1.一种碳化硅器件高温氧化工艺方法，包括如下步骤：
1)表面清洗；
2)高温氧化；
其特征在于，所述步骤1)通过如下方式实施，包括如下分步骤：
1‑1)采用等离子体刻蚀工艺在真空腔内对所述碳化硅器件进行刻蚀，清除表面氧化层；
1‑2)然后再通过化学气相沉积工艺在所述碳化硅器件表面沉积一层氧化硅膜。
2.根据权利要求1所述的碳化硅器件高温氧化工艺方法，其特征在于，步骤1)具体通过如下方式实施：
1‑1)采用由四氟化碳和氩气组成的等离子体，通过等离子体刻蚀工艺在真空腔内对所述碳化硅器件进行刻蚀，清除表面氧化层；
1‑2)然后再向真空腔中通入笑气和硅烷组成的等离子体，通过化学气相沉积工艺在所述碳化硅器件表面沉积一层氧化硅膜。
3.根据权利要求2所述的碳化硅器件高温氧化工艺方法，其特征在于，步骤1‑1)具体过程为：
将真空腔抽真空，然后通氩气，并保持一段时间，以清除真空腔中的杂质粒子，维持真空腔的清洁度；
然后通四氟化碳工艺气体，并通电起弧形成等离子体轰击所述碳化硅器件，清除其表面氧化层。
4.根据权利要求3所述的碳化硅器件高温氧化工艺方法，其特征在于，步骤1‑2)具体过程为：
待所述碳化硅器件表面的氧化层去除干净后，停止通四氟化碳工艺气体，保持通氩气一段时间，清除残留的包括四氟化碳、硅离子、氧离子在内的杂质粒子；
然后通硅烷和笑气，并通电起弧产生等离子体，生成硅离子和氧离子，并结合而成二氧化硅沉积在表面干净的所述碳化硅器件上。