1.一种方法，包括: 提供包括半导体层的多层结构，该半导体层包括掺杂物，并且具有增大的电导率； 使用电化学处理至少部分地选择性增大所述半导体层的孔隙度，选择性增大孔隙度利用了所述半导体层的增大的电导率;和 借助选择性增大的孔隙度从所述多层结构中至少部分地除掉所述半导体层。
2.按照权利要求1的方法，其中所述选择性增大孔隙度包括至少部分地对所述半导体层选择性地进行阳极氧化。
3.按照权利要求2的方法，其中所述选择性增大孔隙度包括在包含无机酸和氧化物类的电解液中用电化学方法处理所述半导体层，以选择性地至少部分地对所述半导体层进行阳极氧化，所述半导体层的掺杂物使得所述半导体层的阳极氧化得到增强，以选择性地增大所述半导体层的孔隙度并且促成从所述多层结构中至少部分地除掉所述半导体层。
4.按照权利要求3的方法，其中用电化学方法处理包括对通过所述电解液和所述半导体层施加的电流密度进行控制，选择性增大的孔隙度至少部分地是所施加电流密度的函数。
5.按照权利要求2的方法，其中所述半导体层是第一半导体层，并且该方法进一步包括在选择性增大第一半导体层的孔隙度之前，在所述第一半导体层上外延生长第二半导体层。
6.按照权利要求5的方法，其中所述第一半导体层和所述第二半导体层各自包含宽带隙半导体材料。
7.按照权利要求5的方法，其中所述第一半导体层和所述第二半导体层各自包含碳化娃或娃碳合金。
8.按照权利要求5的方法，其中所述第一半导体层和所述第二半导体层各自包含氮化镓或镓氮合金。
9.按照权利要求5的方法，其中所述第一半导体层的增大的电导率包括第一电导率，并且所述第二半导体层包括第二电导率，所述第一半导体层的第一电导率大于所述第二半导体层的第二电导率，并且所述第一半导体层的阳极氧化利用所述第一半导体层的较大的电导率来至少部分地选择性增大所述第一半导体层的孔隙度，而不增大所述第二半导体层的孔隙度。
10.按照权利要求9的方法，其中所述第一半导体层的第一电导率比所述第二半导体层的第二电导率大十倍或更大。
11.按照权利要求1-10中任何一项所述的方法，其中所述提供包括提供所述半导体层作为所述多层结构的半导体衬底，所述选择性增大孔隙度促成了至少部分地除掉所述半导体衬底。
12.按照权利要求11的方法，其中提供所述多层结构进一步包括在选择性增大所述半导体层的孔隙度之前在该半导体层上方提供多层半导体器件。
13.按照权利要求12的方法，其中所述多层半导体器件包括p-1-n 二极管。
14.按照权利要求12的方法，其中所述多层半导体器件包括肖特基二极管。
15.按照权利要求1-10中任何一项所述的方法，其中提供所述多层结构包括在半导体衬底上方提供所述半导体层，所述选择性增大孔隙度和所述至少部分地除掉所述半导体层促成了从所述多层结构上除掉所述半导体衬底。
16.按照权利要求15的方法，其中提供所述多层结构进一步包括在选择性增大所述半导体层的孔隙度之前在该半导体层上方提供多层半导体器件。
17.按照权利要求16的方法，进一步包括在除掉所述多层结构的半导体衬底之前，将所述多层结构粘接到支撑基板上。
18.按照权利要求1-10中任何一项所述的方法，其中所述除掉包括从所述多层结构中仅部分地除掉所述半导体层，留下变薄的半导体层作为所述多层结构的一部分。
19.按照权利要求18的方法，其中提供所述多层结构进一步包括在该半导体层上方提供多层半导体器件。
20.按照权利要求18的方法，其中所述提供包括提供所述半导体层作为所述多层结构的半导体衬底，变薄的半导体层是所述多层结构的变薄的半导体衬底。