1.一种用于提高传感器测量精度的方法，其特征在于，包括运算放大器、电阻、基准电压源、MCU模块、低压差稳压器LDO、热敏电阻NTC及电流信号采集模块，MCU模块包括相互电性连接的ADC单元和MUX单元，
所述电流信号采集模块与电阻的一端连接，电阻的另一端与运算放大器的一个输入端相连并接地，运算放大器的另一个输入端接地，运算放大器的输出端接MUX单元的输入引脚ADC1，
所述基准电压源接单元的输入引脚ADC2，
所述热敏电阻NTC的一端接地，热敏电阻NTC的另一端接MUX单元的输入引脚ADC3，所述MCU模块与低压差稳压器LDO相连。
2.根据权利要求1所述的一种用于提高传感器测量精度的方法，其特征在于，包括步骤：
S1、使用大样本量，在不同温度下测量基准电压源输出，使用曲线拟合，找到基准电压VREF与温度的曲线关系U(t)；
S2、常温条件下，当前MCU模块的温度采集值为T0,基准电压VREF实际对应的输出值为U(t0)；ADC单元采集基准源信号，使用fifo滑动平均后得到的数字量作为常温基准D(t0)，此时MCU模块采集电流信号的值为I(t0)；
S3、在不同温度条件下，MUC模块的温度采集值为T1，则基准电压VREF在当前温度下实际输出为U(t1)，当前MCU模块采集到基准电压VREF经过fifo滑动平均后的数字量为D(t1)，校准系数k= U(t1)*D(t0)/( U(t0)*D(t1))，当前单片机采集到的电流信号的值为I(t1),使用校准系数k对数据进行校准，得到I(real) = k * I(t1)。
3.根据权利要求2所述的一种用于提高传感器测量精度的方法，其特征在于，于步骤2中，FIFO的长度为100。