1.一种处理液，其为半导体器件用处理液，
所述处理液含有：
水；
去除剂；及
树脂，
所述树脂具有第1重复单元及与所述第1重复单元不同的第2重复单元，所述第1重复单元具有选自伯氨基、仲氨基、叔氨基及季铵阳离子中的至少1种。
2.根据权利要求1所述的处理液，其中，
所述第1重复单元具有伯氨基。
3.根据权利要求1或2所述的处理液，其中，
所述第2重复单元具有至少1个亲水性基团。
4.根据权利要求3所述的处理液，其中，
所述亲水性基团为选自羟基、羧基、伯氨基、仲氨基、叔氨基、酰胺基、聚氧化烯基、磺基及磺酰基中的基团。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的处理液，其中，
所述第2重复单元含有由下述式(2a)表示的重复单元，
式(2a)中，A21、A22及A23分别独立地表示氢原子、碳原子数1～4的直链状或支链状的烷基或‑L2‑X21，X21表示亲水性基团，L2表示单键或二价连接基团，当X21及L2分别存在2个以上的情况下，相同或不同。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的处理液，其中，
所述树脂具有选自由下述式(P‑1)～(P‑18)表示的骨架结构中的至少1种，
式(P‑1)～(P‑18)中，所述第1重复单元的摩尔数m与所述第2重复单元的摩尔数n的比率m∶n为1∶20～20∶1，
式(P‑7)中，l表示1～30的整数。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的处理液，其中，
所述树脂所具有的所述第1重复单元的摩尔数m与所述第2重复单元的摩尔数n的比率m∶n为5∶1～1∶5。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的处理液，其中，
所述树脂的重均分子量为1000～150000。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的处理液，其中，
所述树脂的含量相对于所述处理液的总质量为10质量ppm～10000质量ppm。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的处理液，其中，
所述去除剂含有选自氢氟酸、氟化铵、四甲基氟化铵、羟胺化合物、氢氧化铵、水溶性胺、季铵化合物、硫酸、盐酸、磷酸、羧酸、磺酸及膦酸中的至少1种。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的处理液，其中，
所述去除剂含有水溶性胺以及选自羧酸、磺酸及膦酸中的至少1种有机酸。
12.根据权利要求11所述的处理液，其中，
所述水溶性胺为选自甲胺、乙胺、丙胺、丁胺、戊胺、甲氧基乙胺、甲氧基丙胺、2‑氨基‑
2‑甲基‑1‑丙醇和烯丙胺中的至少1种，
所述有机酸为选自乙酸、丙酸、甲磺酸、乙磺酸、烯丙基甘氨酸、马来酸、柠康酸、富马酸及衣康酸中的至少1种。
13.根据权利要求1至12中任一项所述的处理液，其进一步含有氧化剂。
14.根据权利要求13所述的处理液，其中，
所述氧化剂含有选自过氧化氢、硝酸、过氧乙酸、高碘酸、高氯酸、氯酸、次氯酸、硝酸铈铵盐、硝酸铁及过硫酸铵中的至少1种。
15.根据权利要求1至14中任一项所述的处理液，其进一步含有腐蚀抑制剂。
16.根据权利要求15所述的处理液，其中，
所述腐蚀抑制剂含有选自由下述式(A)表示的化合物、由下述式(B)表示的化合物、由下述式(C)表示的化合物及经取代或未经取代的四唑中的至少1种化合物，
1A 5A
式(A)中，R ～R 分别独立地表示氢原子、经取代或未经取代的烃基、羟基、羧基或者经取代或未经取代的氨基，其中，在结构中包含选自羟基、羧基及经取代或未经取代的氨基中的至少一个基团，
1B 4B
式(B)中，R ～R 分别独立地表示氢原子或者经取代或未经取代的烃基，
1C 2C N 1C
式(C)中，R 、R 及R分别独立地表示氢原子或者经取代或未经取代的烃基，并且，R 与
2C
R 任选地键合而形成环。
17.根据权利要求1至16中任一项所述的处理液，其进一步含有表面活性剂。
18.根据权利要求17所述的处理液，其中，
所述表面活性剂为选自磷酸酯系表面活性剂、羧酸系表面活性剂、磺酸系表面活性剂及硫酸酯系表面活性剂中的至少1种。
19.根据权利要求18所述的处理液，其中，
所述磷酸酯系表面活性剂为选自烷基磷酸酯、单或聚氧烷基醚磷酸酯及它们的盐中的至少1种。
20.根据权利要求18或19所述的处理液，其中，
所述羧酸系表面活性剂为聚氧化烯烷基醚羧酸。
21.根据权利要求18至20中任一项所述的处理液，其中，
所述磺酸系表面活性剂为烷基二苯醚二磺酸，所述硫酸酯系表面活性剂为聚氧化烯醚硫酸酯或其盐。
22.根据权利要求1至21中任一项所述的处理液，其进一步含有有机溶剂。
23.根据权利要求1至22中任一项所述的处理液，其进一步含有消泡剂。
24.根据权利要求23所述的处理液，其中，
所述消泡剂为硅酮系消泡剂。
25.根据权利要求1至24中任一项所述的处理液，其中，
所述处理液为具有含金属的物质的基板用处理液，
所述含金属的物质含有选自铜、钴、钴合金、钨、钨合金、钌、钌合金、钽、钽合金、氧化铝、氮化铝、氮氧化铝、钛铝、钛、氮化钛、氧化钛、氧化锆、氧化铪、氧化钽、氧化镧及钇合金中的至少1种成分。
26.根据权利要求1至25中任一项所述的处理液，其中，
其用作用于去除蚀刻残渣的清洗液、用于去除图案形成中所使用的抗蚀剂膜的溶液、用于从化学机械研磨后的基板去除残渣的清洗液或蚀刻液。
27.一种基板的处理方法，其包括：使用权利要求1至25中任一项所述的处理液去除基板上的含金属的物质的工序A。
28.根据权利要求27所述的基板的处理方法，其进一步包括：
在所述工序A之后，使用冲洗液对在所述工序A中所获得的所述基板进行冲洗处理的工序C。
29.一种基板的处理方法，其对在表面具有含金属的层的基板进行处理，所述基板的处理方法包括：
工序P，对所述基板的表面实施液体处理、使臭氧气体与上述基板接触的臭氧处理、对所述基板的在氧气环境下的加热处理或使用氧气的所述基板的等离子体处理，所述液体处理为使选自水、过氧化氢水、氨水与过氧化氢水的混合水溶液、氟酸与过氧化氢水的混合水溶液、硫酸与过氧化氢水的混合水溶液、盐酸与过氧化氢水的混合水溶液、溶氧水以及臭氧溶解水中的药液与所述述基板的表面接触的处理，使所述含金属的层的表层氧化而形成氧化金属层；及
工序Q，使权利要求1至25中任一项所述的处理液与在所述工序P中所形成的所述氧化金属层的表面接触而去除所述氧化金属层。
30.根据权利要求29所述的处理方法，其反复实施所述工序P及所述工序Q。
31.根据权利要求29或30所述的处理方法，其中，
所述含金属的层含有选自钴、铜、钨、钛及铝中的至少1种。