂环的共聚树脂的抗蚀剂下层膜形成用组合物 | CN201380006128.2 | 2013-01-25 | CN104067175A | 2014-09-24 | 染谷安信; 桥本圭祐; 新城彻也; 西卷裕和; 柄泽凉; 坂本力丸 |
| 本发明提供用于形成兼有干蚀刻耐性、耐热性的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。因而提供了含有具有下式(1)所表示的结构单元的聚合物的抗蚀剂下层膜形成用组合物，优选式(1)中的R3为氢原子，n1和n2都是0。提供给了含有下述工序的半导体装置的制造方法：在半导体基板上使用本发明的抗蚀剂下层膜形成用组合物而形成下层膜的工序、在其上形成硬掩模的工序、进而在其上形成抗蚀剂膜的工序、通过光或电子束的照射和显影而形成抗蚀剂图案的工序、通过该抗蚀剂图案而蚀刻硬掩模的工序、通过图案化了的硬掩模而蚀刻该下层膜的工序、和通过图案化了的下层膜而加工半导体基板的工序。 | ||||||
| 19 | 페닐인돌 함유 노볼락 수지를 포함하는 레지스트 하층막 형성 조성물 | KR1020147028256 | 2013-03-25 | KR1020140144207A | 2014-12-18 | 니시마키,히로카즈; 사카모토,리키마루; 하시모토,케이스케; 신조,테츠야; 소메야,야스노부; 카라사와,료 |
| [과제] 반도체 장치 제조의 리소그래피 프로세스에 이용하기 위한 내열성을 갖춘 레지스트 하층막 형성 조성물을 제공한다.
[해결수단] 하기 식(1): 로 표시되는 단위구조를 갖는 폴리머를 포함하는 레지스트 하층막 형성 조성물. 환 A 및 환 B가 모두 벤젠환이고, n1, n2, 및 n3이 0이고, R 4 및 R 6 이 수소원자이고, R 5 가 나프틸기이다. 반도체 기판에 상기 레지스트 하층막 형성 조성물에 의해 하층막을 형성하는 공정, 그 위에 하드마스크를 형성하는 공정, 다시 그 위에 레지스트막을 형성하는 공정, 광 또는 전자선의 조사와 현상에 의해 레지스트 패턴을 형성하는 공정, 레지스트 패턴에 의해 하드마스크를 에칭하는 공정, 패턴화된 하드마스크에 의해 이 하층막을 에칭하는 공정, 및 패턴화된 하층막에 의해 반도체 기판을 가공하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조방법. |
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| 20 | 카바졸 노볼락 수지 | KR1020127001404 | 2010-06-16 | KR1020120038447A | 2012-04-23 | 사이토,다이고; 오쿠야마,히로아키; 무사시,히데키; 신조,테츠야; 하시모토,케이스케 |
| [과제] 반도체 장치 제조의 리소그래피 프로세스에 이용하기 위한 내열성을 구비한 레지스트 하층막, 그리고 전자 디바이스에 이용하기 위한 투명성을 구비한 고굴절률막을 제공한다.
[해결수단] 하기 식(1): 식(1) 중, R 1 , R 2 , R 3 및 R 5 는 각각 수소원자를 나타내고, R 4 는 페닐기 또는 나프틸기로 표시되는 단위구조를 포함하는 폴리머. 상기 폴리머를 포함하는 레지스트 하층막 형성 조성물 및 이로부터 형성되는 레지스트 하층막. 상기 폴리머를 포함하는 고굴절률막 형성 조성물 및 이로부터 형성되는 고굴절률막. |
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