一种高频载波发生器 |
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申请号 | CN200810068206.2 | 申请日 | 2008-06-30 | 公开(公告)号 | CN101304235A | 公开(公告)日 | 2008-11-12 |
申请人 | 深圳和而泰智能控制股份有限公司; | 发明人 | 王志根; 刘建伟; 秦宏武; | ||||
摘要 | 本 发明 公开了一种高频载波发生器,包括用于输出控制 信号 并提供振荡 频率 的微 控制器 、用于根据所述振荡频率产生并输出高频振荡信号的振荡 电路 、用于对所述 控制信号 及高频振荡信号的合成信号进行放大从而得到高频载波的放大电路,方便地产生或截止高频载波,具有电路简单实用、成本低、调试简单、抑制中心频率漂移等优点。 | ||||||
权利要求 | 1、一种高频载波发生器,其特征在于,包括: |
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说明书全文 | 技术领域本发明涉及通信领域,尤其涉及一种高频载波发生器。 背景技术目前,现有的小功率高频载波发生器一般通过单片机内部定时器、外围 电感、电容放大器及多个元器件产生高频载波信号,进而可应用于遥控玩具、 空调遥控器等领域。 但是,现有技术的高频载波发生器产生高频载波信号占用了多点控制单 元(Micro Controller Unit,MCU)资源,增加了成本;另外器件参数不可能 全部一致,因此调试麻烦;中心频率随温度等原因也会产生一定漂移。 发明内容本发明所要解决的技术问题是:提供一种高频载波发生器,采用微控制 器、振荡电路、放大电路的结合电路方便地产生或截止高频载波,具有电路 简单实用、成本低的优点。 为解决上述技术问题,本发明采用如下技术方案: 一种高频载波发生器,包括: 微控制器,用于输出控制信号并提供振荡频率; 振荡电路,用于根据所述振荡频率产生并输出高频振荡信号; 放大电路,用于对所述控制信号及高频振荡信号的合成信号进行放大, 得到高频载波。 本发明的有益效果是: 通过采用用于输出控制信号并提供振荡频率的微控制器、用于根据所述 振荡频率产生并输出高频振荡信号的振荡电路、用于对所述控制信号及高频 振荡信号的合成信号进行放大从而得到高频载波的放大电路的结合电路,方 便地产生或截止高频载波,具有电路简单实用、成本低、调试简单、抑制中 心频率漂移的优点。 下面结合附图对本发明作进一步的详细描述。 附图说明图1是本发明实施例的高频载波发生器电路的示意图。 具体实施方式图1是本发明实施例的高频载波发生器电路的示意图,该高频载波发生 器可应用于遥控器发射电路中,参照该图,该高频载波发生器包括如下电路: MCU包括输出方波形式的控制信号的P0.0端,以及提供振荡频率的 OSC1端与OSC2端;振荡电路中包括一端与OSC1端相连、另一端与OSC2 端相连的晶体振荡器XT1(频率为32.768KHZ),一端与OSC2端相连、另一 端与P0.0端相连的第一电容C2,以及一端与OSC1端相连、另一端与电源 VCC相连的第二电容C1,P0.0端得到控制信号及高频振荡信号的合成信号; 放大电路中包括基极通过一电阻R1与P0.0端相连、集电极通过一电阻R3 与电源VCC相连、发射极通过一电阻R2与地相连的第一晶体三极管Q1,基 极通过一电阻R4与第一晶体三极管Q1集电极相连、发射极通过一电阻R5 与电源VCC相连的第二晶体三极管Q2,以及基极与第二晶体管Q2集电极相 连、集电极通过一电容C3与第一晶体三极管Q1集电极相连并通过一电阻 R6及发光二极管D1与电源VCC相连、发射极与地相连的第三晶体三极管 Q3,第三晶体三极管Q3集电极得到本发明实施例所需的高频载波。 下面对上述高频载波发生器的工作原理进行说明: MCU的P0.0端设置为方波形式的控制信号的输出,当P0.0端输出为低 电平0时,此时第一电容C2相当于接地,振荡电路的振荡波幅度很小而不足 以触发第一晶体管Q1;当P0.0端输出为高电平1时,第一电容C2相当于接 到电源VCC上,则通过R1的电压信号为直流电压(即控制信号输出高电平 1)与一个微弱交流电压(即高频振荡信号)的合成信号,而该合成信号经过 放大电路的放大作用后就可得到本发明实施例所需的高频载波。 作为一种实施例,上述高频载波发生器可应用于遥控玩具或空调遥控器 中,但不仅限于此。 需要说明的是,上述振荡电路、放大电路还可以采用其他电路结构来实 现本发明的高频载波发生器的其它实施例。 实施本发明实施例的高频载波发生器,通过采用用于输出控制信号并提 供振荡频率的微控制器、用于根据所述振荡频率产生并输出高频振荡信号的 振荡电路、用于对所述控制信号及高频振荡信号的合成信号进行放大从而得 到高频载波的放大电路的结合电路,方便地产生或截止高频载波,具有电路 简单实用、成本低、调试简单、抑制中心频率漂移等优点。 以上所述是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通 技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰, 这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。 |