1.一种制造磁存储器器件的方法，包括步骤：
在衬底上按次序形成第一磁性层、隧道势垒层和第二磁性层；
在第二磁性层上形成掩模图案，以将第二磁性层的一部分暴露出来；
在掩模图案的侧壁和第二磁性层的暴露出来的部分上形成封盖绝缘层；
通过封盖绝缘层将氧离子注入到第二磁性层的所述部分中，以形成氧化物层；
各向异性地蚀刻封盖绝缘层，以形成封盖间隔件；以及
利用掩模图案和封盖间隔件将氧化物层、隧道势垒层和第一磁性层图案化。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，利用等离子体执行注入氧离子的步骤。
3.根据权利要求1所述的方法，在形成封盖绝缘层的步骤之前还包括步骤：利用掩模图案蚀刻第二磁性层的所述部分，以在掩模图案的侧壁和第二磁性层的所述部分上形成再沉积间隔件层。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，将蚀刻第二磁性层的所述部分的步骤执行为防止隧道势垒层被暴露出来。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，第一磁性层具有固定的磁化方向，第二磁性层具有可切换的磁化方向。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，封盖绝缘层包括氧化硅或金属氧化物。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，封盖绝缘层的厚度范围为从 至
8.根据权利要求1所述的方法，还包括步骤：形成界面层，以接触第二磁性层的顶表面。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，将封盖绝缘层形成为覆盖界面层的侧壁。
10.根据权利要求8所述的方法，其中，隧道势垒层和界面层包括MgO。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，第一磁性层和第二磁性层的磁化方向垂直于衬底的顶表面。
12.一种磁存储器器件，包括：
下电极，其布置在衬底上；
第一磁性图案，其布置在下电极上；
第二磁性图案，其布置在第一磁性图案上，第二磁性图案的宽度小于第一磁性图案的宽度；
隧道势垒图案，其设置在第一磁性图案与第二磁性图案之间；
上电极，其设置在第二磁性图案上，其中封盖图案介于上电极与第二磁性图案之间；
封盖间隔件，其布置在封盖图案的侧壁上；以及
氧化物图案，其从第二磁性图案延伸至封盖间隔件与隧道势垒图案之间的区域，其中，氧化物图案包括与第二磁性图案的材料中的至少一种相同的材料。
13.根据权利要求12所述的器件，其中，封盖间隔件包括金属氧化物。
14.根据权利要求13所述的器件，其中，封盖间隔件的厚度为从 至
15.根据权利要求12所述的器件，其中，隧道势垒图案和第一磁性图案的侧壁与封盖间隔件的侧壁自对齐。
16.根据权利要求12所述的器件，其中，封盖间隔件的底表面与氧化物图案的顶表面接触。
17.根据权利要求12所述的器件，其中，第一磁性图案与第二磁性图案之间的宽度差等于或大于封盖间隔件的宽度。
18.根据权利要求12所述的器件，还包括设置在封盖图案与封盖间隔件之间的再沉积间隔件，再沉积间隔件包括与第二磁性图案的材料中的至少一种相同的材料。
19.一种磁存储器器件，包括：
下电极，其设置在衬底上；
第一磁性图案，其设置在下电极上；
第二磁性图案，其布置在第一磁性图案上；
隧道势垒图案，其位于第一磁性图案与第二磁性图案之间；
上电极，其设置在第二磁性图案上，其中封盖图案介于上电极与第二磁性图案之间；
封盖间隔件，其位于封盖图案的侧壁上；以及
金属氧化物图案，其从第二磁性图案延伸至封盖间隔件与隧道势垒图案之间的区域，其中，第一磁性图案、隧道势垒图案和金属氧化物图案具有与封盖间隔件的侧壁自对齐的侧壁。
20.根据权利要求19所述的器件，其中，第一磁性图案与第二磁性图案之间的宽度差等于或大于封盖间隔件的宽度。
21.一种磁存储器器件，包括：
下电极，其设置在衬底上；
磁存储器元件，其包括按照堆叠布置方式设置在下电极上的第一磁性图案和第二磁性图案，以及布置在第一磁性图案与第二磁性图案之间的隧道势垒图案；
上电极，其设置在磁存储器元件上方，其中封盖图案介于磁存储器元件与上电极之间；
以及
封盖间隔件，其沿着封盖图案的侧壁布置，
其中，第二磁性图案和隧道势垒图案的侧壁与封盖间隔件的侧壁自对齐。
22.根据权利要求21所述的磁存储器器件，还包括从第二磁性图案延伸至封盖间隔件与隧道势垒图案之间的区域的金属氧化物图案。
23.根据权利要求22所述的磁存储器器件，其中，金属氧化物图案具有与封盖间隔件的侧壁自对齐的侧壁。
24.根据权利要求21所述的磁存储器器件，还包括布置在第一磁性图案上的界面图案，以在第一磁性图案中诱导出界面驱动的垂直各向异性，其中封盖图案还布置在界面图案上。
25.根据权利要求21所述的磁存储器器件，还包括布置在下电极与磁存储器元件之间的第二封盖图案。