1.一种用于多晶钨或单晶钨材料组织检验的试验样品制备方法，其特征在于包括：
从多晶钨或单晶钨材料上切取样品，对样品待检面进行表面处理，表面粗糙度等同或优于Ra6.4；
将头部、尾端两端绝缘层剥除后的具有载流能力的多股导线解缠绕后均匀分散成放射状；选择直径不小于上述放射状的外包络圆直径的导电金属箔，导电金属中部打通孔；
将上述多股导线穿过所述导电金属箔中部通孔后，将导电金属箔推至分散成放射状的多股导线头部；
打磨所述样品待检面的背部，去除氧化层及污染层，至打磨区域显现光亮的金属色；
通过在上述打磨区域点胶的方式，将上述导电金属箔与打磨区域压紧固定；
检测样品待检面与导线尾端之间的电阻，若电阻大于1Ω，应去除已粘接导线及导电金属箔后重新处理，直至电阻不超过1Ω；
使用不含导电填料的丙烯酸脂类树脂及模具包埋已粘接导线的样品，确保样品待检面包埋后能够裸露，样品其他位置紧密的包覆在树脂内，固化后脱除模具；
检测样品待检面与导线尾端电阻，若电阻大于1Ω，则去除包埋用树脂、去除已粘接导线及导电金属箔后重新从分散成放射状的导线及导电金属箔开始处理，直至电阻不超过1Ω；
打磨电阻满足要求样品的待检面，得到能够用于组织检验的试验样品。
2.根据权利1所述的方法，其特征在于：通过下述方式完成电阻满足要求样品的待检面的打磨：
使用转盘式磨抛机，依次使用200#～280#、500#、1000#、2000#金刚石磨盘或碳化硅耐水砂纸打磨试验样品的待检面打磨光滑，每种号数砂纸均首先使用150～250转/分的磨盘转速及5～20N的正压力以获得最大切削速度，磨至待检面磨痕均匀一致后将样品旋转30～
90°，继续打磨至再次获得均匀一致的划痕后提高转速至450～500转/分，逐渐降低正压力至1～5N以获得抛光效果。
3.根据权利1所述的方法，其特征在于：将不小于样品外包络圆直径加30cm的带有耐水、耐碱绝缘层的多股镀银铜导线的头部、尾端两端绝缘层均剥除5～10mm，将剥开的多股导线头部解缠绕后均匀的分散成放射状；导线的载流能力与样品待处理表面积有关，载流
2
能力不小于样品待处理表面积乘以2A/cm。
4.根据权利1所述的方法，其特征在于：导电金属箔选用5～20μm厚的铝箔或镍箔。
5.根据权利1所述的方法，其特征在于：不含导电填料的丙烯酸脂类树脂选用15min以内能够室温快速固化的树脂。
6.一种用于多晶钨或单晶钨材料组织检验的电化学处理装置，其特征在于包括：
直流稳压电源：电压上限不低于15V，电流监控精度等同或优于0.001A，电流输出能力
2
大于样品待处理表面积乘以2A/cm；
试验样品：按权利要求1中方法制作的试验样品；连接直流稳压电源正极，作为电化学处理过程中的阳极；
不锈钢阴极板：面积不小于试验样品待测面积4倍的304或316不锈钢板，厚度2mm～
4mm，表面粗糙度应等同或优于Ra1.6；不锈钢板一侧边缘固定带绝缘皮的导线阴极连接导线：用于连接所述不锈钢板的带有绝缘皮的导线；所用导线的载流能力大
2
于样品待处理表面积乘以2A/cm；
容器：用于容纳所述试验样品和不锈钢阴极板；具有固定措施保证所述试验样品待检面与所述不锈钢阴极板表面夹角不超过15°，距离20mm～80mm；加注电化学处理液后可保证所述试验样品的待检面完全浸没在液面以下。
7.一种用于多晶钨或单晶钨材料低倍和显微组织检验的表面抛光方法，其特征在于包括：
将电化学处理液加注至权利要求6所述的电化学处理装置的容器内；
去除试验样品待检面的气泡，静置至电化学处理装置容器内的电化学处理液稳定、无气泡；
设置直流稳压电源电压5V～15V，接通电源，持续通电5～10min；检查试样样品待测面，若已形成光亮的镜面效果则抛光结束，若仍有机械损伤痕迹，则重新从去除试验样品待检面的气泡开始，直至无机械损伤痕迹；
冲洗试验样品待检面并吹干试验样品及待检面表面水渍。
8.根据权利要求7所述的表面抛光方法，其特征在于：电化学处理液的加注量满足：试验样品待检面距液面的最小距离大于30mm。
9.根据权利要求7所述的表面抛光方法，其特征在于：所述电化学处理液成分包括分析纯NaOH、去离子水，配置方法使用分析纯NaOH、去离子水配置5％～10％的NaOH水溶液，完成配置后静置至溶液恢复室温、无气泡后方可使用。
10.一种用于多晶钨或单晶钨材料组织检验的表面选择性腐蚀方法，其特征在于包括：
S1)将权利要求7制备的经过表面抛光的试验样品作为阳极替换权利要求6中的试验样品，并完成电化学处理装置的组装；
S2)将电化学处理液加注至所述电化学处理装置的容器内；
S3)去除试验样品待检面的气泡，静置至电化学处理装置容器内的电化学处理液稳定、无气泡；
S4)设置直流稳压电源电压5V～15V，接通电源，持续通电2～3min；
S5)不关闭直流稳压电源，直接调整直流稳压电源电压至1V～3V，持续通电1～3min；
S6)检查试样样品待检面，若待检面已形成预设的灰度衬度则转S7)，若灰度衬度不足，则将试验样品重新进行表面抛光处理后安装在所述的电化学处理装置上，从S2)重新执行，并延长S5)中的通电时间或提高直流稳压电源的电压；若边缘腐蚀过重形成凹陷，则重新打磨试验样品的待检面，之后重新进行表面抛光后转S1)重新执行。
S7)冲洗试验样品待检面并吹干试验样品及待检面表面水渍。
11.一种用于多晶钨或单晶钨材料的低倍组织检验方法，其特征在于包括：
按照权利要求10所述方法得到表面选择性腐蚀后的试验样品；
在自然光下使用目视检查方法，辅以在45°斜照明光源下使用体视显微镜检查所述试样样品的待检面，若存在连续线性特征且线性特征两侧灰度衬度有差异提示线性特征为晶界，若为闭合面特征，则提示为独立晶粒、偏析或夹杂物。
12.一种用于多晶钨或单晶钨材料的显微组织和精细结构检验方法，其特征在于包括：
使用场发射扫描电子显微镜放大观察权利要求11检验后的试验样品的待检面；
单晶钨或多晶钨的<111>晶向呈现直角三角锥形态，通过测量三条边的长度可计算<
111>晶面取向与检测面夹角或者使用EBSD或微区XRD方法检测所述夹角；
当权利要求11检验的结果为晶界，则利用场发射扫描电子显微镜的观测结果结合上述计算的夹角确定具体的晶界类型；
当权利要求11检验的结果为偏析或夹杂物，则通过EDS定量或微区XRD确认具体的偏析或夹杂物类型。
13.根据权利要求12所述的检验方法，其特征在于：场发射扫描电子显微镜的设置为：5～15KV，200～400PA下观察，需至少放大5000倍。
14.根据权利要求12所述的检验方法，其特征在于：若场发射扫描电子显微镜内显示界面两侧刻蚀形貌一致，但有二次电子称度差异，界面两侧晶面取向夹角不超过2°，则晶界类型为亚晶界；若显示界面两侧刻蚀形貌一致，界面两侧晶面取向有2°～10°夹角，则晶界类型为小角晶界；若界面两侧刻蚀形貌特征不一致，界面两侧晶面取向夹角大于10°，则晶界类型为大角晶界。