1.一种快速计算磁力耦合器转矩与功率的方法，其特征在于，步骤如下：
步骤1：根据磁力耦合器的具体结构，将磁力耦合器归算为单主动盘和单从动盘结构，如果磁力耦合器本身为单主动盘和单从动盘结构，直接跳过步骤1；
步骤1.1：气隙等效处理，双盘磁力耦合器为主动盘将从动盘包住，对双盘磁力耦合器进行气隙等效处理，采用数学叠加原理，直接将双盘磁力耦合器的两侧气隙进行求和，等效为单盘磁力耦合器的气隙；
步骤1.2：铜盘厚度等效处理，对双盘磁力耦合器的铜盘厚度进行等效处理，采用数学叠加原理，将双盘磁力耦合器两侧铜盘厚度进行求和，等效为单盘磁力耦合器的铜盘厚度；
步骤1.3：轭铁厚度等效处理，由于轭铁起着闭合磁路的作用，采用数学叠加原理，直接将双盘磁力耦合器两侧轭铁厚度进行求和，等效为单盘磁力耦合器的轭铁厚度；
步骤2：在步骤1的基础上，进行从动盘永磁体截面形状的归算，采用等效面积法，归算过程中保持永磁体轴向长度不变，将圆形截面或矩形截面的永磁体归算为扇形截面的永磁体，具体参见公式(0-1)和(0-2)；
圆形截面永磁体等效为扇形截面永磁体参见公式(0-1)：
式中，r代表圆形永磁体半径，θ对应扇形截面永磁体的圆心角，r1代表扇形截面永磁体内径，r2代表扇形截面永磁体外径；
矩形截面永磁体等效为扇形截面永磁体参见公式(0-2)：
式中，L代表矩形永磁体半径方向长度，d代表矩形永磁体周向长度，θ对应扇形截面永磁体的圆心角，r1代表扇形截面永磁体内径，r2代表扇形截面永磁体外径；
步骤3：在步骤2的基础上，建立等价变换后的磁力耦合器的数学模型，求解数学模型，得到磁力耦合器矢量磁位的表达式；根据求得的磁力耦合器矢量磁位的表达式，计算磁力耦合器中涡流的表达公式，进一步求得磁力耦合器转矩的表达式；具体如下：
(1)磁力耦合器矢量磁位的表达式为
Ai＝Ai(y,z)ex  (1)
式中，Ai表示磁力耦合器的矢量磁位；Ai(y,z)表示磁力耦合器的矢量磁位的模长；ex表示磁力耦合器的矢量磁位的方向；
根据麦克斯韦方程组和假设的条件，得出磁力耦合器的偏微分方程式(2)-式(3)：
式中，μ0表示真空磁导率；MZ表示永磁体的轴向磁极化强度；AⅠ表示磁力耦合器中永磁体区域的矢量磁位；AⅡ表示磁力耦合器中铜盘和气隙区域的矢量磁位；
应用傅里叶级数对磁极化强度进行展开，磁极化强度的基波为磁力耦合器的转矩传递起到决定性作用，即98％以上的转矩是由基波产生的；因此，只考虑磁极化强度的基波对磁力耦合器转矩的影响；
式中，Br表示磁力耦合器中永磁体的剩余磁感应强度；α表示磁力耦合器中扇形截面永磁体对应的圆心角；p表示磁力耦合器中永磁体的磁极对数；Rm表示磁力耦合器中永磁体的平均半径；
偏微分方程的通解用指数函数表示，故其通解为：
AⅠ＝(C3exp(βz)+C4exp(-βz))cos(βy)  (5)
AⅡ＝(C1exp(βz)+C2exp(-βz)+K)cos(βy)  (6)
式中，Br表示磁力耦合器中永磁体的剩余磁感应强度；α表示磁力耦合器中扇形截面永磁体对应的圆心角；Rm表示磁力耦合器中永磁体的平均半径，π表示圆周率；
根据磁力耦合器磁场分布的对称性，并结合边界条件和初始条件，对方程进行求解；
边界条件具体为：
z＝0时
式中，AⅠ和AⅠ(y,z)含义相同；
z＝b+c+d时
式中，AⅡ和AⅡ(y,z)含义相同；
连续性条件为：
z＝b时
z＝b时
AⅡ＝AⅠ  (11)
式中，AⅠ和AⅠ(y,z)含义相同；AⅡ和AⅡ(y,z)含义相同；
通过求解得到偏微分方程的系数：
b代表铜盘厚度；c代表气隙大小；d代表永磁体厚度；
带入方程系数，化简之后，得到方程的表达式如下
式中，β含义与公式(4)相同；b代表铜盘厚度；c代表气隙大小；d代表永磁体厚度；K见公式(7)；
式中，β含义与公式(4)相同；b代表铜盘厚度；c代表气隙大小；d代表永磁体厚度；K见公式(7)；
通过对AⅡ进行一次梯度或旋度运算，求得磁力耦合器永磁体在区域Ⅱ的磁感应强度表达式，通过洛仑兹公式求得运动的铜盘在恒定磁场中感应电流密度J的表达式，如下所示：
式中，Ω表示磁力耦合器主动盘与从动盘的转速之差，Rm表示磁力耦合器中永磁体的平均半径；σ表示磁力耦合器中铜盘的电导率；BⅡ表示铜盘中磁感应强度；υ表示铜盘相对永磁体的运动速度；ex表示磁力耦合器的矢量磁位的方向；AⅡ和AⅡ(y,z)含义相同；
式中，Ω表示磁力耦合器主动盘与从动盘的转速之差，Rm表示磁力耦合器中永磁体的平均半径；σ表示磁力耦合器中铜盘的电导率；β含义与公式(4)相同；b代表铜盘厚度；c代表气隙大小；d代表永磁体厚度；
通过感应电流在铜盘中产生的功率来计算磁力耦合器传递的转矩，即磁力耦合器转矩的表达式为：
式中，Ω表示磁力耦合器主动盘与从动盘的转速之差，P表示磁力耦合器传递的功率；T1表示磁力耦合器传递的转矩；b代表铜盘厚度；c代表气隙大小；d代表永磁体厚度；J(y,z)表示铜盘中感应电流的密度；L代表永磁体径向长度；
从下式(22)得出，磁力耦合器传递转矩只与磁力耦合器的几何尺寸有关，即磁力耦合器转矩单侧转矩的表达式为：
T1＝KTΩ＝KT(Ω1-Ω2)  (21)
式中，T1表示磁力耦合器传递的转矩；Ω表示磁力耦合器主动盘与从动盘的转速之差，Ω1表示磁力耦合器主动盘转速；Ω2表示磁力耦合器从动盘转速；b代表铜盘厚度；c代表气隙大小；d代表永磁体厚度；β含义与公式(4)相同；KT表示磁力耦合器的转矩系数；
铜盘中的感应电流产生的三维端部效应不能被忽略，为充分考虑感应电流产生的三维端部效应，引入罗素系数进行修正，即
式中，β含义与公式(4)相同；L代表永磁体径向长度；λ表示铜盘径向长度与永磁体径向长度之差除以永磁体径向长度；
步骤5：将计算的得到的磁力耦合器转矩值与试验测得的转矩值进行比较；
步骤6：误差分析，通过误差分析，得出磁力耦合器转矩的误差随着滑差的增大而减小；
步骤7：在步骤6误差精度的基础上，再计算磁力耦合器传动的功率，功率计算参照公式(24)：
式中，T代表磁力耦合器传递的转矩，根据步骤5得出；Ω代表磁力耦合器从动盘的转速，为同步转速减去滑差；P代表磁力耦合器传递的功率。